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計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

計画研究

研究領域特異構造の結晶科学:完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
研究課題/領域番号 16H06418
研究種目

新学術領域研究(研究領域提案型)

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関三重大学

研究代表者

伊藤 智徳  三重大学, 工学研究科, 招へい教授 (80314136)

研究分担者 秋山 亨  三重大学, 工学研究科, 准教授 (40362363)
正直 花奈子  三重大学, 工学研究科, 助教 (60779734)
河村 貴宏  三重大学, 工学研究科, 助教 (80581511)
寒川 義裕  九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
平松 和政  三重大学, 地域イノベーション学研究科, 特任教授(研究担当) (50165205)
研究期間 (年度) 2016-06-30 – 2021-03-31
研究課題ステータス 完了 (2020年度)
配分額 *注記
67,600千円 (直接経費: 52,000千円、間接経費: 15,600千円)
2020年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2019年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2018年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2017年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2016年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
キーワード計算科学 / 特異構造 / 窒化物半導体 / ナノ構造 / ボンドエンジニアリング / 極性反転 / 組成変調 / 自然超格子 / 量子ドット / 計算物理 / 結晶成長 / 結晶工学 / 特異構造場 / 窒化物混晶半導体 / 偏析 / 転位 / 超格子
研究成果の概要

格子欠陥、表面・界面、ナノ構造を”特異構造”として統一的に位置づけ、表面・界面を“場”として形成される“特異構造”に至る一連の過程を計算科学の立場から理論的に検討した。特異構造を包括的に取り扱うために、温度、圧力を考慮した量子論的アプローチを基盤として、各種計算手法を独自開発した。これら計算手法を窒化物半導体を中心とした化合物半導体に適用し、現実の成長条件を反映した表面構造、不純物原子取り込み、極性反転、原子層薄膜形成、量子ドット形成、ナノワイヤ形状等について特異構造物性も含めて検討を行った。得られた知見から支配因子を抽出することで特異構造創成指針を明らかにした。

研究成果の学術的意義や社会的意義

半導体は,情報・環境分野における次世代デバイス開発においても重要な役割を果たすことが期待されている。この半導体がデバイス(例えばトランジスタやLED)として機能するためには不完全性である欠陥の制御が不可欠である。本研究では、さまざまな欠陥を“特異構造”として統一的に位置づけ、特異構造を特徴づける“ヘテロボンド”に注目して、表面・界面を“場”として形成される“特異構造”に至る一連の過程を包括的に検討した。得られた成果に基づいて、現実の成長条件下での特異構造の創成指針さらには新奇物性発現の可能性を明らかした。

報告書

(6件)
  • 2020 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2019 実績報告書
  • 2018 実績報告書
  • 2017 実績報告書
  • 2016 実績報告書
  • 研究成果

    (302件)

すべて 2021 2020 2019 2018 2017 2016 その他

すべて 国際共同研究 (8件) 雑誌論文 (61件) (うち国際共著 13件、 査読あり 60件、 オープンアクセス 8件、 謝辞記載あり 8件) 学会発表 (230件) (うち国際学会 132件、 招待講演 44件) 図書 (2件) 学会・シンポジウム開催 (1件)

  • [国際共同研究] ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所(ポーランド)

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [国際共同研究] ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所(ポーランド)

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      2019 実績報告書
  • [国際共同研究] Institute of High Pressure Physics(ポーランド)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] Rice University/University of Maryland/Virginia Institute of Technology(米国)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] Oxford University(英国)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] バージニア工科大学(米国)

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      2017 実績報告書
  • [国際共同研究] ポーランドアカデミー高圧力物理学研究所(ポーランド)

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      2017 実績報告書
  • [国際共同研究] 科学アカデミー高圧物理学研究所(ポーランド)

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      2016 実績報告書
  • [雑誌論文] Computational discovery of stable phases of graphene and h-BN van der Waals heterostructures composed of group III-V binary compounds2021

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Kawamura Takahiro、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 118 号: 2 ページ: 023101-023101

    • DOI

      10.1063/5.0032452

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study for the effect of NO annealing after dry oxidation2021

    • 著者名/発表者名
      Shimizu Tsunashi、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori、Kageshima Hiroyuki、Uematsu Masashi、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: SB ページ: SBBD10-SBBD10

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abdcb1

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt2021

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada
    • 雑誌名

      Computational Materials Science

      巻: 194 ページ: 110366-110366

    • DOI

      10.1016/j.commatsci.2021.110366

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE2021

    • 著者名/発表者名
      Kangawa Yoshihiro、Kusaba Akira、Kempisty Pawel、Shiraishi Kenji、Nitta Shugo、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 21 号: 3 ページ: 1878-1890

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.0c01564

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach2021

    • 著者名/発表者名
      Yosho Daichi、Matsuo Yuriko、Kusaba Akira、Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 23 号: 6 ページ: 1423-1428

    • DOI

      10.1039/d0ce01683g

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Effect of Step Edges on Adsorption Behavior for GaN(0001) Surfaces during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: AnAb InitioStudy2020

    • 著者名/発表者名
      Ohka Takumi、Akiyama Toru、Pradipto Abdul Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 20 号: 7 ページ: 4358-4365

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.0c00117

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Roles of growth kinetics on GaN non-planar facets under metalorganic vapor phase epitaxy condition2020

    • 著者名/発表者名
      Seta Yuki、Akiyama Toru、Pradipto Abdul Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 6 ページ: 065505-065505

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab9182

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ab initio calculations for the effect of wet oxidation condition on the reaction mechanism at 4H-SiC/SiO2 interface2020

    • 著者名/発表者名
      Shimizu Tsunashi、Akiyama Toru、Pradipto Abdul-Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori、Kageshima Hiroyuki、Uematsu Masashi、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SM ページ: SMMD01-SMMD01

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab85dd

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Equilibrium Morphologies of Faceted GaN under the Metalorganic Vapor‐Phase Epitaxy Condition: Wulff Construction Using Absolute Surface Energies2020

    • 著者名/発表者名
      Seta Yuki、Pradipto Abdul-Muizz、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 257 号: 4 ページ: 1900523-1900523

    • DOI

      10.1002/pssb.201900523

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Wet Ambient on Dry Oxidation Processes at 4H-SiC/SiO2 Interface: An Ab Initio Study2020

    • 著者名/発表者名
      Shimizu Tsunashi、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori、Kageshima Hiroyuki、Uematsu Masashi、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 98 号: 3 ページ: 37-46

    • DOI

      10.1149/09803.0037ecst

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate2020

    • 著者名/発表者名
      Nagai Katsuya、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 98 号: 6 ページ: 155-164

    • DOI

      10.1149/09806.0155ecst

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Akiyama Toru、Kitamoto Akira、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 549 ページ: 125868-125868

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2020.125868

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Modeling carbon coverage on polar GaN surfaces during MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      Yosho Daichi、Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 4 ページ: 048002-048002

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab80e2

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Computational study of oxygen stability in vicinal m(10-10)-GaN growth by MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      Shintaku Fumiya、Yosho Daichi、Kangawa Yoshihiro、Iwata Jun-Ichi、Oshiyama Atsushi、Shiraishi Kenji、Tanaka Atsushi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 5 ページ: 055507-055507

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab8723

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Oxygen Incorporation Kinetics in Vicinal m (10-10) Gallium Nitride Growth by Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy2020

    • 著者名/発表者名
      Yosho Daichi、Shintaku Fumiya、Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro、Iwata Jun-Ichi、Oshiyama Atsushi、Shiraishi Kenji、Tanaka Atsushi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters

      巻: 2020 号: 6 ページ: 2000142-2000142

    • DOI

      10.1002/pssr.202000142

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN2020

    • 著者名/発表者名
      Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 10 号: 1 ページ: 185701-11

    • DOI

      10.1038/s41598-020-75380-3

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Theoretical study of adatom stability on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Y.、Kangawa Y.
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 502 ページ: 144205-144205

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2019.144205

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      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First‐Principles Calculation of Bandgaps of Al1- xInxN Alloys and Short‐Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2020

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Fujita Yuma、Hamaji Yuya、Akiyama Toru、Kangawa Yoshihiro、Gorczyca Izabela、Suski Tadeusz、Wierzbowska Maigorzata, Krukowski Stanisiaw
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 257 号: 4 ページ: 1900530-1900530

    • DOI

      10.1002/pssb.201900530

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      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] 計算科学から見たIII-V族ナノワイヤにおける回転双晶超格子構造の形成機構2019

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,伊藤智徳, 中村浩次
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 46

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Chemical vapor deposition condition dependence of reconstructed surfaces on 4H-SiC (0001), (000-1), and (1-100) surfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Chokawa Kenta、Makino Emi、Hosokawa Norikazu、Onda Shoichi、Kangawa Yoshihiro、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 11 ページ: 115501-115501

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab4c21

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Evolution of the free energy of the GaN(0001) surface based on first-principles phonon calculations2019

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 100 号: 8

    • DOI

      10.1103/physrevb.100.085304

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films2019

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Li Guanchen、Kempisty Pawel、von Spakovsky Michael、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Materials

      巻: 12 号: 6 ページ: 972-972

    • DOI

      10.3390/ma12060972

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Kinetic-thermodynamic model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Y.、Kangawa Y.、Pimpinelli A.、Einstein T. L.
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 3 号: 1

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.3.013401

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Effects of surface and twinning energies on twining-superlattice formation in group III-V semiconductor nanowires: a first-principles study2019

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru, Nakamura Kohji, Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 30 号: 23 ページ: 234002-234002

    • DOI

      10.1088/1361-6528/ab06d0

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] An ab initio study for the formation of two-dimensional III-nitride compound ultrathin films: Effects of Ag(1?1?1) substrate2019

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru, Tsuboi Yuma, Nakamura Kohji, Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 511 ページ: 89-92

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.01.036

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth mode in heteroepitaxial system from nano- and macro-theoretical viewpoints2019

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori, Akiyama Toru, Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 512 ページ: 41-46

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.01.028

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Modified approach for calculating individual energies of polar and semipolar surfaces of group-III nitrides2019

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru, Seta Yuki, Nakamura Kohji, Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 3 号: 2

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.3.023401

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Absolute surface energies of semipolar planes of AlN during metalorganic vapor phase epitaxy growth2019

    • 著者名/発表者名
      Seta Yuki, Akiyama Toru, Pradipto Abdul Muizz, Nakamura Kohji, Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 510 ページ: 7-12

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.12.011

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      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical Investigations for Surface Reconstructions of Submonolayer InAs Grown on GaAs(001)2018

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Pradipto Abdul-Muizz
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 216 ページ: 1800476-1800476

    • DOI

      10.1002/pssa.201800476

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] An Interpretation for Defect-Induced Structural Transformation in SiC2018

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Pradipto Abdul-Muizz
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 86 号: 7 ページ: 427-432

    • DOI

      10.1149/08607.0427ecst

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      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Empirical interatomic potential approach to the stability of graphitic structure in BAlN and BGaN alloys2018

    • 著者名/発表者名
      Hasegawa Yuya, Akiyama Toru, Pradipto Abdul Muizz, Nakamura Kohji, Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 504 ページ: 13-16

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.09.016

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] An ab initio approach to polarity inversion of AlN and GaN films on AlN(000-1) substrate with Al overlayers: an insight from interface energies2018

    • 著者名/発表者名
      Uchino Motoshi, Akiyama Toru, Nakamura Kohji, Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 9 ページ: 098001-098001

    • DOI

      10.7567/jjap.57.098001

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth2018

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Kitamoto Akira、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi、Akiyama Toru
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 11 ページ: 115504-115504

    • DOI

      10.7567/jjap.57.115504

    • NAID

      210000149765

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Shinsuke Hori, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FR08-04FR08

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fr08

    • NAID

      210000149014

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of lattice constraint on structures and electronic properties of BAlN and BGaN alloys: A first-principles study2018

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 2 ページ: 025501-025501

    • DOI

      10.7567/apex.11.025501

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshizawa, R; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 57 号: 1S ページ: 01AD05-01AD05

    • DOI

      10.7567/jjap.57.01ad05

    • NAID

      210000148548

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro、Kusaba Akira、Shiraishi Kenji、Krukowski Stanislaw、Bockowski Michal、Kakimoto Koichi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 号: 14 ページ: 141602-141602

    • DOI

      10.1063/1.4991608

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics2017

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Li Guanchen、von Spakovsky Michael、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
    • 雑誌名

      Materials

      巻: 10 号: 8 ページ: 948-948

    • DOI

      10.3390/ma10080948

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Theoretical investigations on the stability and electronic structures of two-dimensional group-IV ternary alloy monolayers2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Go Yoshimura, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 35 号: 4

    • DOI

      10.1116/1.4980048

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of polytypism on the thermoelectric properties of group-IV semiconductor nanowires: A combination of density functional theory and boltzmann transport calculations2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takato Komoda, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Applied

      巻: 8 号: 2

    • DOI

      10.1103/physrevapplied.8.024014

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical Investigations for Strain Relaxation and Growth Mode of InAs Thin Layers on GaAs(110)2017

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori、Akiyama Toru、Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi B

      巻: 印刷中 号: 4 ページ: 1700241-1700241

    • DOI

      10.1002/pssb.201700241

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structures and Polarity of III-Nitrides: Phase Diagram Calculations Using Absolute Surface and Interface Energies2017

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Nakane Harunobu、Uchino Motoshi、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi B

      巻: 印刷中 号: 5 ページ: 1700329-1700329

    • DOI

      10.1002/pssb.201700329

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Systematic Theoretical Investigations for Crystal Structure Deformation in Group-III Nitrides: A First-Principles Study2017

    • 著者名/発表者名
      Tsuboi Yuma、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi B

      巻: 印刷中 号: 5 ページ: 1700446-1700446

    • DOI

      10.1002/pssb.201700446

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Systematic Theoretical Investigations of Polytypism in AlN2017

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori, AKiyama Toru, Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi C

      巻: 印刷中 号: 11 ページ: 1700212-1700212

    • DOI

      10.1002/pssc.201700212

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth2017

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori、Akiyama Toru、Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Journal Crystal Growth

      巻: 477 ページ: 12-18

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.03.010

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomistic behaviour of (n ×3)-reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition2017

    • 著者名/発表者名
      Konishi Tomoya、Tsukamoto Shiro、Ito Tomonoroi、Akiyama Toru、Kaida Ryo
    • 雑誌名

      Journal Crystal Growth

      巻: 477 ページ: 104-109

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.01.009

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structures and stability of polar GaN thin films on ScAlMgO4 substrate: An ab initio-based study2017

    • 著者名/発表者名
      H. Nakane, T. Akiyama, K. Nakamura, and T. Ito
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中 ページ: 93-96

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.09.019

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書 2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Theoretical study for misfit dislocation formation at InAs/GaAs(001) interface2017

    • 著者名/発表者名
      Kaida Ryo、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal Crystal Growth

      巻: 468 ページ: 919-922

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.10.064

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書 2016 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Computational Materials Science for Molecular Beam Epitaxial Growth2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 雑誌名

      Proceedings of the 36th Symposium on Materials Science and Engineering

      巻: ー ページ: 7-16

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [雑誌論文] Theoretical study of the composition pulling effect in InGaN metalorganic vapor-phase epitaxy growth2017

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro、Ito Tomonori、Suski Tadeusz、Kumagai Yoshinao、Kakimoto Koichi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 7 ページ: 078003-078003

    • DOI

      10.7567/jjap.56.078003

    • NAID

      210000148014

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of (0001) and $(000\bar{1})$ GaN metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Kangawa Yoshihiro、Kempisty Pawel、Valencia Hubert、Shiraishi Kenji、Kumagai Yoshinao、Kakimoto Koichi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 7 ページ: 070304-070304

    • DOI

      10.7567/jjap.56.070304

    • NAID

      210000147978

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Structural study of GaN grown on nonpolar bulk GaN substrates with trench patterns2017

    • 著者名/発表者名
      Okada, S; Iwai, H; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 56 号: 12 ページ: 125504-125504

    • DOI

      10.7567/jjap.56.125504

    • NAID

      210000148460

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermodynamic foundations of applications of ab initio methods for determination of the adsorbate equilibria: hydrogen at the GaN(0001) surface2017

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Strak Pawel、Sakowski Konrad、Kangawa Yoshihiro、Krukowski Stanislaw
    • 雑誌名

      Physical Chemistry Chemical Physics

      巻: 19 号: 43 ページ: 29676-29684

    • DOI

      10.1039/c7cp05214f

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Recent Progress in Computational Materials Science for Semiconductor Epitaxial Growth2017

    • 著者名/発表者名
      T. Ito and T. Akiyama
    • 雑誌名

      Crystals

      巻: 7 号: 2 ページ: 46-46

    • DOI

      10.3390/cryst7020046

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Improved thermodynamic analysis of gas reactions for compound semiconductor growth by vapor-phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 3 ページ: 038002-038002

    • DOI

      10.7567/jjap.56.038002

    • NAID

      210000147493

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Selective area growth of GaN on trench-patterned nonpolar bulk GaN substrates2017

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Iwai, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中 ページ: 851-855

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.12.011

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Effects of atomic arrangements on electronic structure of threading dislocations in III-nitride alloy semiconductor: A first-principles study2017

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, R. Sakaguchi, K. nakamura, and T. Ito
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 印刷中 号: 8

    • DOI

      10.1002/pssb.201600694

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 印刷中 号: 8 ページ: 1600706-1600706

    • DOI

      10.1002/pssb.201600706

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Preparation of high-quality AlN on sapphire by high-temperature face-to-face annealing2016

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, C.-H. Lin, K. Tokoro, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 456 ページ: 155-159

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.08.028

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 12 ページ: 125601-125601

    • DOI

      10.7567/apex.9.125601

    • NAID

      210000138129

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Effective approach for accurately calculating individual energy for polar heterojunction interfaces2016

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, H. Nakane, K. Nakamura, and T. Ito
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 94 号: 11

    • DOI

      10.1103/physrevb.94.115302

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Orientation dependence of growth mode for InN and InGaN on GaN substrate from nano- and macro-theoretical viewpoints2021

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Nagai, Toru Akiyama, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of step edges on the adsorption behavior on vicinal AlN(0001) surface during metal-organic vapor phase epitaxy: an ab initio study2021

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takumi Ohka, Katsuya Nagai, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Influence of Lattice Distortion on the Effective Bandgaps of Polar InN/AlN Superlattices2021

    • 著者名/発表者名
      Kouhei Basaki, Akito Korei, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computational materials science for growth mode of semiconductor heteroepitaxial systems2021

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito and Toru Akiyama
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Calculation of Electronic Structure of GaN with Point and Complex Defects2021

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, and Yusuke Mori
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Quantitative compatibility of ab initio thermodynamics with real growth processes of III nitrides semiconductors2021

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Bandgaps of InN/AlN superlattices and AlInN alloys: Influence of composition and strain2021

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, and Stanislaw Krukowski
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches2021

    • 著者名/発表者名
      Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Ab initio atomistic thermodynamics of pseudo-hot surfaces in the context of GaN growth and doping2021

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Recent progress in computational materials science for III-nitride epitaxial growth: effects of growth kinetics on surface morphologies and nanostructures2021

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuki Seta, Takumi Ohka, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Change of the effective bandgaps of InN/AlN superlattices due to lattice distortion2021

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Magorzata Wierzbowska, and Stanisaw Krukowski
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A systematic approach for the interfacial reaction of O2 molecule under wet oxidation condition at 4H-SiC/SiO2 interface2021

    • 著者名/発表者名
      T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio-based approach2021

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      SPIE Photonic West OPTO
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Surface coverage of impurities during GaN and AlN MOVPE2021

    • 著者名/発表者名
      Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Modeling semiconductor epitaxy for next generation power device application2021

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      IMI Workshop on Fiber Topology Meets Applications
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] ドライおよびウェット酸化種が共存する4H-SiC/SiO2界面での反応機構の理論的検討2021

    • 著者名/発表者名
      清水紀志, 秋山亨, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるIII-V族化合物-グラフェン超格子の構造および電子状態解析2021

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 表面・界面制御による特異構造創成2021

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study for the effect of NO annealing after dry oxidation2020

    • 著者名/発表者名
      T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computational prediction for stable structures of graphene van der Waals heterostructures composed of group-III-V compounds2020

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of wet ambient on dry oxidation processes at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study2020

    • 著者名/発表者名
      T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate2020

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Nagai, Toru Akiyama, Kohji Nakamura and Tomonori Ito
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 窒化物半導体成長プロセスの理論解析:不純物混入機構2020

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      日本物理学会2020年秋季大会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 不純物混入と深紫外デバイス特性の相関2020

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 第一原理計算を用いた4H-SiC/SiO2界面での酸化過程の検討:ウェット酸化の影響2020

    • 著者名/発表者名
      清水紀志, 秋山亨, A. -M. Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] モンテカルロ計算によるGaAs(001)基板上InAsぬれ層の表面構造変化の理論検討2020

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 米本和弘, 日紫喜文昭, A. -M. Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication2020

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Norimatsu, and H. Miyake
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] A theoretical model for carbon coverage on GaN polar surfaces during MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      D. Yosho, Y. Inatomi, and Y. Kangawa
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体プロセス・インフォマティクス:不純物混入の抑制2020

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第49回薄膜・表面物理度基礎講座
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN(0001)基板上におけるInNおよびInGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      永井勝也, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構:量子論に立脚したBCFモデル2020

    • 著者名/発表者名
      用正大地, 新宅史哉, 稲富悠也, 寒川義裕, 岩田潤一, 押山淳, 白石賢二, 田中敦之, 天野浩
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索2020

    • 著者名/発表者名
      草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関:第一原理計算に基づく理論解析2020

    • 著者名/発表者名
      中野崇志、原嶋庸介、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      清水紀志, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条件におけるAlN(0001)表面でのステップ端における吸着・脱離の挙動に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      相可拓巳, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] BAlNおよびBGaN混晶薄膜の構造安定性および混和性に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      長谷川裕也, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 自由エネルギー表式を用いたGaN(0001)基板上におけるInGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析2020

    • 著者名/発表者名
      永井勝也, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      清水紀志, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] GaN(0001)表面におけるステップ間相互作用に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 相可拓巳, 瀬田雄基, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Absolute surface energies of AlGaN(0001) under metaloroganic vapor epitaqxy2019

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Nagai, Shinnosuke Tsumuki, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of AlN nonpolar planes during metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Tsunashi Shimizu, Yuki Seta, Abdul-Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Band gaps in short period superlattices consisted of different compositional AlInN alloys2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Monte Carlo simulation of GaN MOVPE process: carbon incorporation mechanism2019

    • 著者名/発表者名
      S. Yamamoto, Y. Okawachi, P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Adatom Density on Polar GaN Surfaces During MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Step bunching stability; instability diagram for nitride semiconductor growth2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical investigations on structural stability of two-dimensional ultrathin films in group III-V materials2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuya Hasegawa, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 2019 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Electronic structure analysis of the core structures of threading dislocations in GaN2019

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical analysis for growth mode of AlGaN thin films on AlN(0001) substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Shinnosuke Tsumuki, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      10th International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic theoretical investigations for structural change of wetting layer surface in InAs/GaAs(001)2019

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Kazuhiro Yonemoto, Abdul-Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      10th International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic approach to developing empirical interatomic potentials for two-dimensional III-nitrides2019

    • 著者名/発表者名
      Yuya Hasegawa, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductor
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Equilibrium morphologies of faceted GaN under metalorganic vapor phase epitaxy condition -Wulff construction using absolute surface energies2019

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Calculation of Band Gaps of Al1-xInxN Alloys and Short Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Magorzata Wierzbowska, and Stanisaw Krukowski
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with m-plane Surface2019

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study on step bunching instability during nitride semiconductor growth2019

    • 著者名/発表者名
      Yuya Inatomi, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A new theoretical approach to nitride crystal growth: impurity incorporation mechanism2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel, Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Ab initio study for adsorption and desorption behavior at step edges of GaN(0001) surface2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takumi Ohka, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and stability of two-dimensional materials composed of growth III-V and II-VI elements2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuya Hasegawa, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio study for adsorption and desorption behavior of wetting layer surface of InAs grown on GaAs(001) substrate2019

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Yonemoto, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles calculation of absolute surface energies of GaN during oxide vapor phase epitaxy growth2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamics of vapor-surface equilibria in ab initio modelling of semiconductor growth processes2019

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Pawel Strak, Konrad Sakowski, Yoshihiro Kangawa, and Stanisaw Krukowski
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Study of the origins of carbon impurities on GaN MOVPE from a gas phase reaction perspective2019

    • 著者名/発表者名
      Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical approach of oxygen incorporation into GaN grown on vicinal GaN(10-10)2019

    • 著者名/発表者名
      Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Unintentional doping in GaN MOVPE: A new theoretical model2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Theoretical approach to oxygen incorporation mechanism in vicinal m-GaN MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio study for adsorption and desorption behavior at step edges of AlN(0001) and GaN(0001) surfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takumi Ohka, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study for the adsorption-desorption behavior of stepped III-nitrides during MOVPE growth2019

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohka, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of adatom kinetics on facet formation of GaN during metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Relationship between the band gap of InN/AlN SLs and lattice distortion2019

    • 著者名/発表者名
      Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio calculations for the effect of wet oxidation condition on the reaction processes at 4H-SiC/SiO2 interface2019

    • 著者名/発表者名
      Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electronic Devices Science and Technology
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computational materials science for nitride semiconductor epitaxial growth2019

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 学会等名
      8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] First-principles phonon calculations as a method of improving the atomistic thermodynamics of III-nitrides surfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      5th Workshop on ab initio phonon calculations
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 酸素不純物を考慮したGaN表面エネルギーの面方位依存性2019

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今西正幸,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InN/AlN超格子構造におけるバンドギャップに対する格子不整合の影響2019

    • 著者名/発表者名
      浜地祐矢,河村貴宏,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] m面GaN-MOVPEにおける酸素混入量の基板傾斜方向依存性の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      新宅史哉、寒川義裕、岩田潤一、押山淳、白石賢二、田中敦之、天野浩
    • 学会等名
      第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕
    • 学会等名
      第42回結晶成長討論会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 二元系ANB8-N化合物における二次元原子層物質の構造安定性に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 長谷川裕也, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE条件下におけるⅢ族窒化物半導体無極性面の熱力学解析2019

    • 著者名/発表者名
      清水紀志, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条件下でのGaNナノ構造の形状評価:Wulffの作図法による検証2019

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基, Abdul-Muizz Pradipto, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Wedge-shape geometry法を用いたAlGaN(0001)における表面エネルギーの評価2019

    • 著者名/発表者名
      永井勝也, 積木伸之介, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長中におけるGaN(0001)表面のステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      相可拓巳, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InAs/GaAs(001)ぬれ層表面における成長初期過程に関する理論的検討:c(4×4)表面における吸着・脱離の挙動2019

    • 著者名/発表者名
      米本和弘, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるNa―Ga 融液中のN―N,C―C およびC―H 結合状態の解析2019

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,今西正幸,吉村政志,森勇介,森川良忠
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InN/AlN超格子構造のバンドギャップと格子歪みとの関係2019

    • 著者名/発表者名
      浜地祐矢,河村貴宏,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析2019

    • 著者名/発表者名
      中野崇志、原嶋庸介、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 計算材料科学で識る窒化物半導体のナノ構造・エピタキシャル成長2019

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] BAlNおよびBGaNにおける二次元原子層膜形成に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      長谷川裕也, Abdul-Muizz Pradipto, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InAs/GaAs(001)ぬれ層表面におけるIn原子の吸着および脱離の挙動に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      米本和弘, Abdul-Muizz Pradipto, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条件下におけるGaN複合ファセット上の吸着Ga原子の影響2019

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基, Abdul-Muizz Pradipto, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 未来材料開拓に向けた相界面制御2019

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] NaフラックスGaN成長における融液中のNとC原子に関する結合状態の第一原理計算2019

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,村田拓郎,今西正幸,吉村政志,森勇介,森川良忠
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] AlN(0001)基板上におけるAlGaN 薄膜の成長様式に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      積木伸之介,Abdul-Muizz Pradipto,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2019 年第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,相可拓巳,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2019 年第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析2019

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,竹田浩基,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      2019 年第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体成長モデリングの進展:不純物混入機構の考察2019

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第11回九大2D物質研究会「2D物質の形成と構造・物性評価」
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物における表面・界面構造の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      第47 回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN MOVPEにおける炭素取込み機構の考察2018

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第47 回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 第一原理計算によるGaN結晶成長に関する研究2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏
    • 学会等名
      第47回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるAlN/InN超格子のバンドギャップ解析2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,藤田裕真,浜地祐矢,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] A new theoretical model for adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
    • 学会等名
      第37回電子材料シンポジウム
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 自由エネルギー表式によるAlN(0001)基板上におけるGaN 薄膜の成長様式に関する理論的解析2018

    • 著者名/発表者名
      積木伸之介,Abdul-Muizz Pradipto,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] GaN(0001)面におけるステップの安定性に関する理論的研究2018

    • 著者名/発表者名
      相可拓巳,Abdul-Muizz Pradipto,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体の有機金属気相エピタキシー成長における熱力学解析:半極性面の検討2018

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳,草場彰,寒川義裕
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] BAlN およびBGaN における構造安定性および混和性に関する理論的検討2018

    • 著者名/発表者名
      長谷川裕也,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] InAs/GaAs(001)系ミスフィット転位形成に関する理論的検討:表面再構成の影響2018

    • 著者名/発表者名
      米本和弘,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物における極性および半極性の表面エネルギー計算アルゴリズムの構築2018

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,瀬田雄基,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物二次元原子層膜の構造安定性に関する理論的検討:膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,坪井佑磨,長谷川裕也,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 計算科学で見るGaN エピタキシャル成長2018

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,藤田裕真,浜地祐矢,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] GaN-MOVPE成長におけるCH4吸着確率とC不純物濃度の面方位依存性2018

    • 著者名/発表者名
      草場彰,李冠辰,Pawel Kempisty,Michael R. von Spakovsky,寒川義裕
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] AlInN超格子構造におけるバンドギャップの組成依存性2018

    • 著者名/発表者名
      藤田裕真,河村貴宏,鈴木泰之,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 電子材料開発における計算科学の進展2018

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Recent progress in computational material science for growth of nitride semiconductors I I2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama
    • 学会等名
      4th International Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Recent progress in computational material science for growth of nitride semiconductors I2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 学会等名
      4th International Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Ab initio-based approach to crystal growth of nitride semiconductors: alloy composition and impurity concentration2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      4th International Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Structural analysis of polarity inversion boundary in sputtered AlN films annealed under high temperatures2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Motoshi Uchino, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, S. Xiao, Hideto Miyake
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth condition2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Abdul-Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, A. Kusaba, Y. Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A new computational approach for structural stability and miscibility in BAlN and BGaN alloys2018

    • 著者名/発表者名
      Yuya Hasegawa, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Investigation of Compositional Dependence of Band Gaps in AlN/InN and InN/GaN Superlattices2018

    • 著者名/発表者名
      Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, Stanislaw Krukowski
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface2018

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical invesigations for growth mode of GaN thin films on AlN(0001) substrate2018

    • 著者名/発表者名
      Shinnosuke Tsumuki, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Surface adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE: a theoretical approach2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic improvement of III-nitrides surface thermodynamics by including first principles phonon calculations2018

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Non-equilibrium analysis of CH4 adsorption on GaN(0001) and (000-1): the growth orientation dependence of the C impurity concentration2018

    • 著者名/発表者名
      Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Monte Carlo study of influence of MOVPE growth condition on carbon concentration in GaN epi-layer2018

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of surface reconstructions on misfit dislocation formation in InAs/GaAs(001)2018

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Yonemoto, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computational approach for the stability of stepped GaN(0001) surfaces2018

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohka, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio based-approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Influence of surface reconstruction on the impurity incorporation in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] An interpretation for defect-induced structural transformation in SiC2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Abdul-Muizz Pradipto
    • 学会等名
      American International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Twinning superlattice formation in III-V compound semiconductor nanowires revisited: Effects of surface and twinning energies2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuma Tsuboi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical investigations for formation process of submonolayer InAs on GaAs(001) during MBE growth2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Abdul-Muizz Pradipto
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] An ab initio study for the formation of two-dimensional III-nitride compound ultrathin films: Efects of Ag(111) substrate2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuma Tsuboi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth mode in heteroepitaxial system from nano- and macro-theoretical viewpoints2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Effective approach for calculating absolute surface energies of polar and semipolar planes for group-III nitrides under MOVPE conditions2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuki Seta, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices2018

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A simple theoretical approach to growth mode of III-nitride thin films2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Abdul-Muizz Pradipto
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study: Impurity incorporation in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      S. Yamamoto, Y. Inatomi, A. Kusaba, P. Kempisty, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A theoretical model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Contribution of first principles phonon calculations to thermodynamics analysis of GaN surfaces2018

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System2018

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, P. Kempisty, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] New approach for calculating absolute surface energies of wurtzite structured group III-nitrides2018

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuki Seta, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 34th International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Absolute surface energies of semipolar planes of AlN during metalorganic vapor phase epitaxy growth2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities2018

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Empirical Interatomic potential approach to the stability of graphitic structure in BAlN and BGaN2018

    • 著者名/発表者名
      Yuya Hasegawa, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Surface reconstruction and impurity incorporation in GaN MOVPE: Ab initio-based modeling2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, S. Krukowski, K. Shiraishi, K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Theoretical investigations for surface reconstructions of submonolayer InAs grown on GaAs(001)2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Abdul-Muizz Pradipto
    • 学会等名
      The 45th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Modeling and process design of III-nitride MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Theoretical investigations for strain relaxation and resultant growth mode in InAs/Gas heteroepitaxial system2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      The 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto
    • 学会等名
      SPIE photonic west OPTO
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] BAlNおよびBGaN混晶における結晶構造および電子状態:基板拘束の影響2018

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 界面・表面エネルギー計算によるIII-V族窒化物極性表面・界面構造状態図の作成2017

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中根晴信,内野基,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 界面エネルギー計算に基づくAlN(000-1)基板上のAlNおよびGaNの極性反転に関する理論的検討2017

    • 著者名/発表者名
      内野基,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関2017

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕、伊藤智徳、柿本浩一
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 溝加工(10-10)GaN基板上へのGaN選択横方向成長2017

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐,岩生 浩季,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとHVPE法によるホモエピ成長2017

    • 著者名/発表者名
      劉怡康,三宅秀人,平松和政, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] スパッタ法を用いたサファイア基板上へのAlN 堆積2017

    • 著者名/発表者名
      山木佑太,岩山章, 三宅秀人, 平松 和政, 小松永治,寺山暢之
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造の第一原理計算2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates2017

    • 著者名/発表者名
      R. Yoshizawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma2017 / IC-PLANTS2017
    • 発表場所
      中部大学(愛知県・春日井市)
    • 年月日
      2017-03-01
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical investigations for strain relaxation and growth mode of InAs thin layers on GaAs(110)2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      44th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of polytype and atomic arrangements on thermoelectric properties of SiGe nanowires: A combination of density functional theory and Boltzmann transport equation calculations2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takato Komoda, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      10th Nanowire Growth Workshop
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic theoretical investigations of polytypism in AlN2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and polarity of III-nitrides: Phase diagram calculations using absolute surface and interface energies2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Harunobu Nakane, Motoshi Uchino, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Role of oxygen atoms on polarity inversion of N-polar AlN buffer layers: A first-principles theory2017

    • 著者名/発表者名
      Motoshi Uchino, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic theoretical investigations for crystal structure deformation in group-III nitrides: A first-principles study2017

    • 著者名/発表者名
      Yuma Tsuboi, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Density Functional Theory study on stability of carbon and oxygen at GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN MOVPE: influence of lattice constraint2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions2017

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Stability of graphitic structure in BAlN and BGaN alloy semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuma Tsuboi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      Advances in Functional Materials
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Shinnosuke Hori, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shirashi
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic modeling of NH3 chemical adsorption on GaN(0001) reconstructed surfaces under metalorganic vapor phase epitaxy conditions2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      E-MRS Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles study of semipolar GaN (10-11) surfaces under oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      E-MRS Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio-based approach to epitaxial growth of III-nitrides and their alloys2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 学会等名
      6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Stability of the carbon and oxygen impurities in the subsurface layer near the polar GaN surface2017

    • 著者名/発表者名
      P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio approach to polarity inversion of AlN caused by oxygen atoms2017

    • 著者名/発表者名
      Motoshi Uchino, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio study for structural transformation in group III-nitirides2017

    • 著者名/発表者名
      Yuma Tsuboi, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structural stability and electronic structure of BAlN and BGaN alloy semiconductor: A first-principles study2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Workshop of UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Abrupt polarity inversion of AlN for second harmonics generation in DUV region2017

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hayashi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Ryuji Katayama
    • 学会等名
      International Workshop of UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Molecular dynamics simulation of strain relaxation of AlN buffer layer2017

    • 著者名/発表者名
      Yusei Morimoto, Takahiro Kawamura, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and energetics of faceted inversion domain boundaries in GaN and AlN doped with Mg2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題2017

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] NH3化学吸着の非平衡状態発展:最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング2017

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] AlInN薄膜成長における格子不整合と組成取り込み効率の相関2017

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 分子動力学法によるAlNバッファ層のひずみ緩和シミュレーション2017

    • 著者名/発表者名
      森本由成,河村貴宏,鈴木泰之,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] OVPE法によるGaN成長における極性および非極性GaN表面構造の解析2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討2017

    • 著者名/発表者名
      堀真輔,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳,影島博之,植松真司,白石賢二
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 2次元成長,3次元成長を分ける成長メカニズム2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 高濃度Mg添加AlNおよびGaNにおけるインバージョンドメイン形成に関する理論的検討:界面エネルギーによる評価2017

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] III族窒化物二次元原子層膜の構造変形に関する理論的研究2017

    • 著者名/発表者名
      坪井佑磨,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] N極性AlN層における酸素起因極性反転の理論的検討2017

    • 著者名/発表者名
      内野基,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析2017

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, G. Li, M. R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算を用いたOVPE成長中の半極性GaN表面構造の解析2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析2017

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕, 芳松克則, 白石賢二, 柿本浩一
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第105回研究会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] A kinetic-thermodynamic theory in step-flow growth of compound semiconductor: Application to impurity incorporation in GaN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      大阪電気通信大学国際ワークショップ
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Influence of lattice constraint on In incorporation in InGaN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 36th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] GaNの表面構造と結晶成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      豊田工業大学合同シンポジウム
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 計算科学で識る窒化物半導体表面と結晶成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      日本真空学会東海支部12月研究例会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 計算科学で識る分子線エピタキシャル成長:表面,界面,成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Investigation of high-temperature annealing process of sputtered AlN films2017

    • 著者名/発表者名
      Shiyu Xiao, Ryoya Suzuki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shunta Harada, Toru Ujihara
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Fabrication of highly oriented c-plane AlN buffer layer by metalorganic vapor phase epitaxy on nucleation layer deposited by sputtering2017

    • 著者名/発表者名
      Ryo Yoshizawa, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio calculations for the polytypism in AlN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, T. Akiyama, and K. Nakamura
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona(USA)
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical investigations for stability and polarity of GaN/ZnO interfaces2016

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, H. Nakane, K. Nakamura, and T. Ito
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona(USA)
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study for structures and polarity of polar AlN/6H-SiC interfaces2016

    • 著者名/発表者名
      H. Nakane, T. Akiyama, K. Nakamura, and T. Ito
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona(USA)
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical investigations for polarity of AlN films on AlN(000-1) substrate: Effects of metal overlayer on interface stability2016

    • 著者名/発表者名
      M. Uchino, T. Akiyama, K. Nakamura, and T. Ito
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona(USA)
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] nnovation of AlN solution growth technique2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa
    • 学会等名
      Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors
    • 発表場所
      新竹(台湾)
    • 年月日
      2016-10-30
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Effects of atomic arrangements on electronic structure of threading dislocations in III-nitride alloy semiconductor: A first-principles study2016

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, R. Sakaguchi, T. Akiyama, and T. Ito
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, M. R. von Spakovsky, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Study of Surface Phase Diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth Conditions2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 結晶成長条件下での窒化物半導体非極性表面構造の安定性2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] ScAlMgO4/GaN界面構造安定性に対する量子論的アプローチ:Sc-O劈開面での検討2016

    • 著者名/発表者名
      中根晴信,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] AlN/SiCおよびGaN/SiC極性界面の構造安定性に関する理論的検討:歪み緩和の影響2016

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中根晴信,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] InAs/GaAs(001)系の表面エネルギーと成長様式に関する理論的検討2016

    • 著者名/発表者名
      海田諒,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] GaN結晶成長シミュレーションの新展開: 第一原理計算に基づくアプローチ2016

    • 著者名/発表者名
      寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析2016

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] An ab initio approach for stability of polar GaN/SiC and AlN/SiC interfaces2016

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, T. Ito, and K. Nakamura
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and stability of polar GaN thin films on ScAlMgO4 substrate: An ab initio-based study2016

    • 著者名/発表者名
      H. Nakane, T. Akiyama, K. Nakamura, and T. Ito
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study for misfit dislocation formation at InAs/GaAs(001) interface2016

    • 著者名/発表者名
      R. Kaida, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of InN metalorganic vapor phase epitaxy: influence of growth orientation and surface reconstruction2016

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, H. Amano, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Contribution of lattice constraint to indium incorporation during coherent growth of InGaN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Tamura, A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Stable Structure of GaN(0001) under the OVPE Growth Conditions2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First Principles Based Simulation for Compound Semiconductor Growth Processes2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM 2016) Short Course
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [図書] Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds Computational Approach2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa Takashi Nakayama, Kenji Shiraishi
    • 総ページ数
      223
    • 出版者
      Springer
    • ISBN
      9783319766409
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [図書] Advances in Computer Simulation Studies on Crystal Growth2018

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Nada (Editor), Tomonori Ito, Toru Akiyama 他
    • 総ページ数
      137
    • 出版者
      Mdpi AG
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会・シンポジウム開催] International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)2017

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書

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公開日: 2016-07-04   更新日: 2022-05-18  

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