アンチストークス発光による半導体光学冷却－オプトクライオジェニクスの創成－

• Project/Area Number: 25K01649
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29010:Applied physical properties-related
• Research Institution: Chiba University
• Principal Investigator: 山田 泰裕 千葉大学, 大学院理学研究院, 教授 (50532636)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小島 一信 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (30534250)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000); Fiscal Year 2026: ¥7,930,000 (Direct Cost: ¥6,100,000、Indirect Cost: ¥1,830,000); Fiscal Year 2025: ¥8,190,000 (Direct Cost: ¥6,300,000、Indirect Cost: ¥1,890,000)
• Keywords: ハロゲン化金属ペロブスカイト / 電子-フォノン相互作用 / レーザー冷却

Outline of Research at the Start

本研究では、半導体を用いた固体光学冷却の手法を高度化し、光による低温技術の革新＝オプトクライオジェニクスという新領域を開拓する。時空間分解分光と量子効率計測、数値シミュレーションを組み合わせることで、AS冷却メカニズムの完全解明を目指す。得られた知見を基に冷却能力を向上させる具体的な方法を考案し、100 K以下の到達温度を目標として材料やデバイス構造を最適化する。