非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製

• 研究領域: 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
• 研究課題/領域番号: 16H06414
• 研究種目: 新学術領域研究(研究領域提案型)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 藤岡 洋 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (50282570)
• 研究分担者: 徳本 有紀 東京大学, 生産技術研究所, 講師 (20546866)
• 研究期間 (年度): 2016-06-30 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2020年度)
• 配分額: 129,740千円 (直接経費: 99,800千円、間接経費: 29,940千円); 2020年度: 21,710千円 (直接経費: 16,700千円、間接経費: 5,010千円); 2019年度: 20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円); 2018年度: 38,480千円 (直接経費: 29,600千円、間接経費: 8,880千円); 2017年度: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2016年度: 30,290千円 (直接経費: 23,300千円、間接経費: 6,990千円)
• キーワード: 特異構造 / 結晶工学 / 窒化物半導体 / 結晶成長 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 格子欠陥 / 先端機能デバイス

研究成果の概要

パルス励起堆積法と呼ばれる非平衡下での結晶成長の新手法を用いて、高い励起(非平衡)状態にある原料供給の時間ドメイン制御を行うと窒化物半導体薄膜内への高濃度特異構造（点欠陥）の導入が可能となること実証した。具体的には、従来の熱平衡に近い結晶成長手法に比べると、窒化物半導体薄膜内にSiやGe, Mgといった不純物を再現性よく高い濃度まで導入が可能であることが分かった。さらに高濃度特異構造窒化物結晶の機能を活用することで、新規性の高い縦型p型GaNショットキーバリアダイオード素子やマイクロLEDの集積化を実現した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究は、窒化物半導体薄膜内への熱力学的平衡状態を超えた高濃度特異点導入（点欠陥）を可能とするプラズマ変調技術を開発し、非平衡化学反応を積極的に結晶成長学に展開した点で学術的意義が大きい。この点欠陥導入時には、プラズマ中の高エネルギー粒子の照射による欠陥準位の疑フェルミレベルのコントロールが可能であることが示唆され、結晶成長技術に新しい展開が開かれたといえる。さらに高濃度特異構造窒化物結晶の機能を半導体パワーデバイスやマイクロLEDディスプレイ技術へと展開することで、産業応用上価値の高い成果を得たと考えられる。

研究成果

• [雑誌論文] Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics (2021)
  • 著者名/発表者名: Ueno Kohei、Shibahara Keita、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 118 号: 2 ページ: 022102-022102
  • DOI: 10.1063/5.0036093
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes (2021)
  • 著者名/発表者名: Fudetani Taiga、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 118 号: 7 ページ: 072101-072101
  • DOI: 10.1063/5.0040500
  • 査読あり
• [雑誌論文] Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering (2020)
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 6 ページ: 061006-061006
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab916e
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces (2020)
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 117 号: 23 ページ: 231601-231601
  • DOI: 10.1063/5.0031604
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of InN ultrathin films on AlN for the application to field-effect transistors (2020)
  • 著者名/発表者名: Jeong Dayeon, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: AIP Advances 巻: 10 号: 12 ページ: 125221-125221
  • DOI: 10.1063/5.0035203
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN (2020)
  • 著者名/発表者名: Ma Bei、Tang Mingchuan、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Morita Ken、Fujioka Hiroshi、Ishitani Yoshihiro
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 117 号: 19 ページ: 192103-192103
  • DOI: 10.1063/5.0023112
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlN/InAlN thin-film transistors fabricated on glass substrates at room temperature (2019)
  • 著者名/発表者名: Kyohei Nakamura、Atsushi Kobayashi、Kohei Ueno、Jitsuo Ohta、Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 9 号: 1 ページ: 6254-6254
  • DOI: 10.1038/s41598-019-42822-6
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Characteristics of unintentionally doped and lightly Si-doped GaN prepared via pulsed sputtering (2019)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: AIP Advances 巻: 9 号: 7 ページ: 075123-075123
  • DOI: 10.1063/1.5103185
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers (2019)
  • 著者名/発表者名: Masumi Sakamoto、Atsushi Kobayashi、Yoshino K. Fukai、Kohei Ueno、Yuki Tokumoto、Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 126 号: 7 ページ: 075701-075701
  • DOI: 10.1063/1.5117307
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical characteristics of highly conductive n-type GaN prepared by pulsed sputtering deposition (2019)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno、Taiga Fudetani、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 9 号: 1 ページ: 20242-20242
  • DOI: 10.1038/s41598-019-56306-0
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Wide range doping controllability of p-type GaN films prepared via pulsed sputtering (2019)
  • 著者名/発表者名: Fudetani Taiga、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 114 号: 3 ページ: 032102-032102
  • DOI: 10.1063/1.5079673
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of Si-doped AlN on sapphire (0001) via pulsed sputtering (2018)
  • 著者名/発表者名: Sakurai Yuya、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Ohta Jitsuo、Miyake Hideto、Fujioka Hiroshi
  • 雑誌名: APL Materials 巻: 6 号: 11 ページ: 111103-111103
  • DOI: 10.1063/1.5051555
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] パルススパッタ堆積法によるサファイア基板上N極性面InGaN LEDの作製 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、岸川英司、太田実雄、藤岡洋
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 巻: 45 号: 1 ページ: n/a
  • DOI: 10.19009/jjacg.3-45-1-02
  • NAID: 130006727549
  • ISSN: 0385-6275, 2187-8366
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of full-color GaN-based light-emitting diodes on nearly lattice-matched flexible metal foils (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Kim, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, M. Morita, Y. Tokumoto, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 7 号: 1 ページ: 2112-2112
  • DOI: 10.1038/s41598-017-02431-7
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Characterization of GaN films grown on hafnium foils by pulsed sputtering deposition (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Kim, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Physica Status Solidi A 巻: 214 号: 10 ページ: 1700244-1700244
  • DOI: 10.1002/pssa.201700244
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial growth of semipolar InAlN films on yttria-stabilized zirconia (2017)
  • 著者名/発表者名: Masaaki Oseki, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: 254 号: 10 ページ: 1700211-1700211
  • DOI: 10.1002/pssb.201700211
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial Growth of Thick Polar and Semipolar InN Films on Yttria‐Stabilized Zirconia Using Pulsed Sputtering Deposition (2017)
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Masaaki Oseki, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: 255 号: 3 ページ: 1700320-1700320
  • DOI: 10.1002/pssb.201700320
  • 査読あり
• [雑誌論文] Highly conductive Ge-doped GaN epitaxial layers prepared by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 10 ページ: 101002-101002
  • DOI: 10.7567/apex.10.101002
  • NAID: 210000135984
  • 査読あり
• [雑誌論文] Pulsed sputtering epitaxial growth of m-plane InGaN lattice-matched to ZnO (2017)
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 7 号: 1 ページ: 12820-12820
  • DOI: 10.1038/s41598-017-12518-w
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Electron transport properties of degenerate n-type GaN prepared by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Taiga Fudetani, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: APL Materials 巻: 5 号: 12 ページ: 126102-126102
  • DOI: 10.1063/1.5008913
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Electrical properties of Si-doped GaN prepared using pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Yasuaki Arakawa, Kohei Ueno, Hideyuki Imabeppu, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 110 号: 4 ページ: 042103-042103
  • DOI: 10.1063/1.4975056
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Low-temperature pulsed sputtering growth of InGaN multiple quantum wells for photovoltaic devices (2017)
  • 著者名/発表者名: Yasuaki Arakawa, Kohei Ueno, Hidenari Noguchi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 3 ページ: 031002-031002
  • DOI: 10.7567/jjap.56.031002
  • NAID: 210000147457
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] N-polar InGaN-based LEDs fabricated on sapphire via pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Eiji Kishikawa, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 雑誌名: APL Materials 巻: 5 号: 2 ページ: 026102-026102
  • DOI: 10.1063/1.4975617
  • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
• [学会発表] Control of point defects in nitride semiconductors (2021)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atushi Kobayashi
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
  • 国際学会
• [学会発表] Epitaxial growth of NbN superconductors on AlN by sputtering (2021)
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
  • 国際学会
• [学会発表] Superconducting NbN/AlN Nanostructures Prepared by Sputtering (2021)
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Sciense
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] PSD法を用いたマイクロLEDディスプレイ実現に向けた取り組み (2021)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、上野耕平、小林篤
  • 学会等名: 日本金属学会 2021年春期 第168回講演大会
  • 招待講演
• [学会発表] 非平衡状態を利用した窒化物結晶の合成と応用 (2021)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、上野耕平、小林篤
  • 学会等名: 第68回 応用物理学会 春季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] AlN原子ステップを利用したNbNナノ構造の自己組織化 (2021)
  • 著者名/発表者名: 小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第68回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用 (2021)
  • 著者名/発表者名: 前田亮太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第68回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] トンネル接合を用いたモノリシック多色 LED の作製と評価 (2021)
  • 著者名/発表者名: 森川創一朗、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第68回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] 縦型p型GaN SBD構造を用いたショットキー障壁高さの評価 (2021)
  • 著者名/発表者名: 青山航平、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第68回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] 表面処理を施したAlN上に成長させたNbNの結晶方位解析 (2021)
  • 著者名/発表者名: 紀平俊矢、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第68回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] パルススパッタ堆積法によるAlN/AlGaNヘテロ構造の作製と評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 前田亮太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第12回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] AlGaN系透明結晶の欠陥と電気特性の制御 (2020)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、上野耕平、小林篤
  • 学会等名: 第81回 応用物理学会秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] AlN上にコヒーレント成長したNbN極薄膜の超電導特性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第81回 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 低濃度p型GaN縦型ショットキーバリアダイオード構造の作製と評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第81回 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors (2020)
  • 著者名/発表者名: ジョン・ダヨン、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第81回 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法による窒化物半導体への不純 物添加制御とデバイス応用 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
  • 学会等名: 第49回 結晶成長国内会議（JCCG-49)
• [学会発表] スパッタ法によるGaNへの不純物添加と素子応用 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、森川創一朗、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第67回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法によるAIN上へのNbN極薄膜エピタキシャル成長 (2020)
  • 著者名/発表者名: 小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第67回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] 縦型p型GaNSBDを用いたショットキー障壁高さの評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第67回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] トンネル接合を用いた低濃度p型GaN縦型SBD構造の作製 (2020)
  • 著者名/発表者名: 柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第67回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] Field-effect transistors of ultrathin InN grown on AlN (2020)
  • 著者名/発表者名: Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 第67回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] マイクロLEDディスプレイ実現に向けた取り組み (2020)
  • 著者名/発表者名: 藤岡 洋
  • 学会等名: 日本金属学会2020年春期第166回講演大会
  • 招待講演
• [学会発表] Characteristics of GaN Tunnel Junction Contacts for LEDs Prepared by Pulsed Sputtering (2019)
  • 著者名/発表者名: Taiga Fudetani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Structural and Electrical Properties of AlN Films Prepared on Sapphire Substrates with Sputtering Technique (2019)
  • 著者名/発表者名: Yuya Sakurai, Kohei Ueno, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Preparation of nitride materials for micro LED displays (2019)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM 8)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Sputtering of III-Nitrides and Device Performance of Sputtered Material (2019)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Preparation of High-Quality Nitride films and Devices with Pulsed Sputtering (2019)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 2nd International Conference on Radiation and Emission in Materials (ICREM-2019)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Preparation of III-Nitrides with Sputtering for Micro LED Applications (2019)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 20th International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD2019)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] スパッタリングによるフレキシブルマイクロLEDディスプレイの可能性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋
  • 学会等名: OPIE2019 マイクロLEDセミナー
  • 招待講演
• [学会発表] 非平衡条件下での窒化物成長とその素子応用 (2019)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] ガラス基板上に形成した窒化物結晶成長用配向制御層の評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 中野はるか、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] Basic characteristics of ultra-thin InN grown on AlN (2019)
  • 著者名/発表者名: Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] スパッタリング法によるGaN p-n+接合タイオードの作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] GaNの薄膜低温結晶成長技術とデバイス応用 (2019)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋
  • 学会等名: 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第47回 薄膜・表面物理セミナー
  • 招待講演
• [学会発表] 高濃度Si添加半極性面GaN(2021)薄膜の作製と評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 森川 創一朗、上野 耕平、小林 篤、藤岡 洋
  • 学会等名: 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] Basic characteristics of ultrathin InN layers prepared by sputtering on various AlN templates (2019)
  • 著者名/発表者名: Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] トンネル接合コンタクトを用いた半極性面（20-21）緑色LEDの作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、森川創一朗、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] Ⅳ族結晶配向層を用いたガラス基板上への窒化物半導体成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 小林篤、中野はるか、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] 非平衡性制御による結晶成長の可能性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、上野耕平、小林篤
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第48回 結晶成長国内会議（JCCG-48）
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタエピによる半極性面緑色 InGaN LED上へのトンネル接合コンタクトの形成 (2019)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、森川創一朗、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第48回 結晶成長国内会議（JCCG-48）
• [学会発表] 窒化物成長用結晶配向層としてのグラフェンおよびGeの評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 中野はるか、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第48回 結晶成長国内会議（JCCG-48）
• [学会発表] Basic properties of GaN grown by pulsed sputtering (2019)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: SPIE. Photonics West OPTO 2019
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Sputtering epitaxial growth of nitrides and its application to optical and electron devices (2019)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: SPIE. Photonics West OPTO 2019
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における酸化膜の電気的評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 清藤泰旦、牧繪哲男、藤岡洋、前田就彦
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] Characteristics of ultra-thin InN films grown on AlN (2019)
  • 著者名/発表者名: Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] AlN系バッファー層上に成長した多結晶InNの特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 坂本真澄, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] スパッタリング法により形成したp型GaN薄膜の深い準位の評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 柴原啓太, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] スパッタリング法により形成したGaNトンネル接合コンタクトの評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 筆谷大河, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 櫻井悠也, 上野耕平, 小林篤, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 藤岡洋
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] 高濃度SiドープGaNの深さ方向結晶性の赤外およびラマン分光評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 湯明川, 馬ベイ, 森田健, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博
  • 学会等名: 第66回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] Sputtering Epitaxial Growth of III Nitrides and Its Device Applications (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week (CSW 2018)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Feasibility of Future GaN Large Area Light Emitting Devices (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atsushi Kobayashi
  • 学会等名: 14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018) -8th Forum on New Materials-
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] フレキシブルマイクロLEDの可能性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋
  • 学会等名: 日本表面真空学会 機能薄膜部会 ナノ構造機能創成専門部会 第9回研究会
  • 招待講演
• [学会発表] Feasibility of Low Cost Micro LEDs Prepared by Pulsed Sputtering (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atsushi Kobayashi
  • 学会等名: The 18th International Meeting on Information Display (iMiD 2018)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 窒化物半導体特異構造の科学 ～窒化物プロセス技術の新展開～ AlGaN系窒化物スパッタエピプロセスの開発 (2018)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、櫻井悠也、上野耕平、小林篤
  • 学会等名: 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] Materials Science and Advanced Electronics Created in Singularity Project (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 金属フォイル上フレキシブルμLEDディスプレーの可能性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋
  • 学会等名: 高分子学会 フォトニクスポリマー研究会
  • 招待講演
• [学会発表] Preparation of GaN for micro-LED displays (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Conference on Radiation and Emission in Materials (ICREM-2018)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Sputtering Epitaxial Growth of Nitride Materials for UV Applications (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Fujioka, T. Fudetani, K. Ueno, and A. Kobayashi
  • 学会等名: International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-2018)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Feasibility of Nitride Micro-LEDs Prepared by Sputtering (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Fujioka, K. Ueno, and A. Kobayashi
  • 学会等名: THE 25TH INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS (IDW ’18)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Structural and Electrical Properties of AlN and AlGaN Prepared by Pulsed Sputtering (2018)
  • 著者名/発表者名: Yuya Sakurai, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hideto Miyake, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
  • 国際学会
• [学会発表] Improvement of electron mobility of polycrystalline InN on glass substrates by AlN buffer layers (2018)
  • 著者名/発表者名: Masumi Sakamoto, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
  • 国際学会
• [学会発表] Characteristics of highly conductive p-type GaN films prepared by pulsed sputtering (2018)
  • 著者名/発表者名: Taiga Fudetani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
  • 国際学会
• [学会発表] パルススパッタ堆積法による高電子移動度n型GaN薄膜の成長と評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] PSD成長した高濃度不純物添加GaNのトンネル接合への応用 (2018)
  • 著者名/発表者名: 筆谷大河、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] PSD法により形成したGaN薄膜の深い準位の評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法の提案 (2018)
  • 著者名/発表者名: 清藤泰旦、牧繪哲男、藤岡洋、前田就彦
  • 学会等名: 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] ガラス基板上に成長させたc軸配向InN薄膜の電気特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 坂本真澄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] PSD法による高電子移動度n型GaN薄膜成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第47回 結晶成長国内会議（JCCG-47）
• [学会発表] 欠陥擬フェルミレベル制御による低補償窒化物成長の可能性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、上野耕平、小林篤
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第47回 結晶成長国内会議（JCCG-47）
• [学会発表] Tunneling contacts for LEDs with heavily Si doped GaN prepared by pulsed sputtering (2018)
  • 著者名/発表者名: Taiga Fudetani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
  • 国際学会
• [学会発表] High electron mobility n-type GaN grown by pulsed sputtering and its application to electron devices (2018)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Hideyuki Imabeppu, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
  • 国際学会
• [学会発表] バッファー層挿入によるガラス基板上多結晶 InN の電気特性の改善 (2018)
  • 著者名/発表者名: 坂本真澄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] パルススパッタ堆積法により作製した AlN 及び AlGaN の特性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 櫻井悠也、上野耕平、小林篤、三宅秀人、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] PSD 法を用いた高濃度 p 型ドープ GaN 薄膜の物性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 筆谷大河、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 高移動度薄膜トランジスタ作製に向けた非晶質基板上へのInN結晶成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 小林篤、坂本真澄、中村享平、ライ・ケーシン、伊藤剛輝、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第１６２委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
• [学会発表] PSD法による高濃度n型ドープ窒化物半導体結晶成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、筆谷大河、櫻井悠也、荒川靖章、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第１６２委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
• [学会発表] Proposal of GaN oxide-formed two-step wet etching process (2018)
  • 著者名/発表者名: Yasuharu Kiyoto, Tetsuo Makie, Hiroshi Fujioka, and Narihiko Maeda
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
  • 国際学会
• [学会発表] InN transistors prepared on glass substrates with AlN buffer layers (2018)
  • 著者名/発表者名: Masumi Sakamoto, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
  • 国際学会
• [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造上Ti/Al/Ti/Auオーミック電極の高温接触抵抗評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 牧繪哲男、渡辺雄太朗、藤岡洋、前田就彦
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] ペロブスカイト型遷移金属酸化物ヘテロ界面における電荷移動のメカニズム (2018)
  • 著者名/発表者名: 北村未歩、小林正起、簔原誠人、坂井延寿、藤岡洋、堀場弘司、組頭広志
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] YSZ基板上InGaNおよびInAlN薄膜の成長とMISFET応用 (2018)
  • 著者名/発表者名: 中村享平、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] パルススパッタ堆積法によるGaN pn接合ダイオードの作製 (2018)
  • 著者名/発表者名: 今別府秀行、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] パルススパッタ堆積法による高Al組成AlGaN薄膜成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 櫻井悠也、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] PSD法により形成した高濃度n型ドープGaN薄膜の特性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] PSD 成長した Mg ドープ GaN 薄膜の特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 筆谷大河、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] 合成石英ガラス上に成長したInNの配向制御 (2018)
  • 著者名/発表者名: 坂本真澄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第65回 応用物理学会 春季学術講演会
• [学会発表] Nitride Based Devices Prepared on Large Area Substrates (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: Electrical Engineering Seminar
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] GaN devices prepared on large area substrates (2018)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atsushi Kobayashi
  • 学会等名: EMN Angkor Meeting 2018
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Room-temperature preparation of InGaN for thin-film transistors (2018)
  • 著者名/発表者名: Kyohei Nakamura, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Jitsuo Ohta, Yuki Tokumoto, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: SPIE. Photonics West OPTO 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Characteristics of n-type GaN prepared by PSD (2018)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: SPIE. Photonics West OPTO 2018
  • 国際学会
• [学会発表] YSZ基板上へのInN系窒化物半導体の結晶成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 小林篤、中村享平、上野耕平、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
• [学会発表] PSD法による高濃度n型ドープGaNの開発と応用 (2017)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、荒川靖章、筆谷大河、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
• [学会発表] パルススパッタ堆積法によるSiドープAlN薄膜成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 櫻井悠也、上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
• [学会発表] PSD法によるn型GaNショットキーダイオードの作製 (2017)
  • 著者名/発表者名: 今別府秀行、上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] 不純物添加GaNの位置選択エピ成長技術の開発 (2017)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、今別府秀行、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] チャネル層にInAlNを用いた薄膜トランジスタの作製 (2017)
  • 著者名/発表者名: 中村享平、小林篤、上野耕平、太田実雄、徳本有紀、藤岡洋
  • 学会等名: 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] 転写フリーグラフェンバッファ層を用いた非晶質基板上へのGaN薄膜成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 小林広師、太田実雄、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会
• [学会発表] ガラス基板上に室温成長させたInGaNの特性と薄膜トランジスタ応用 (2017)
  • 著者名/発表者名: 中村享平、小林篤、上野耕平、太田実雄、徳本有紀、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] PSD法によるn型GaNショットキーダイオードの物性評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 今別府秀行、上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 非晶質基板上への結晶性グラフェン膜の直接形成とGaN薄膜成長用バッファ層への応用 (2017)
  • 著者名/発表者名: 小林広師、太田実雄、上野耕平、小林篤、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 低温パルススパッタ法を用いた窒化物系新規ヘテロ構造の作製 (2017)
  • 著者名/発表者名: 太田実雄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 日本結晶成長学会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] Recent Progress in PVD Preparation of GaN (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Fujioka, K. Ueno, and A. Kobayashi
  • 学会等名: The XIX International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Development of Si-doping techniqeu for AlN by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Sakurai, K. Ueno, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
  • 学会等名: The International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] Characteristics of GaN films prepared by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Fujioka, K. Ueno, A. Kobayashi, and J. Ohta
  • 学会等名: The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2017)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] PSD growth of nitride materials on bulk GaN (2017)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Jitsuo Ohta
  • 学会等名: 10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Highly conductive n-type GaN with high electron mobility prepared by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)
  • 国際学会
• [学会発表] Integration of III Nitrides with Foreign Substrates by Pulsed Sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Jitsuo Ohta
  • 学会等名: 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Fabrication of GaN-based LEDs by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: The Energy and Materials Research Conference (EMR 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] Recent progress on growth of GaN by pulsed sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2017)
  • 発表場所: Safety Harbor, USA
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] PSD法による高濃度高移動度n型GaNの開発 (2017)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、荒川靖章、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第64回 応用物理学会 春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川
• [学会発表] 室温成長 InGaN をチャネル層とした薄膜トランジスタの作製 (2017)
  • 著者名/発表者名: 中村 享平、小林 篤、伊藤 剛輝、ライ・ ケーシン、森田 眞理、上野 耕平、太田 実雄、徳本 有紀、藤岡 洋
  • 学会等名: 第64回 応用物理学会 春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜、神奈川
• [学会発表] Basic characteristics of GaN prepared by pulsed sputtering deposition (2017)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: SPIE Photonics West OPTO 2017
  • 発表場所: The Moscone Center, San Francisco, USA
  • 国際学会
• [学会発表] 非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製 (2016)
  • 著者名/発表者名: 藤岡洋、上野耕平、小林篤、太田実雄
  • 学会等名: 第77回 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ, 新潟
  • 招待講演
• [学会発表] Challenge of GaN Substrates for Power Devices (2016)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP-2016)
  • 発表場所: Fleurlis Hotel, Taiwan
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] PSD法によるGaNへのn型ドーピング技術の開発 (2016)
  • 著者名/発表者名: 上野耕平、荒川靖章、今別府秀行、小林篤、太田実雄、藤岡洋
  • 学会等名: 第77回 応用物理学会 秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟
• [学会発表] ハフニウム上に作製したGaN薄膜の特性評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 金惠蓮、太田実雄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
  • 学会等名: 第77回 応用物理学会 秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ、新潟
• [学会発表] High Hole Mobility p-Type GaN with Extremely Low Residual Hydrogen Concentration Prepared by Pulsed Sputtering (2016)
  • 著者名/発表者名: Kohei Ueno, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
  • 発表場所: Hilton Orland Lake Buena Vista, Florida, USA
  • 国際学会