重い電子系の高圧・低温におけるフェルミ端電子構造の赤外分光研究
Publicly Offered Research
| Project Area | Emergence of Heavy Electrons and Their Ordering |
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| Project/Area Number |
21102512
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Kobe University |
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Principal Investigator |
岡村 英一 神戸大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00273756)
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| Project Period (FY) |
2009 – 2011
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2010)
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| Budget Amount *help |
¥7,020,000 (Direct Cost: ¥5,400,000、Indirect Cost: ¥1,620,000)
Fiscal Year 2010: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
Fiscal Year 2009: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
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| Keywords | 赤外分光 / 電子状態 / 高圧 / 重い電子系 / SPring-8 / 高圧力 / 電子構造 / 超伝導 |
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| Research Abstract |
重い電子物質で外部圧力によって誘起される量子臨界点(QCP)近傍の異常物性の起源解明のため、本研究では高圧、低温において重い電子物質の赤外分光を行い、得られた電荷励起スペクトルσ(ω)に基づいて圧力誘起QCP近傍の電子構造を調べことを目的とした。H22年度では、初年度(H21)からの継続実験として、圧力2.4GPa付近でQCPを示すCeRhIn_5、さらに圧力で重い電子系から半導体への変化を見せるCeRu_4Sb_<12>,さらに金属絶縁体(MI)転移を示すPrRu_4P_<12>を研究対象として選んだ。そしてσ(ω)に現れるフェルミ端近傍の電子構造が、f電子の局在・遍歴転移やMI転移などに伴いどのように変化するか詳しく調べた。その結果、CeRu_4Sb_<12>においては高圧での半導体への電子状態変化によりσ(ω)にエネルギーギャップが成長する様子を観測し、H23に論文出版することができた。またPrRu_4P_<12>は14GPaの高圧においてMI転移が抑制されることを見いだし、H23に予備結果を国際会議のProceedingsに発表し、本論文は現在(H24.4)本論文を投稿中である。さらにCeRhIn_5およびCeCoIn_5では、新奇物性の鍵を握るf電子と伝導電子の混成状態を反映する「赤外吸収ピーク」の顕著な成長とシフトを観測できた。このピークはCeRhIn_5においてQCPに対応する2GPa付近から急速な変化を見せるが、常圧で既に超伝導を示す参照物質CeCoIn_5では単調な変化しか見られない。現在さらにデータ解析中である。なおH22年度終了間際の日本物理学会(新潟大)での発表のために確保していた旅費は、この学会が東日本大震災で中止されたためH23年度に繰り越し、H23年9月に富山大学で開催された物理学会での発表に用いた。
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Report
(2 results)
Research Products
(29 results)
