Research Project
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
水素化アモルファスカーボン（a-C:H）は、ドライエッチングほか様々な用途の保護膜の重要な材料である。薄膜堆積では、材料分子の選択幅の広さや大面積化の容易さなどからプラズマ化学気相堆積法は主要な堆積法のひとつとして産業的に用いられている。高速製膜では、一分子あたりの炭素数が多い高次炭化水素分子が有利であるが、検討された例は少なく、材料選択の指導原理は確立していない。本研究では、安価に入手可能で１分子中炭素原子数の多いクメン（C9H12）に焦点を当てその堆積機構を解明するとともに、他の材料分子との比較から、材料分子選択の指導原理を明らかにする。
