平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製

• 研究領域: 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
• 研究課題/領域番号: 16H06415
• 研究種目: 新学術領域研究(研究領域提案型)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 三重大学
• 研究代表者: 三宅 秀人 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 教授 (70209881)
• 研究分担者: 宮川 鈴衣奈 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10635197) ; 荒木 努 立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)
• 研究期間 (年度): 2016-06-30 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2020年度)
• 配分額: 109,720千円 (直接経費: 84,400千円、間接経費: 25,320千円); 2020年度: 17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円); 2019年度: 17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円); 2018年度: 28,860千円 (直接経費: 22,200千円、間接経費: 6,660千円); 2017年度: 37,570千円 (直接経費: 28,900千円、間接経費: 8,670千円); 2016年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
• キーワード: 窒化物半導体 / 高温アニール / 窒化アルミニウム / AlN / AlGaN / 深紫外LED / 高速トランジスタ / 原子間力顕微鏡 / 選択成長 / ナノ構造 / MOVPE / MBE / 光誘起加工 / スパッタ法 / DUV-LED / 貫通転位 / 界面制御 / 選択横方向成長 / ＡｌＧａＮ / 熱処理 / MOVPE法 / アニール / Face-to-Face / ヘテロ接合 / ヘテロ成長 / 分子線エピタキシー / フェムト秒レーザー / ファセット

研究成果の概要

特異構造の結晶成長，結晶制御を実験的視点と理論的視点から深化する科学と，その応用としてエレクトロニクス展開を目指している研究を行った。
2次元特異構造としての高品質なAlN膜をサファイア基板上で作製する技術は極めて重要であるが、サファイア基板上のAlN膜には高密度の貫通転位が存在する。スパッタ法AlNに高温アニールを用いることで、AlNの結晶性が大幅に改善できること見出し、そのメカニズムを明らかにした。また、スパッタ・アニールを行ったAlNテンプレートを用いて、深紫外LEDや高速電子移動度トランジスタの作製を行い、高品質AlNテンプレートの有用性を示した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

近年，波長230-350 nmの深紫外発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)は殺菌・浄水，医療分野，高密度光記録用光源として注目されている．高効率なデバイスの実現には、サファイアを基板に用いたAlNテンプレートの高品質化が非常に重要である．窒化物半導体の特異構造として、格子ミスマッチの大きい系における界面層制御に注目し、高温熱処理により超高品質のAlN層が得られることを明らかにした。

研究成果

• [国際共同研究] Otto von Guericke University, Magdeburg(ドイツ)
• [国際共同研究] Peking University(中国)
• [国際共同研究] FBH, Berlin/TU Berlin(ドイツ)
• [国際共同研究] Peking University(中国)
• [雑誌論文] High-quality AlN/sapphire templates prepared by thermal cycle annealing for high-performance ultraviolet light‐emitting diodes (2021)
  • 著者名/発表者名: D Wang, K Uesugi, S Xiao, K Norimatsu, H Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 14 号: 3 ページ: 035505-035505
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abe522
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells (2020)
  • 著者名/発表者名: Bowen Sheng, Gordon Schmidt, Frank Bertram, Peter Veit, Yixin Wang, Tao Wang, Xin Rong, Zhaoying Chen, Ping Wang, Jurgen Blasing, Hideto Miyake, Hongwei Li, Shiping Guo, Zhixin Qin, Andre Strittmatter, Bo Shen, Jurgen Christen, Xinqiang Wang
  • 雑誌名: Photonics Research 巻: 8 号: 4 ページ: 610-615
  • DOI: 10.1364/prj.384508
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation (2020)
  • 著者名/発表者名: D. Uehara, M. Kikuchi, B. Ma, H. Miyake, Y. Ishitani
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 6 ページ: 061003-061003
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab8c1c
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasr diodes with p-type AlGaN cladding layer using polarization doping (2020)
  • 著者名/発表者名: T. Omori, S. Ishizuka, S. Tanaka, S. Yasue, K. Sato, Y. Ogino, S. Teramura, K. Yamada, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 7 ページ: 071008-071008
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab9e4a
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Photoluminescence efficiency of Al-rich AlGaN heterostructures in a wide range of photoexcitation densities over temperatures up to 550 K (2020)
  • 著者名/発表者名: S. Miasojedovas, P. Scajev, K. Jarasiunas, B. Gil, H. Miyake
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 102 号: 3 ページ: 035201-035201
  • DOI: 10.1103/physrevb.102.035201
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] High Crystallinity and Highly Relaxed Al0.60Ga0.40N Films Using Growth Mode Control Fabricated on a Sputtered AlN Template with High‐Temperature Annealing (2020)
  • 著者名/発表者名: S. Teramura, Y. Kawase, Y. Sakuragi, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 217 号: 14 ページ: 1900868-1900868
  • DOI: 10.1002/pssa.201900868
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Low dislocation density AlN on sapphire prepared by double sputtering and annealing (2020)
  • 著者名/発表者名: D. Wang, K. Uesugi, S. Xiao, K. Norimatsu, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 9 ページ: 095501-095501
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ababec
• [雑誌論文] Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams (2020)
  • 著者名/発表者名: Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 128 号: 8 ページ: 085704-085704
  • DOI: 10.1063/5.0015225
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer (2020)
  • 著者名/発表者名: S. Kuboya, K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Tezen, N. Norimatsu, and H. Miyake
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 巻: 545 ページ: 125722-125722
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125722
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure (2020)
  • 著者名/発表者名: I Abid, R Kabouche, F Medjdoub, S Besendorfer, E Meissner, J Derluyn, S Degroote, M Germain, H Miyake
  • 雑誌名: 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 巻: - ページ: 310-312
  • DOI: 10.1109/ispsd46842.2020.9170170
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] High‐Quality AlN Template Prepared by Face‐to‐Face Annealing of Sputtered AlN on Sapphire (2020)
  • 著者名/発表者名: Kanako Shojiki , Kenjiro Uesugi , Shigeyuki Kuboya , Takafumi Inamori , Shin Kawabata , Hideto Miyake
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 2020 号: 2 ページ: 2000352-2000352
  • DOI: 10.1002/pssb.202000352
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] AlN nanostructures and flat, void-less AlN templates formed by hydride vapor phase epitaxy on patterned sapphire substrates (2020)
  • 著者名/発表者名: H. Fujikura, T. Konno, T. Kimura, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 2 ページ: 025506-025506
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab65a0
  • NAID: 210000157939
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of dislocation-induced spiral hillocks in MOVPE-grown AlGaN on face-to-face annealed sputter-deposited AlN template (2020)
  • 著者名/発表者名: Uesugi Kenjiro、Shojiki Kanako、Tezen Yuta、Hayashi Yusuke、Miyake Hideto
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 116 号: 6 ページ: 062101-062101
  • DOI: 10.1063/1.5141825
  • 査読あり
• [雑誌論文] MOVPE growth of AlN films on nano-patterned sapphire substrates with annealed sputtered AlN (2020)
  • 著者名/発表者名: Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 532 ページ: 125397-125397
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125397
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 3 ページ: 031004-031004
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab7711
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of dislocation density on optical gain and internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasers (2020)
  • 著者名/発表者名: S. Tanaka, Y. Kawase, S. Teramura, S. Iwayama, K. Sato, S. Yasue, T. Omori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 4 ページ: 045504-045504
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab7caf
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantitative evaluation of strain relaxation in annealed sputter-deposited AlN film (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Tanaka, K. Shojiki, K. Uesugi, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 512 ページ: 16-19
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preparation of high-quality thick AlN layer on nanopatterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SC1003-SC1003
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0ad4
  • NAID: 210000155762
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep Ultraviolet Light Source from Ultrathin GaN/AlN MQW Structures with Output Power Over 2 Watt (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Wang, X. Rong, S. Ivanov, V. Jmerik, Z. Chen, H. Wang, T. Wang, P. Wang, P. Jin, Y. Chen, V. Kozlovsky, D. Sviridov, M. Zverev, E. Zhdanova, N. Gamov, V. Studenov, H. Miyake, H. Li, S. Guo, X. Yang, F. Xu, T. Yu, Z. Qin, W. Ge, B. Shen, X. Wang
  • 雑誌名: Advanced Optical Materials 巻: 7 号: 10 ページ: 1801763-1801763
  • DOI: 10.1002/adom.201801763
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved emission intensity of UVC-LEDs from using strain relaxation layer on sputter-annealed AlN (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, X. Liu, K. Uesugi, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SCCC07-SCCC07
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab07a1
  • NAID: 210000155885
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking in sputter-deposited AlN templates annealed at high temperatures (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 12 号: 6 ページ: 065501-065501
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab1ab8
  • NAID: 210000155786
  • 査読あり
• [雑誌論文] Local and anisotropic strain in AlN film on sapphire observed by Raman scattering spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, Y. Hayashi, K. Uesugi, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SCCB17-SCCB17
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d07
  • NAID: 210000155954
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural analysis of polarity inversion boundary in sputtered AlN films annealed under high temperatures (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyma, M. Uchino, K. Nakamura, T. Ito, S. Xiao, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SCCB30-SCCB30
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d01
  • NAID: 210000156121
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ultraviolet-B band lasers fabricated on highly relaxed thick Al0. 55Ga0. 45N films grown on various types of AlN wafers (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawase, S. Ikeda, Y. Sakuragi, S. Yasue, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SC1052-SC1052
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d04
  • 査読あり
• [雑誌論文] Statistics of excitonic energy states based on phononic-excitonic-radiative model (2019)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Ishitani, kensuke Oki, and Hideto Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 未定 号: SC ページ: SCCB34-SCCB34
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab09e2
  • NAID: 210000156204
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Improvements in structural and optical properties of wafer-scale hexagonal boron nitride film by post-growth annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: SH. Lee, H. Jeong, OF. NgomeOkello, S. Xiao, S. Moon, D. Kim, GY. Kim, JL. Lo, YC. Peng, BM. Cheng, H. Miyake, SY. Choi, JK. Kim
  • 雑誌名: Scientific reports 巻: 9 号: 1 ページ: 1-8
  • DOI: 10.1038/s41598-019-47093-9
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
  • 雑誌名: AIP Advances 巻: 9 号: 12 ページ: 125342-125342
  • DOI: 10.1063/1.5125799
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] A Simple Analysis Method for 4-Deoxy-l-erythro-5-hexoseulose Uronic Acid by HPLC-ELSD with Column for Anion Analysis (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Shibata, R. Fujii, Y. Nishioka, H. Miyake, T. Mori, R. Tanaka
  • 雑誌名: NATURAL PRODUCT COMMUNICATIONS 巻: 14 号: 5
  • DOI: 10.1177/1934578x19850990
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Enzymatic and molecular characterization of an endoglucanase E from Clostridium cellulovorans 743B (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Kozaki, H. Miyake
  • 雑誌名: JOURNAL OF BIOSCIENCE AND BIOENGINEERING 巻: 128 号: 4 ページ: 398-404
  • DOI: 10.1016/j.jbiosc.2019.03.013
  • 査読あり
• [雑誌論文] High‐Temperature Annealing of Sputter‐Deposited AlN on (001) Diamond Substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: Shirato Tatsuya、Hayashi Yusuke、Uesugi Kenjiro、Shojiki Kanako、Miyake Hideto
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 257 号: 2 ページ: 1900447-1900447
  • DOI: 10.1002/pssb.201900447
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 510 ページ: 13-17
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.011
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Growth of High-Quality AlN and AlGaN Films on Sputtered AlN/Sapphire Templates via High-Temperature Annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: Junya Hakamata, Yuta Kawase, Lin Dong, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi B 巻: 1700506 号: 5 ページ: 1700506-1700506
  • DOI: 10.1002/pssb.201700506
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layer (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: - 号: 5 ページ: 1700374-1700374
  • DOI: 10.1002/pssb.201700374
  • 査読あり
• [雑誌論文] Microstructural analysis in the depth direction of a heteroepitaxial AlN thick film grown on a trench-patterned template by nanobeam X-ray diffraction (2018)
  • 著者名/発表者名: Shida K.、Takeuchi S.、Tohei T.、Miyake H.、Hiramatsu K.、Sumitani K.、Imai Y.、Kimura S.、Sakai A.
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 123 号: 16 ページ: 161563-161563
  • DOI: 10.1063/1.5011291
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, R. Suzuki, H. Miyake, S. Harada, T. Ujihara
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 502 ページ: 41-44
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.002
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Temperature dependence of excitonic transitions in Al0. 60Ga0. 40N/Al0. 70Ga0. 30N multiple quantum wells from 4 to 750 K (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, Y. Hayakawa, K. Ikeda, H. Miyake, K. Hiramtsu, Y. Yamada
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 123 号: 20 ページ: 205705-205705
  • DOI: 10.1063/1.5023996
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cathodoluminescence study on local high-energy emissions at dark spots in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 6 ページ: 60311-60311
  • DOI: 10.7567/jjap.57.060311
  • NAID: 210000149104
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding (2018)
  • 著者名/発表者名: Hayashi, Y; Katayama, R; Akiyama, T; Ito, T; Miyake, H
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS EXPRESS 巻: 11 号: 3 ページ: 31003-31003
  • DOI: 10.7567/apex.11.031003
  • NAID: 210000136117
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] AlGaN-based deep UV LEDs grown on sputtered and high temperature annealed AlN/sapphire (2018)
  • 著者名/発表者名: Susilo, N; Hagedorn, S; Jaeger, D; Miyake, H; Zeimer, U; Reich, C; Neuschulz, B; Sulmoni, L; Guttmann, M; Mehnke, F; Kuhn, C; Wernicke, T; Weyers, M; Kneissl, M
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS LETTERS 巻: 112 号: 4 ページ: 41110-41110
  • DOI: 10.1063/1.5010265
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy (2018)
  • 著者名/発表者名: Yoshizawa, R; Miyake, H; Hiramatsu, K
  • 雑誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻: 57 号: 1S ページ: 01AD05-01AD05
  • DOI: 10.7567/jjap.57.01ad05
  • NAID: 210000148548
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Structural study of GaN grown on nonpolar bulk GaN substrates with trench patterns (2017)
  • 著者名/発表者名: Okada, S; Iwai, H; Miyake, H; Hiramatsu, K
  • 雑誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻: 56 号: 12 ページ: 125504-125504
  • DOI: 10.7567/jjap.56.125504
  • NAID: 210000148460
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective area growth of GaN on trench-patterned nonpolar bulk GaN substrates (2017)
  • 著者名/発表者名: S. Okada, H. Iwai, H. Miyake, K. Hiramatsu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 印刷中 ページ: 851-855
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.011
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] High-quality and highly-transparent AlN template on annealed sputter-deposited AlN buffer layer for deep ultra-violet light-emitting diodes (2017)
  • 著者名/発表者名: Huang, CY; Wu, PY; Chang, KS; Lin, YH; Peng, WC; Chang, YY; Li, JP; Yen, HW; Wu, YS; Miyake, H; Kuo, HC
  • 雑誌名: AIP ADVANCES 巻: 7 号: 5 ページ: 55110-55110
  • DOI: 10.1063/1.4983708
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: Nakamura, K; Fukuno, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Yamada, Y
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS EXPRESS 巻: 10 号: 5 ページ: 51003-51003
  • DOI: 10.7567/apex.10.051003
  • NAID: 210000135831
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Nakamura, T. Fukuno, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 2 ページ: 21002-21002
  • DOI: 10.7567/apex.10.021002
  • NAID: 210000135746
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Study on the influence of different trench-patterned templates on the crystalline microstructure of AIN epitaxial films by X-ray microdiffraction (2017)
  • 著者名/発表者名: Khan, DT; Takeuchi, S; Nakamura, Y; Nakamura, K; Arauchi, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Imai, Y; Kimura, S; Sakai, A
  • 雑誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻: 56 号: 2 ページ: 25502-25502
  • DOI: 10.7567/jjap.56.025502
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and S. F. Chichibu
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 1 ページ: 0158021-4
  • DOI: 10.7567/apex.10.015802
  • NAID: 210000135740
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Fabrication of high-crystallinity a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates by modulating buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions (2016)
  • 著者名/発表者名: Chia-Hung Lin, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyakea, Kazumasa Hiramatsu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 印刷中 ページ: 845-850
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.076
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Preparation of high-quality AlN on sapphire by high-temperature face-to-face annealing (2016)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, C.-H. Lin, K. Tokoro, K. Hiramatsu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 456 ページ: 155-159
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.028
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Microstructural analysis of an epitaxial AlN thick film/trench-patterned template by three-dimensional reciprocal lattice space mapping technique (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Kamada, S. Takeuchi, D. T. Khan, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 9 号: 11 ページ: 111001-111001
  • DOI: 10.7567/apex.9.111001
  • NAID: 210000138078
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effects of AlN buffer layer thickness on the crystallinity and surface morphology of 10-μm-thick a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates (2016)
  • 著者名/発表者名: Chia-Hung Lin, Shinya Tamaki, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 9 号: 8 ページ: 081001-081001
  • DOI: 10.7567/apex.9.081001
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Excitation and de-excitation dynamics of excitons in a GaN film based on the analysis of radiation from high-order states (2016)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, and Ken Morita, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu
  • 雑誌名: Journal of Physics D 巻: 49 号: 24 ページ: 245102-245102
  • DOI: 10.1088/0022-3727/49/24/245102
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Electron microscopy analysis of microstructure of postannealed aluminum nitride template (2016)
  • 著者名/発表者名: Kaur, J; Kuwano, N; Jamaludin, KR; Mitsuhara, M; Saito, H; Hata, S; Suzuki, S; Miyake, H; Hiramatsu, K; Fukuyama, H
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS EXPRESS 巻: 9 号: 6 ページ: 65502-65502
  • DOI: 10.7567/apex.9.065502
  • NAID: 210000137952
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Impact of high-temperature annealing of AlN layer onsapphire and its thremodynamic principle (2016)
  • 著者名/発表者名: Hiroyuki Fukuyama, Hideto Miyake, Gou Nishio, Shuhei Suzuki and Kazumasa Hiramatsu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 5S ページ: 05FL02-05FL02
  • DOI: 10.7567/jjap.55.05fl02
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of surface pretreatment of r-plane sapphire substrates on the crystal quality of a-plane AlN (2016)
  • 著者名/発表者名: Chia-Hung Lin, Daiki Yasui, Shinya Tamaki, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 5S ページ: 05FA12-05FA12
  • DOI: 10.7567/jjap.55.05fa12
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Annealing of an AlN buffer layer in N-2-CO for growth of a high-quality AlN film on sapphire (2016)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, G. Nisho, S. Suzuki, K. Hiramatsu, H. Fukuyama, J. Kuar and N. Kuwano
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 9 号: 2 ページ: 025501-025501
  • DOI: 10.7567/apex.9.025501
  • NAID: 210000137795
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Microscopic potential fluctuations in Si-doped AlGaN epitaxial layers with various AlN molar fractions and Si concentrations (2016)
  • 著者名/発表者名: Satoshi Kurai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Yoichi Yamada
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 119 号: 2 ページ: 25-707
  • DOI: 10.1063/1.4939864
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Surface thermal stability of free-standing GaN substrates (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O Eryu and T. Hasegawa
  • 雑誌名: Japanese Journal Applied Physics 巻: 55 号: 1S ページ: 01AC08-01AC08
  • DOI: 10.7567/jjap.55.01ac08
  • NAID: 210000145956
  • 査読あり
• [学会発表] Thick AlN layers grown on macro-scale patterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN films by hydride vapor-phase epitaxy (2021)
  • 著者名/発表者名: Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake
  • 学会等名: The Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
  • 国際学会
• [学会発表] High-quality AlN template prepared by face-to-face annealing of sputtered AlN on sapphire (2021)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Uesugi, K. Shojiki, S. Xiao, D. Wang, S. Kuboya
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, (CGCT-8)
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN template (2021)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, D. Wang, K. Shojiki, S. Kuboya, and H. Miyake
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Reduction of threading dislocation densities of N-polar face-to-face annealed sputtered AlN on sapphire (2021)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, K. Uesugi, S. Kuboya, and H. Miyake
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Fabrication of high crystalline AlN/sapphire for deep UV-LED (2021)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Uesugi, S. Xiao, K. Shojiki, S. Kuboya
  • 学会等名: Photonics West 2021
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Development of DUV-LED grown on high-temperature annealed AlN template (2021)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, D. Wang, K. Shojiki, S. Kuboya, and H. Miyake
  • 学会等名: Photonics West 2021
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 高温アニールによる転位密度107cm-2のAlNテンプレート作製 (2021)
  • 著者名/発表者名: 三宅 秀人, 正直 花奈子, 肖 世玉, 上杉 謙次郎, 窪谷 茂幸
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製 (2021)
  • 著者名/発表者名: 窪谷 茂幸, 岩山 章, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 則松 研二, 三宅 秀人
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源 (2021)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎, 手銭 雄太, 肖 世玉, 則松 研二, 岡村 実奈, 荒木 努, 三宅 秀人
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法アニール処理AlN上AlGaNチャネルHEMTのMOVPE成長 (2021)
  • 著者名/発表者名: 森 隆一, 上杉 謙次郎, 白土 達也, 窪谷 茂幸, 正直 花奈子, 三宅 秀人
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 低転位密度AlN膜の作製とそのテンプレート上AlGaN成長 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上杉謙次郎, Ding Wang, 三宅秀人
  • 学会等名: 日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」第161委員会第114回研究会
  • 招待講演
• [学会発表] 低転位密度AlNテンプレートを用いた深紫外LEDの開発 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上杉謙次郎, Ding Wang, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 三宅秀人
  • 学会等名: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英
  • 学会等名: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 低転位密度AlNテンプレート上SiドープAlGaNの電気的・光学的特性評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 森隆一, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 白土達也, 三宅秀人
  • 学会等名: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] ナノパターン加工したスパッタ・アニール法AlNテンプレート上のMOVPE成長AlN膜の結晶性評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 伊庭由季乃, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
  • 学会等名: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 高温アニールに伴うSiC基板上スパッタAlNの結晶性と歪み評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 杉浦雅紀, 上杉謙次郎, 三宅秀人
  • 学会等名: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] スパッタ法アニール処理AlN上GaN薄膜のMOVPE成長 (2020)
  • 著者名/発表者名: 白土 達也, 上杉 謙次郎, 窪谷 茂幸, 正直 花奈子, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析 (2020)
  • 著者名/発表者名: 山本 望, 濱地 威明, 林 侑介, 藤平 哲也, 三宅 秀人, 酒井 朗
  • 学会等名: 応用物理学会秋 季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlN結晶の作製とその紫外線デバイス応用 (2020)
  • 著者名/発表者名: 三宅 秀人, 正直 花奈子, 肖 世玉, 上杉 謙次郎, 小泉 晴比古, 窪谷 茂幸
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] サファイア基板上へのスパッタ法を用いたh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 (2020)
  • 著者名/発表者名: 形岡 遼志, 小泉 晴比古, 岩山 章, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレート上へのDUV-LED作製(2) (2020)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎, 王 丁, 手銭 雄太, 肖 世玉, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1) (2020)
  • 著者名/発表者名: 嶋 紘平, 正直 花奈子, 上杉 謙次郎, 小島 一信, 上殿 明良, 三宅 秀人, 秩父 重英
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法と高温アニールで作製した－c/+c AlN薄膜の電子線回折による極性判定 (2020)
  • 著者名/発表者名: 林 侑介, 野本 健斗, 濱地 威明, 藤平 哲也, 三宅 秀人, 五十嵐 信行, 酒井 朗
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ナノパターンを有するスパッタ・アニール法AlNテンプレート上へのAlNのMOVPE成長 (2020)
  • 著者名/発表者名: 伊庭 由季乃, 正直 花奈子, 窪谷 茂幸, 上杉 謙次郎, 肖 世玉, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2) (2020)
  • 著者名/発表者名: 粕谷 拓生, 嶋 紘平, 正直 花奈子, 上杉 謙次郎, 小島 一信, 上殿 明良, 三宅 秀人, 秩父 重英
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] UV-B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 山田 和輝, 佐藤 恒輔, 安江 信次, 田中 隼也, 手良村 昌平, 荻野 雄矢, 大森 智也, 石塚 彩花, 岩山 章, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇, 三宅 秀人, 寒川 義裕, Sakowski Konrad
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化 (2020)
  • 著者名/発表者名: 田中 隼也, 佐藤 恒輔, 安江 信次, 荻野 雄矢, 山田 和輝, 石塚 彩花, 手良村 昌平, 岩山 章, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオードの構造検討 (2020)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 恒輔, 山田 和輝, 石塚 彩花, 田中 隼也, 大森 智也, 手良村 昌平, 岩山 章, 三宅 秀人, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系 UV-B LDにおける低損失を実現した構造の特性評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 大森 智也, 石塚 彩花, 田中 隼也, 佐藤 恒輔, 安江 信次, 荻野 雄矢, 山田 和輝, 手良村 昌平, 岩山 章, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlGaN結晶の結晶成長とその上に作製したUV-B半導体レーザ (2020)
  • 著者名/発表者名: 岩谷 素顕, 佐藤 恒輔, 田中 隼也, 手良村 昌平, 大森 智也, 山田 和輝, 石塚 彩花, 下川 萌葉, 荻野 雄矢, 岩山 章, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇, 三宅 秀人
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ナノストイプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 伊庭由季乃, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 肖世玉, 三宅秀人
  • 学会等名: 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
• [学会発表] 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 (2020)
  • 著者名/発表者名: 白土 達也, 上杉 謙次郎, 窪谷 茂幸, 正直 花奈子, 三宅 秀人
  • 学会等名: 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
• [学会発表] AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入 (2020)
  • 著者名/発表者名: 稲森 崇文, 窪谷 茂幸, 石原 頌也, 白土 達也, 正直 花奈子, 上杉 謙次郎, 三宅 秀人
  • 学会等名: 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
• [学会発表] スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 (2020)
  • 著者名/発表者名: 形岡 遼志, 小泉 晴比古, 岩山 章, 三宅 秀人
  • 学会等名: 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
• [学会発表] Control of strain in AlGaN films on AlN templates by AlN/GaN superlattices (2020)
  • 著者名/発表者名: Takafumi Inamori, Shigeyuki Kuboya, Shoya Ishihara, Tatsuya Shirato, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki and Hideto Miyake
  • 学会等名: The 12th International Workshop on Regional Innovation Studies 2020 (IWRIS2020)
• [学会発表] Effect of MOVPE Growth Conditions on Crystallinity of AlN films on Nano-Patterned Annealed Sputtered AlN Templates (2020)
  • 著者名/発表者名: Yukino Iba, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao and Hideto Miyake
  • 学会等名: The 12th International Workshop on Regional Innovation Studies 2020 (IWRIS2020)
• [学会発表] 高温アニールAlNテンプレートを用いた分極ドープ深紫外LED作製 (2020)
  • 著者名/発表者名: 河端一輝, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人
  • 学会等名: 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
• [学会発表] AlNの結晶性向上に向けたサファイア基板表面の大気雰囲気アニールによる平坦化 (2020)
  • 著者名/発表者名: 土堀泰征, 上杉謙次郎, 三宅秀人
  • 学会等名: 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
• [学会発表] 選択MOVPE成長による原子層レベルのAlN表面形態制御 (2020)
  • 著者名/発表者名: 川端心, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 三宅秀人
  • 学会等名: 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜 AlN テンプレート上への DUV LED 作製 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎, 手銭 雄太，正直 花奈子, 窪谷 茂幸，三宅 秀人
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価（２） (2020)
  • 著者名/発表者名: 中須大蔵、嶋紘平、正直花奈子、上杉謙次郎、小島一信、上殿明良、三宅秀人、秩父重英
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価（1） (2020)
  • 著者名/発表者名: 嶋紘平、中須大蔵、正直花奈子、上杉謙次郎、小島一信、上殿明良、三宅秀人、秩父重英
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温熱処理したスパッタAlN膜の熱歪解析 (2020)
  • 著者名/発表者名: 林侑介, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 藤平哲也, 酒井朗
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlN 上 RF MBE 成長 InN の極微構造評価 (II) (2020)
  • 著者名/発表者名: 橘 秀紀、高林 佑介、中村 亮介、毛利真一郎、名西ヤスシ、荒木努、正直花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] High quality AlN film on sapphire prepared by two step sputtering-annealing (2020)
  • 著者名/発表者名: Ding Wang, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Yuta Tezen, Kenji Norimatsu, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Preparation of high-quality thick AlN layer on nano-patterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Threading Dislocation Reduction of Sputter-Deposited AlN Templates for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Device Applications (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE Growth on Sputtered Annealed AlN Film / Nano PSS (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, R. Katayama
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Raman Scattering Investigation of Strain Evolution?during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano, R. Katayama
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of c-AlN/a-Sapphire Templates by Sputtering and High-Temperature Annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, K. Fujikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019)
  • 国際学会
• [学会発表] High-Temperature Annealing of Sputter-Deposited AlN on Diamond Substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Shirato, Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density in High-temperature Annealed AlN on Sapphire Templates (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao
  • 学会等名: 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)
  • 招待講演
• [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter Deposited AlN Templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
  • 国際学会
• [学会発表] Comparative Study of AlGaN Multiple Quantum Wells on Annealed Sputtered-AlN and MOVPE-Grown-AlN on Sapphire Substrates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
  • 国際学会
• [学会発表] RF-MBE InN Growth on High-Quality AlN Template (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Takabayashi, H. Tachibana, F. B. Abs, S. Mouri, T. Araki, H. Miyake, K. Uesugi, K. Shojiki
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of high-quality AlN on sapphire by high-temperature annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Uesugi, S. Xiao, K. Shojiki, H. Koizumi, S. Kuboya
  • 学会等名: 1st International Workshop on AlGaN based UV-Laser diodes, Berlin, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Preparation of high-quality AlN templates for deep UV devices (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, S. Kuboya
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
  • 招待講演
• [学会発表] Crack-Free thick AlN Grown on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates with Sputter-Deposited Annealed AlN film by Hydride Vapor-Phase Epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, K. Shojiki, K. Uesugi, and H. Miyake
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
  • 国際学会
• [学会発表] Growth of Si-doped AlGaN on High-Temperature-Annealed MOVPE-Grown AlN Films on Vicinal Sapphire with Sputtered AlN Seed Layers (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Kuboya, Y. Tezen, K. Uesugi, K. Norimatsu, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
  • 国際学会
• [学会発表] Internal quantum efficiency improvement by using annealed sputtered AlN template (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, and H. Miyake
  • 学会等名: Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter Deposited AlN Templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 学会等名: Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan
  • 国際学会
• [学会発表] Threading Dislocation Reduction of Sputter-deposited AlN/sapphire by High-Temperature Annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, S. Kuboya
  • 学会等名: The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APSW2019)
  • 招待講演
• [学会発表] サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人, 正直花奈子, 肖世玉, 劉小桐, 岩山章, 上杉謙次郎, 窪谷茂幸, 小泉晴比古, 手銭雄太, 則松研二
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタ堆積アニールAlNテンプレート上へのMOVPE法ホモ成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 川端心、正直花奈子, 上杉謙次郎, Xiaotong Liu, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] RF-MBE法を用いた高品質AlN上へのInN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 橘秀紀，F.B.Abas，高林祐介，毛利真一郎，名西ヤスシ，荒木努，正直花奈子，三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] RF-MBE成長InNに対する熱処理の効果 (2019)
  • 著者名/発表者名: 福田安莉，橘秀紀，高林祐介，後藤直樹, 毛利真一郎，名西?之，荒木努，正直花奈子，三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養分一, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] ストライプ溝サファイア基板上スパッタAlN膜のアニールとHVPEホモ成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 西森大智、吉村一輝、肖世玉、正直花奈子, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] ラマン散乱分光法を用いたサファイア基板上AlN薄膜の局所的・異方的歪みの観測 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 林侑介, 上杉謙次郎, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 林侑介、上杉 謙次郎、正直 花奈子、片山竜二、酒井朗、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] MOVPE成長AlN膜をアニールしたテンプレート上へのAlGaN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 窪谷茂幸、手銭 雄太、上杉 謙次郎、則松 研二、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器 (2019)
  • 著者名/発表者名: 森岡 佳紀、上向井 正裕、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人、森川 隆哉、藤原 康文、谷川 智之、片山 竜二
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計 (2019)
  • 著者名/発表者名: 山内 あさひ、小松 天太、池田 和久、上杉 謙二郎、正直 花奈子、三宅 秀人、彦坂 年輝、布上 真也、森川 隆哉、藤原 康文、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 荒木 努、橘 秀紀、高林 佑介、福田 安莉、毛利 真一郎、名西ヤスシ、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸のMOVPE成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 河端 一輝、窪谷 茂幸、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析 (2019)
  • 著者名/発表者名: 稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double-layer polarity-inverted AlN waveguide (2019)
  • 著者名/発表者名: A. Yamaguchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] Optical properties of AlGaN multiple quantum wells grown on n-AlGaN using sputter-deposited AlN templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kawabata, S. Kuboya, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] Raman scattering evaluation of strain evolution during surface-activated bonding of GaN and removal of Si substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Tanabe, N. Yokokawa, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, and R. Katayama
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人、正直花奈子、肖世玉、上杉謙次郎、小泉晴比古、窪谷茂幸
  • 学会等名: 徳島大学ポストＬＥＤフォトニクス公開シンポジウム2019～深紫外LEDの可能性と生み出す未来～
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタ堆積AlNの高温固相成長とその基板上へのAlGaN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人, 上杉謙次郎, Shiyu Xiao, 正直花奈子
  • 学会等名: 第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
  • 招待講演
• [学会発表] アニール処理スパッタAlN膜とn型AlGaN下地層がAlGaN多重量子井戸構造の光学特性に与える影響 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養分一, 三宅秀人
  • 学会等名: 第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
• [学会発表] 深紫外LED社会実装に向けた基板作製技術 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人、正直花奈子、林侑介、 肖世玉、上杉謙次郎、永松謙太郎
  • 学会等名: 結晶成長の科学と技術第161委員会第109回研究会
  • 招待講演
• [学会発表] 窒化物半導体MOVPE成長における欠陥低減技術 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人
  • 学会等名: 応用物理学会東海支部基礎セミナー
  • 招待講演
• [学会発表] HVPE法による加工サファイア基板上のAlN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 藤倉 序章、今野 泰一郎、木村 健司、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレート上のAlGaN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎、正直 花奈子、林 侑介、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 櫻井 悠也、上野 耕平、小林 篤、上杉 謙次郎、三宅 秀人、藤岡 洋
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法と高温アニールによるa面サファイア上c面AlNの作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 林 侑介、藤川 海人、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ナノPSS上スパッタ堆積アニールAlN膜を基板に用いたホモエピ成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 伊庭 由季乃、正直 花奈子、上杉 謙次郎、肖 世玉、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜AlNテンプレートの転位密度低減 (2019)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎、林 侑介、正直 花奈子、永松 謙太郎、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ダイヤモンド基板上へのスパッタAlN成膜と高温アニール (2019)
  • 著者名/発表者名: 白土 達也、林 侑介、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜AlNの極性制御 (2019)
  • 著者名/発表者名: 林 侑介、上杉 謙次郎、正直 花奈子、片山 竜二、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察 (2019)
  • 著者名/発表者名: 菊地 萌、上原 大輔、馬 ベイ、森田 健、三宅 秀人、石谷 善博
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールAlN/サファイア上へのAlGaN成長での歪み制御 (2019)
  • 著者名/発表者名: 稲森 崇文、鈴木 涼矢、劉 小桐、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] “AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器 (2019)
  • 著者名/発表者名: 森岡 佳紀、山口 修平、正直 花奈子、林 侑介、三宅 秀人、塩見 圭史、藤原 康文、上向井 正裕、片山 竜二
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 成長モード制御によるAlGaN下地層の高品質化とUV-Bレーザへの応用 (2019)
  • 著者名/発表者名: 川瀬 雄太、池田 隼也、櫻木 勇介、安江 信次、手良村 昌平、田中 隼也、荻野 雄矢、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、岩山 章、赤﨑 勇、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 様々なAlNテンプレート上に形成した緩和AlGaN層に作製したUV-Bレーザー (2019)
  • 著者名/発表者名: 手良村 昌平、川瀬 雄太、池田 隼也、櫻木 勇介、安江 信次、田中 隼也、荻野 雄矢、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、岩山 章、赤﨑 勇、三宅 秀人
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 田辺 凌、小野寺 卓也、上向井 正裕、彦坂 年輝、布上 真也、正直 花奈子、三宅 秀人、久志本 真希、鄭 惠貞、本田 善央、天野 浩、片山 竜二
  • 学会等名: 第66 回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Plasma activated bonding of 2-inch sputtered AlN wafers (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, H. Miyake
  • 学会等名: MRS Spring Meeting
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of High-Quality AlN on Sapphire for Deep UV LED (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, S. Xiao, Y. Hayashi, K. Shojiki
  • 学会等名: Taiwan Solid State Lighting
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Fabrication of High-Quality AlN Template on Sapphire Using High-Temperature Annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, X. Liu, S. Kawai, H. Miyake
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Characterization of strain relaxation behavior of annealed sputter deposited AlN films on SiC substrates (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, H. Yoshida, H. Miyake
  • 学会等名: ICMOVPE-XIX
  • 国際学会
• [学会発表] Bowing Control of Sputtered AlN Caused by High Temperature Annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, K. Tanigawa, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: ICMOVPE-XIX
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of High-quality AlN Template by High Temperature Annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake
  • 学会等名: InRel-NPower
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Homoepitaxy of AlN on annealed AlN/sapphire template (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, X. Liu, Y. Hayashi, X. Shiyu, K. Uesugi
  • 学会等名: ISGN-7
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Crystal quality improvement of sputter-deposited AlN films on SiC substrates by high temperature annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
  • 学会等名: ISGN-7
  • 国際学会
• [学会発表] Anisotropic strain in AlN film on sapphire substrate (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, K. Uesugi, K. Fujikawa, Y. Hayashi, S. Xiao, H. Miyake
  • 学会等名: IWN2018
  • 国際学会
• [学会発表] Polarity Inversion of AlN by Sputtering Condition Control for DUV-SHG Devices (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: IWN2018
  • 国際学会
• [学会発表] Preparation of high-quality thick AlN on sputtered and annealed nano-patterned sapphire substrates by hydride vapor-phase epitaxy (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 学会等名: IWN2018
  • 国際学会
• [学会発表] Crystalline quality improvement and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films by stress control (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi1, Y. Hayashi, K. Shojiki, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyake
  • 学会等名: IWN2018
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of high-quality AlN template by high-temperature annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, Y. Hayashi, X. Shiyu, K. Uesugi, K. Nagamatsu
  • 学会等名: Japanese-Polish Workshop on Crystal Science
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Thermal Stress Analysis of AlN/sapphire Templates Fabricated by Sputtering and High Temperature Annealing (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Tanigawa, S. Tanaka, K. Shojiki, and H. Miyake
  • 学会等名: MRS Fall Meeting
  • 国際学会
• [学会発表] High-temperature annealing of sputter-deposited AlN films on sapphire (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, Y. Hayashi, S. Xiao, K. Uesugi, K. Nagamatsu
  • 学会等名: IWUMD2018
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Preparation of high-quality thick AlN layer on sputtered and annealed nano-patterned sapphire substrates by hydride vapor-phase epitaxy (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 学会等名: IWUMD2018
  • 国際学会
• [学会発表] Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, K. Nagamatsu, H. Yoshida, H. Miyak
  • 学会等名: IWUMD2018
  • 国際学会
• [学会発表] 6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 林 侑介, 肖 世玉, 永松 謙太郎, 吉田 治正, 三宅 秀人
  • 学会等名: 第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 深紫外LED実用化の鍵となる基板作製技術 (2018)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人・正直花奈子・林侑介・肖世玉・上杉謙次郎・永松謙太郎
  • 学会等名: 電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 国際学会
• [学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基盤上へのAlGaN深紫外LED作製 (2018)
  • 著者名/発表者名: 永松謙太郎・上杉謙次郎・正直花奈子・吉田治正・三宅秀人
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
  • 国際学会
• [学会発表] Agワイヤーグリッド構造を用いたプラズモニック波長板の設計と作製に関する研究 (2018)
  • 著者名/発表者名: 渡邊 陽生、元垣内 敦司、三宅 秀人、平松 和政
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
• [学会発表] 歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善 (2018)
  • 著者名/発表者名: 永松 謙太郎、上杉 謙次郎、三宅 秀人、吉田 治正
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
• [学会発表] 焦点制御型回折レンズの位相シフトと集光特性の関係 (2018)
  • 著者名/発表者名: 加藤 亮、元垣内 敦司、三宅 秀人、平松 和政
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
• [学会発表] スパッタ条件制御による-c/+c 極性反転AlN 構造の作製 (2018)
  • 著者名/発表者名: 林 侑介、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上へのAlGaN深紫外LED作製 (2018)
  • 著者名/発表者名: 永松 謙太郎、上杉 謙次郎、正直 花奈子、吉田 治正、三宅 秀人
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化 (2018)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎、林 侑介、正直 花奈子、永松 謙太郎、吉田 治正、三宅 秀人
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計 (2018)
  • 著者名/発表者名: 山口 修平、山内 あさひ、上向井 正裕、林 侑介、三宅 秀人、塩見 圭史、藤原 康文、片山 竜二
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN/アニール処理スパッタAlNテンプレート上に作製した紫外レーザ (2018)
  • 著者名/発表者名: 川瀬 雄太、池田 隼也、櫻木 勇介、安江 信次、岩山 章、金 明姫、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智 、赤﨑 勇、三宅 秀人
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製 (2018)
  • 著者名/発表者名: 小野寺 卓也、上向井 正裕、髙橋 一矢、岩谷 素顕、赤﨑 勇、林 侑介、三宅 秀人、久志本 真希、鄭 惠貞、本田 善央、天野 浩、片山 竜二
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 『AlNテンプレート高品質化の進展』～深紫外LED実用化の鍵となる基板作製技術～ (2018)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人・正直花奈子・林侑介・肖世玉・上杉謙次郎・永松謙太郎
  • 学会等名: 学振第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
  • 招待講演
• [備考] 卓越型リサーチセンター
  • URL: https://www.mie-u.ac.jp/research/singularity/
• [備考] 三重大学特異構造の結晶科学リサーチセンター
  • URL: http://www.ex.rc.tokui.qm.mach.mie-u.ac.jp/
• [備考] オプトエレクトロニクス研究室
  • URL: http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp/research_miyakeG/research_miyakeG_level1.html
• [備考] 卓越型リサーチセンター
  • URL: http://www.mie-u.ac.jp/research/intro/tokuikozo.html
• [産業財産権] 窒化物半導体基板 (2021)
  • 発明者名: 三宅 秀人
  • 権利者名: 三宅 秀人
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2021
• [産業財産権] 窒化物半導体基板、半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法 (2021)
  • 発明者名: 三宅 秀人, 王 丁, 上杉 謙次郎
  • 権利者名: 三宅 秀人, 王 丁, 上杉 謙次郎
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2021
  • 外国
• [産業財産権] 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス (2020)
  • 発明者名: 三宅 秀人, 藤倉 序章, 今野 泰一郎
  • 権利者名: 三宅 秀人, 藤倉 序章, 今野 泰一郎
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2020
• [産業財産権] 窒化物半導体基板、半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法 (2020)
  • 発明者名: 三宅秀人、王丁、上杉謙次郎
  • 権利者名: 三宅秀人、王丁、上杉謙次郎
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2020
• [産業財産権] 半導体基板および半導体基板の製造方法 (2018)
  • 発明者名: 永松 謙太郎, 吉田 治正, 三宅 秀人
  • 権利者名: 三重大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
• [産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 (2018)
  • 発明者名: 林 侑介, 三宅 秀人
  • 権利者名: 三重大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
• [産業財産権] 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子 (2018)
  • 発明者名: 上杉 謙次郎, 三宅 秀人
  • 権利者名: 三重大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
• [産業財産権] 窒化物半導体 (2018)
  • 発明者名: 三宅秀人,岩谷素顕,川瀬雄太,岩山章,竹内哲也,上山智,赤崎勇
  • 権利者名: 三重大学,名城大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
• [産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 (2018)
  • 発明者名: 上杉 謙次郎, 三宅 秀人
  • 権利者名: 三重大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
• [産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイス (2018)
  • 発明者名: 林 侑介, 三宅 秀人, 上杉 謙次郎
  • 権利者名: 三重大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
• [産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法 (2016)
  • 発明者名: 三宅秀人
  • 権利者名: 三宅秀人
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2016
  • 取得年月日: 2019
  • 外国
• [学会・シンポジウム開催] Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (2021)
• [学会・シンポジウム開催] International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IW-Singularity) (2019)