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Dynamic monitoring of the annealing processes between SiC/metal interface

Research Project

Project/Area Number 26630132
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Allocation TypeMulti-year Fund
Research Field Electronic materials/Electric materials
Research InstitutionThe University of Tokushima

Principal Investigator

Tomita Takuro  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90359547)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) OKADA Tatsuya  徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20281165)
YAMAGUCHI Makoto  秋田大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90329863)
Project Period (FY) 2014-04-01 – 2016-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2015)
Budget Amount *help
¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000)
Fiscal Year 2015: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2014: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywordsレーザーアニール / モニタリング / SiC / 金属電極 / 合金化
Outline of Final Research Achievements

Thermal annealing have been employed for the interface alloying between semiconductor and metal contact. Similar process trying to be applied also to wide bandgap semiconductors. However, extreme high temperature annealing is needed due to the strong bond peculiar to the wide bandgap semiconductors. Because of its high temperature environment, the high temperature annealing lead to the bad effects such as the restriction of the devices processes.
We tried to anneal the interface between metal and wide bandgap semiconductors by using the laser irradiation. It was found that the atomic migration was induced by the femtosecond laser irradiation associated with the relatively low temperature thermal annealing. In addition, similar phenomena was observed also by the continuous wave laser irradiation.

Report

(3 results)
  • 2015 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2014 Research-status Report
  • Research Products

    (16 results)

All 2015 2014 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (12 results) (of which Invited: 1 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain2015

    • Author(s)
      Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada
    • Journal Title

      Journal of Laser Micro/Nanoengineering

      Volume: 10 Issue: 3 Pages: 214-219

    • DOI

      10.2961/jlmn.2015.03.0014

    • Related Report
      2015 Annual Research Report
    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Application of femtosecond laser irradiation to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface2015

    • Author(s)
      Tomoyuki Ueki, Kazuki Morimoto, Hiroki Yokota, Takuro Tomita and Tatsuya Okada
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 8 Issue: 2 Pages: 026503-026503

    • DOI

      10.7567/apex.8.026503

    • NAID

      210000137409

    • Related Report
      2014 Research-status Report
    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] レーザー支援アニールによるNi/SiC界面でのニッケルシリサイド形成及び炭素拡散2015

    • Author(s)
      滝谷 悠介, 近藤 健太, 直井 美貴, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回講演会
    • Place of Presentation
      大阪国際交流センター (大阪府大阪市)
    • Year and Date
      2015-11-09
    • Related Report
      2015 Annual Research Report
  • [Presentation] フェムト秒レーザー照射による SiC 上へのオーミック電極作製の可能性2015

    • Author(s)
      富田 卓朗
    • Organizer
      日本金属学会中四国支部 第54回材質制御研究会
    • Place of Presentation
      徳島大学 (徳島県徳島市)
    • Year and Date
      2015-09-25
    • Related Report
      2015 Annual Research Report
    • Invited
  • [Presentation] Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成2015

    • Author(s)
      滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      日本金属学会2015年秋期講演大会
    • Place of Presentation
      九州大学 伊都キャンパス (福岡県福岡市)
    • Year and Date
      2015-09-17
    • Related Report
      2015 Annual Research Report
  • [Presentation] フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール2015

    • Author(s)
      滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場 (愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Related Report
      2015 Annual Research Report
  • [Presentation] Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散2015

    • Author(s)
      滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      日本金属学会中国四国支部第55回講演大会
    • Place of Presentation
      広島工業大学 (広島県広島市)
    • Year and Date
      2015-08-19
    • Related Report
      2015 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC基板への回路描画を目指したフェムト秒レーザー改質2015

    • Author(s)
      板東 洋太, 直井 美貴, 富田 卓朗
    • Organizer
      2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
    • Place of Presentation
      徳島大学 (徳島県徳島市)
    • Year and Date
      2015-08-01
    • Related Report
      2015 Annual Research Report
  • [Presentation] Low-temperature diffusion at Ni/SiC interface with the aid of femtosecond laser-induced strain2015

    • Author(s)
      Y. Takidani, K. Morimoto, T. Ueki, T. Tomita, Y. Tanaka, T. Okada
    • Organizer
      The 16th International Symposium on Laser Precision Microfabrication (LPM2015)
    • Place of Presentation
      Kitakyushu International Conference Center (Fukuoka・Kitakyushu)
    • Year and Date
      2015-05-26 – 2015-05-29
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Presentation] Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール2014

    • Author(s)
      森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      日本金属学会2014年秋期講演大会
    • Place of Presentation
      名古屋大学 (愛知・名古屋)
    • Year and Date
      2014-09-26
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Presentation] フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC 界面反応の物性解析2014

    • Author(s)
      近藤 健太, 柳田 栄造, 板東 洋太, 出来 真斗, 岡田 達也, 富田 卓朗
    • Organizer
      第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
    • Place of Presentation
      北海道大学 (北海道・札幌)
    • Year and Date
      2014-09-17
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Presentation] Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi 拡散の促進2014

    • Author(s)
      森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
    • Place of Presentation
      北海道大学 (北海道・札幌)
    • Year and Date
      2014-09-17
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Presentation] sレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散2014

    • Author(s)
      森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集
    • Place of Presentation
      徳島大学 (徳島・徳島)
    • Year and Date
      2014-08-21
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Presentation] Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化2014

    • Author(s)
      森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也
    • Organizer
      2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 講演予稿集
    • Place of Presentation
      島根大学 (島根・松江)
    • Year and Date
      2014-07-26
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Remarks] 徳島大学理工学部理工学科電気電子システムコース物性デバイス大講座

    • URL

      http://www.ee.tokushima-u.ac.jp/Research/aMDS/MDS_res.html

    • Related Report
      2015 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://pub2.db.tokushima-u.ac.jp/ERD/person/82121/profile-ja.html

    • Related Report
      2014 Research-status Report

URL: 

Published: 2014-04-04   Modified: 2017-05-10  

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