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窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

総括班

研究領域窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
研究課題/領域番号 18069013
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関立命館大学

研究代表者

名西 やす之  立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)

研究分担者 吉川 明彦  千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)
天野 浩  名古屋大学, 理工学部, 教授 (60202694)
岸野 克巳  上智大学, 理工学部, 教授 (90134824)
川上 養一  京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
荒木 努  立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
船戸 充  京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
研究協力者 赤崎 勇  名城大学・名古屋大学, 教授・特別教授・名誉教授
佐々木 昭夫  京都大学・大阪電気通信大学, 名誉教授
高橋 清  東京工業大学・最高裁判所, 名誉教授・専門委員
西永 頌  豊橋技術科学大学・東京大学, 客員教授・名誉教授
研究期間 (年度) 2006 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
22,300千円 (直接経費: 22,300千円)
2011年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
2010年度: 4,300千円 (直接経費: 4,300千円)
2009年度: 4,300千円 (直接経費: 4,300千円)
2008年度: 4,300千円 (直接経費: 4,300千円)
2007年度: 4,300千円 (直接経費: 4,300千円)
2006年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
キーワード窒化物半導体 / 光デバイス / 結晶成長 / 半導体物性 / 紫外 / 赤外 / 発光デバイス / 窒化インジウム / 窒化アルミニウム / バンドギャップ
研究概要

研究成果とりまとめとして、最終成果報告のための公開シンポジウムを下記日程で開催した。
文部科学省 科学研究費補助金 特定領域研究 最終成果報告公開シンポジウム
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
日時:平成23年8月3日(水)~4日(木)(2日間)
場所:東京ガーデンパレス(東京都文京区)
参加者:150名
内容:研究代表者(計画研究、全公募研究を含む)に最終成果報告講演各研究課題研究担当者らによるポスターセッション
概要:まずはじめに、領域代表者 立命館大学 名西から、本特定領域全体の目的、構想、研究体制、主な研究成果に関するまとめの発表がなされた。その後、A03短波長デバイス基盤技術総括 名古屋大学 天野、A04長波長デバイス基盤技術総括 上智大学 岸野、A02物性評価総括 千葉大学 吉川、A01結晶成長技術総括 立命館大学 名西から順に各研究項目ごとに得られた成果の総括と各研究成果内容が報告された。その後、第1日目,2日目を通じて、各計画研究、公募研究代表者からの成果発表がなされた。また第1に目の午後には、各研究課題の研究担当者らによるポスタープレゼンテーションが行われ、参加者との活発な研究ディスカッションが繰り広げられた。

報告書

(8件)
  • 2011 実績報告書
  • 2010 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2009 実績報告書
  • 2008 実績報告書   自己評価報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (70件)

すべて 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (13件) (うち査読あり 13件) 学会発表 (52件) 備考 (5件)

  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939 ページ: 793904-793904

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000070345

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      巻: 207 ページ: 1356-1360

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)

      ページ: 92-95

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alues, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 2

      ページ: 51001-51001

    • NAID

      10025085943

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of novel monolayer InN quantum wells in a GaN matrix2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yoshikawa, S.B. Che, N. Hashimoto, H. Saito, Y. Ishitani, X.Q. Wang
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1551-1559

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices2008

    • 著者名/発表者名
      H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum 590

      ページ: 175-210

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Selective-area growth of GaN nanocolumns on titanium-mask-patterned silicon (111) substrates by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kishino, T. Hoshino, S. Ishizawa, A. Kikuchi
    • 雑誌名

      Electron. Lett. 44

      ページ: 819-821

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 1

    • NAID

      10024292227

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2011

    • 著者名/発表者名
      森本健太、三木彰、山口智弘、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Granada Spain
    • 年月日
      2011-03-17
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA USA
    • 年月日
      2011-01-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Nano-Photonics2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd GIST Information and Mechatronics Week 2010
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-12-02
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、Euijoon Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学伊都キャンパス福岡県福岡市
    • 年月日
      2010-11-27
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] MBE法を用いたA面GaNテンプレート上A面InN選択成長2010

    • 著者名/発表者名
      山下修平、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成22年 電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      立命館大学キャンパス滋賀県草津市
    • 年月日
      2010-11-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター大阪府大阪市
    • 年月日
      2010-11-11
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Recent Research Activities in Japan toward Nitride Semiconductor Opto-electronics Frontier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Korea Optoelectronic Engineering Society
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-10-08
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Coference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo Univ, Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, L.Aruzs, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Mg doped InN and search for holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-21
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本努、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Growth and Characterization of InN-Related Materials2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Rainbow Second Training Workshop
    • 発表場所
      Madrid Spain
    • 年月日
      2010-08-31
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
    • 発表場所
      Berlin Germany
    • 年月日
      2010-08-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
    • 学会等名
      The second LED domestic conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-08-25
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-08-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
    • 発表場所
      Uppsala Sweden
    • 年月日
      2010-07-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Forty years research toward compound semiconductor frontiers-Tributary road from GaAs to InN through GaN-2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Growth, Monitoring, P-type doping and MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      The international worskshop on modern and advanced phenomena in wurtzite semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-25
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Tuscany Italy
    • 年月日
      2010-06-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg France
    • 年月日
      2010-06-10
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      Albany, New York USA
    • 年月日
      2010-05-27
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo Poland
    • 年月日
      2010-05-25
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-05-18
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Japan-Korea Joint Symposium2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Symposium
    • 発表場所
      Daejeon Korea
    • 年月日
      2010-04-21
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物光半導体フロンティア領域開拓の現状2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      LED総合フォーラム
    • 発表場所
      阿波銀ホール 徳島県徳島市
    • 年月日
      2010-04-17
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      PLCN10
    • 発表場所
      Cuernavaca Mexico
    • 年月日
      2010-04-12
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 文部科学省 科研費 特定領域研究 窒化物光半導体のフロンティア 企画「紫外発光素子の進展」2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、吉田治正、川上養一、平松和政、船戸充、川西英雄、平山秀樹、天野浩
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-2008

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      特定領域研究公開シンポジウム「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      学士会館(東京都)
    • 年月日
      2008-08-01
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-2007

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、藤岡洋、纐纈明伯、吉川明彦、川上養一、上殿明良、天野浩、平山秀樹、岸野克巳
    • 学会等名
      2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [備考] 研究成果公表の手段として、ホームページを開設し、領域の概要、研究項目、組織、研究会情報などを公開している

    • URL

      http://www.bkc.ritsumei.ac.jp/~tara/tokutei/index.htm

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.ritsumei.ac.jp/~tara/tokutei/index.htm

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考] 研究成果公表の手段として、ホームページを開設し、領域の概要、研究項目、組織、研究会情報などを公開している。

    • URL

      http://www.bkc.ritsumei.ac.jp/~tara/tokutei/index.htm

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.ritsumei.ac.jp/~tara/tokutei/index.htm

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.ritsumei.ac.jp/~tara/tokutei/index.htm

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書

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公開日: 2006-04-01   更新日: 2018-03-28  

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