Development of Novel SiGeSn alloys Using High-Pressure Phase Transformation and Their Application to Environment-friendly Devices

• Project/Area Number: 24K21691
• Research Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 生駒 嘉史 九州大学, 工学研究院, 助教 (90315119)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (20274491) ; 河野 正道 九州大学, 工学研究院, 教授 (50311634)
• Project Period (FY): 2024-06-28 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000); Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2024: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
• Keywords: 高圧相変態 / GeSn / SiSn / SiGeSn

Outline of Research at the Start

近年のIoTやウェアラブル端末等の発展に伴い、高効率発受光素子や室温付近での熱電素子の需要が高まっている。本研究では、室温での金属材料の合金化が可能なHigh-Pressure Torsion (HPT)法を用い、①高Sn濃度GeSn、SiSn混晶半導体、②中エントロピーSiGeSn、③SiGeSn混晶準安定相の形成に挑戦する。本研究で新奇SiGeSn混晶半導体を創製し、環境親和型素子開発を目指す。