| Project/Area Number |
61114005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Special Project Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
柊元 宏 東京工大, 工学部, 教授 (50013488)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
橋爪 弘雄 東京工業大学, 工業材料研究所, 助教授 (10011123)
西野 種夫 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (60029452)
河東田 隆 東京大学, 工学部, 助教授 (90013739)
神谷 武志 東京大学, 工学部, 助教授 (70010791)
角野 浩二 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50005849)
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| Project Period (FY) |
1986
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1986)
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| Budget Amount *help |
¥35,100,000 (Direct Cost: ¥35,100,000)
Fiscal Year 1986: ¥35,100,000 (Direct Cost: ¥35,100,000)
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| Keywords | 格子欠陥 / 転位 / クラスタ / 欠陥準位 / 原子配列 / 原子間結合 |
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| Research Abstract |
本研究では、【III】-【V】族混晶半導体における混晶特有の原子配列に起因する広義の結晶欠陥についての新しい評価法を開発し、混晶の欠陥物性を解明する事を目的としている。本年度の成果は以下の通りである。
1)欠陥の形態、構造および動的機構に関する結晶学的評価:InGaAsおよびA1GaAsにおける転位の発生と運動過程をX線トボグラフィー法により明らかにした(角野)。InAsP引き上げ結晶の成長欠陥の構造をシンクロトロン放射による白色ラウエ回折法を用いて明らかにした(橋爪)。混晶中の欠陥に基づく密度ゆらぎを側定するための赤外線トモグラフィー装置を作製しバルク結晶における欠陥の発生機構に関する知見を得た(小川)。InGaAs中の欠陥を陽電子消滅法で調べた(堂山)。
2)混晶中の原子配列と原子間結合に関する評価:混晶中に存在するクラスターの熱や応力に対する安定性に関する知見を得るためInAs/GaAs超格子について理論的、実験的検討を行った(河東田)。高圧下でのラマン散乱測定によりInGaPおよびInGaAsPにおけるフォノンモードの振舞いを明らかにした(箕村)。
3)点欠陥の電子状態をプローブとする混晶の評価:二元化合物および混晶中の点欠陥の静水圧下での過渡容量分光測定によって、欠陥の電子状態と欠陥のまわりの原子配列に関する知見を得た(柊元)。InGaPおよびInAsP中のCoの作る局在準位からの発光を捉えることにより混晶格子の局所的ゆらぎに関する情報の得られる事を示した(西野)。
4)混晶場中での欠陥準位間およびキヤリア・欠陥準位間の相互作用の評価:InGaAs/InPヘテロ構造における非線形光伝導現象を捉えバンドおよび局在準位に関する知見を得た(神谷)。
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