| Project/Area Number |
25KJ1261
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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| Research Institution | Institute of Science Tokyo |
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Principal Investigator |
阿部 鷹介 東京科学大学, 工学院, 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2025-04-01 – 2027-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2025)
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| Budget Amount *help |
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 2026: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2025: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Outline of Research at the Start |
本研究では、Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) 太陽電池における裏面コンタクト特性改善を目的とし、高アクセプタ密度と適切なバンド構造を有するLiドープNiO（NiO:Li）を正孔輸送層として導入する。加えて、Ag添加によるCIGSe層低温製膜技術により、高品質なCIGSe層を低温で成長させつつ、NiO:Li/CIGSe界面での異相形成を抑制する。裏面コンタクト特性の改善により変換効率25%の単接合デバイスの実現を目指す。
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