多次元ライブセルイメージングを用いたイオンによるエンドサイトーシス制御機構の解明

• Project/Area Number: 25K18703
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 48020:Physiology-related
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 柏木 彩花 北海道大学, 医学研究院, 助教 (60880002)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2027: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
• Keywords: エンドサイトーシス / イオン

Outline of Research at the Start

本研究では、細胞外イオン濃度変化に対する細胞応答と、それによるイオン環境変化への細胞の適応機構を解明する。特に、エンドサイトーシス制御に関わるイオンを同定するために、各種イオンを培地に添加した際にエンドサイトーシスが促進もしくは抑制されるか評価する。続いて、エンドサイトーシスに影響を与えたイオンに着目し、エンドサイトーシス促進/抑制メカニズムを解析する。最終的には、細胞外イオン濃度変化によるエンドサイトーシス制御が細胞生理機能 (増殖・運動・生存等)に与える影響を明らかにする。