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陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価

計画研究

研究領域特異構造の結晶科学:完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
研究課題/領域番号 16H06424
研究種目

新学術領域研究(研究領域提案型)

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関筑波大学

研究代表者

上殿 明良  筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)

研究分担者 大島 永康  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (00391889)
角谷 正友  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 (20293607)
石橋 章司  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (30356448)
奥村 宏典  筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
研究期間 (年度) 2016-06-30 – 2021-03-31
研究課題ステータス 完了 (2020年度)
配分額 *注記
50,700千円 (直接経費: 39,000千円、間接経費: 11,700千円)
2020年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2019年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2018年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
2017年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
2016年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
キーワード結晶 / 点欠陥 / 空孔型欠陥 / 陽電子消滅 / 陽電子消滅シミュレーション / 光熱偏向分光法 / 結晶欠陥 / 光学特性 / 電気的特性 / 結晶特異構造 / キャリア捕獲 / 超格子構造 / 室温PL発光寿命 / 理論計算 / 0次元欠陥 / 陽電子 / X線回折 / 光熱偏光分光法 / 欠陥 / キャリア / 捕獲 / イオン注入 / 長周期InGaN/GaN超格子構造 / 格子欠陥 / 結晶成長 / 結晶工学
研究成果の概要

本学術領域研究は、結晶特異構造を研究することにより結晶科学を拡張することを目的としている。本計画研究の目的は、陽電子消滅を用いて、0次元特異構造の光学特性や電気的特性等についての知見を得て、拡張結晶学の構築に寄与することである。本研究により、特異構造のサイズより大きな直径をもつ陽電子ビームを用いても、空孔型欠陥が評価できるノウハウを蓄積した。また、高強度陽電子ビームを用いて陽電子ビーム径を数百μmにまで集束することに成功した。加えて、光熱偏向分光法の有効性を実証、陽電子消滅、光熱偏光分光、発光スペクトル解析を用いることにより、0次特異構造の光学特性や電気的特性を評価できるようになった。

研究成果の学術的意義や社会的意義

本計画研究により、0次特異構造の特性を評価できるようになった。また、陽電子消滅シミュレーションの発達により、新規材料を評価する場合の困難さも低減された。これらの成果により、今後も拡張結晶学の進展に寄与できると考えられる。また、得られた知見を用いて、従来は使用することが難しかったAlNやGa2O3を用いたデバイスを作製、動作させることに成功した。本研究で開発された装置の一部は共用化が行われており、空孔型欠陥の評価に広く使用できるようになっている。また、研究代表者が設置したスタートアップによっても装置群にアクセスすることができ、一般の研究者に対しても寄与できる体制を整えた。

報告書

(6件)
  • 2020 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2019 実績報告書
  • 2018 実績報告書
  • 2017 実績報告書
  • 2016 実績報告書
  • 研究成果

    (171件)

すべて 2021 2020 2019 2018 2017 2016 その他

すべて 国際共同研究 (15件) 雑誌論文 (55件) (うち国際共著 19件、 査読あり 54件、 オープンアクセス 7件) 学会発表 (100件) (うち国際学会 45件、 招待講演 27件) 図書 (1件)

  • [国際共同研究] TUM/UniBwM(ドイツ)

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [国際共同研究] IMEC(ベルギー)

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      2020 実績報告書
  • [国際共同研究] UNIPRESS(ポーランド)

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [国際共同研究] Wuhan Univ.(中国)

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [国際共同研究] MIT(米国)

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      2020 実績報告書
  • [国際共同研究] TUM FRM2/HZDR/UniBwM(ドイツ)

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      2019 実績報告書
  • [国際共同研究] CNRS(フランス)

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      2019 実績報告書
  • [国際共同研究] MIT(米国)

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      2019 実績報告書
  • [国際共同研究] ミュンヘン工科大学/ハレ大学/HZDR(ドイツ)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] グルノーブルアルプス大学/CEA/LETI(フランス)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] アールト大学(フィンランド)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] MIT(米国)

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      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] Technische Universitat Munchen/Universitat der Bundeswehr Muchen(ドイツ)

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      2017 実績報告書
  • [国際共同研究] MIT(米国)

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  • [国際共同研究] Aalto Univ.(フィンランド)

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      2017 実績報告書
  • [雑誌論文] 陽電子ビームによる大気環境下での機能性薄膜評価2021

    • 著者名/発表者名
      大島永康
    • 雑誌名

      計測と制御

      巻: 60 号: 3 ページ: 187-191

    • DOI

      10.11499/sicejl.60.187

    • NAID

      130007999980

    • ISSN
      0453-4662, 1883-8170
    • 年月日
      2021-03-10
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      2020 実績報告書
  • [雑誌論文] Low-temperature annealing behavior of defects in Mg-ion-implanted GaN studied using MOS diodes and monoenergetic positron beam2020

    • 著者名/発表者名
      Akazawa Masamichi、Kamoshida Ryo、Murai Shunta、Kachi Tetsu、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: 1 ページ: 016502-016502

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abcf08

    • NAID

      120007181819

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dynamic observation and theoretical analysis of initial O2 molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN2020

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, M. Sumita, Y. Asai, R. Tamura, A. Uedono, A. Yoshigoe
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: 124 号: 46 ページ: 25282-25290

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.0c07151

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam2020

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Sakurai Hideki、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Bockowski Michal、Suda Jun、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Kachi Tetsu
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 10 号: 1 ページ: 17349-17349

    • DOI

      10.1038/s41598-020-74362-9

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Morphological characterization and mechanical behavior by dicing and thinning on direct bonded Si wafer2020

    • 著者名/発表者名
      Inoue Fumihiro、Podpod Arnita、Peng Lan、Phommahaxay Alain、Rebibis Kenneth June、Uedono Akira、Beyne Eric
    • 雑誌名

      Journal of Manufacturing Processes

      巻: 58 ページ: 811-818

    • DOI

      10.1016/j.jmapro.2020.08.050

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams2020

    • 著者名/発表者名
      Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 128 号: 8 ページ: 085704-085704

    • DOI

      10.1063/5.0015225

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Pore structure analysis of ionic liquid-templated porous silica using positron annihilation lifetime spectroscopy2020

    • 著者名/発表者名
      Sagara Akihiko、Yabe Hiroki、Chen X.、Vereecken Philippe M.、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Microporous and Mesoporous Materials

      巻: 295 ページ: 109964-109964

    • DOI

      10.1016/j.micromeso.2019.109964

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Selective trapping of positrons by Ag nanolayers in a V/Ag multilayer system2020

    • 著者名/発表者名
      Qi N、Zhang X.、Chen Z. Q.、Ren F.、Zhao B.、M. Jiang M.、 Uedono A.
    • 雑誌名

      AIP Adv.

      巻: 10 ページ: 035012-035012

    • NAID

      120007183436

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Magnetic properties of metastable bcc phase in Fe64Ni36 alloy synthesized through polyol process2020

    • 著者名/発表者名
      Jacob G. Antilen、Sellaiyan S.、Uedono A.、Joseyphus R. Justin
    • 雑誌名

      Applied Physics A

      巻: 126 号: 2 ページ: 120-120

    • DOI

      10.1007/s00339-020-3292-3

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      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Growth of high-quality GaN by halogen-free vapor phase epitaxy2020

    • 著者名/発表者名
      Kimura Taishi、Kataoka Keita、Uedono Akira、Amano Hiroshi、Nakamura Daisuke
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 8 ページ: 085509-085509

    • DOI

      10.35848/1882-0786/aba494

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaial, and proton-irradiated ZnO2020

    • 著者名/発表者名
      Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Kazunobu Kojima, Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, Shoji Ishibashi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 127 号: 21 ページ: 215704-215704

    • DOI

      10.1063/5.0011309

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of double-barrier β-(AlGa)2O3/Ga2O3 structure and heavily Sn-doped Ga2O3 layers using molecular-beam epitaxy2020

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 7 ページ: 075503-075503

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab9a8b

    • NAID

      120007169672

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Influence of thin MOCVD-grown GaN layer on underlying AlN template2020

    • 著者名/発表者名
      Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Yasiro Shuhei、Honda Tohru
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 532 ページ: 125376-125376

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.125376

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書 2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Evaluation Methodology of Diffusion Coefficient of Guest Substances Associated with Angstrom-Scale Open Spaces in Materials by Slow Positron Beam2020

    • 著者名/発表者名
      Kiminori Sato and Nagayasu Oshima
    • 雑誌名

      Review of Scientific Instrument

      巻: 91 号: 8 ページ: 0839071-0839075

    • DOI

      10.1063/5.0012254

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      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of AlGaN/InGaN/GaN Heterostructure on AlN Template/Sapphire2020

    • 著者名/発表者名
      Sumiya Masatomo、Kindole Dickson、Fukuda Kiyotaka、Yashiro Shuhei、Takehana Kanji、Honda Tohru、Imanaka Yasutaka
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 257 号: 4 ページ: 1900524-1900524

    • DOI

      10.1002/pssb.201900524

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      2019 実績報告書
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  • [雑誌論文] Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Yamashita Yudai、Takahara Yuuki、Sato Takuma、Toko Kaoru、Uedono Akira、Suemasu Takashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 5 ページ: 055506-055506

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab14b9

    • NAID

      120007127924

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      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate2019

    • 著者名/発表者名
      Sato Yoshihiro、Shibata Satoshi、Uedono Akira、Urabe Keiichiro、Eriguchi Koji
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology A

      巻: 37 号: 1 ページ: 011304-011304

    • DOI

      10.1116/1.5048027

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      2019 実績報告書 2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of defects on the electrical properties of p-n diodes formed by implanting Mg and H ions into N-polar GaN2019

    • 著者名/発表者名
      H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Kanechika, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 126 号: 12 ページ: 125102-125102

    • DOI

      10.1063/1.5116886

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Annealing Behavior of Vacancy‐Type Defects in Mg‐ and H‐Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2019

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 256 号: 10 ページ: 1900104-1900104

    • DOI

      10.1002/pssb.201900104

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      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures2019

    • 著者名/発表者名
      Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Takashima Shin-ya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Ishibashi Shoji、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC0802-SC0802

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab0d06

    • NAID

      210000156122

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in GaN self-assembled nanowires probed using monoenergetic positron beam2019

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Siladie Alexandra-Madalina、Pernot Julien、Daudin Bruno、Ishibashi Shoji
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 125 号: 17 ページ: 175705-175705

    • DOI

      10.1063/1.5088653

    • NAID

      120007133415

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      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal deflection spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Sumiya M.、Fukuda K.、Takashima S.、Ueda S.、Onuma T.、Yamaguchi T.、Honda T.、Uedono A.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 511 ページ: 15-18

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.01.021

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      2019 実績報告書 2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of dopant concentration and annealing of Yttrium doped CuO nanocrystallites studied by positron annihilation spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      Sellaiyan S.、Vimala Devi L.、Sako K.、Uedono A.、Sivaji K.
    • 雑誌名

      Journal of Alloys and Compounds

      巻: 788 ページ: 549-558

    • DOI

      10.1016/j.jallcom.2019.02.247

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      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Two-dimensional mapping of hydrogen and other elements in materials with microbeam-based transmission ERDA and PIXE2019

    • 著者名/発表者名
      Yamazaki A.、Naramoto H.、Sasa K.、Ishii S.、Tomita S.、Sataka M.、Kudo H.、Ohkubo M.、Uedono A.
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

      巻: 450 ページ: 319-322

    • DOI

      10.1016/j.nimb.2018.10.015

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      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Computational study of positron annihilation parameters for cation mono-vacancies and vacancy complexes in nitride semiconductor alloys2019

    • 著者名/発表者名
      Ishibashi Shoji、Uedono Akira、Kino Hiori、Miyake Takashi、Terakura Kiyoyuki
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 31 号: 47 ページ: 475401-475401

    • DOI

      10.1088/1361-648x/ab35a4

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Nitrogen-Polar Polarization-Doped Field-Effect Transistor Based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC With Drain Current Over 100 mA/mm2019

    • 著者名/発表者名
      Lemettinen Jori、Chowdhury Nadim、Okumura Hironori、Kim Iurii、Suihkonen Sami、Palacios Tomas
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 40 号: 8 ページ: 1245-1248

    • DOI

      10.1109/led.2019.2923902

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    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination2019

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Tanaka Taketoshi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 12 ページ: 120902-120902

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab4f90

    • NAID

      120007132688

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    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Growth of InGaN films on hardness-controlled bulk GaN substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Fujikura Hajime、Konno Taichiro、Suzuki Takayuki、Fujimoto Tetsuji、Yoshida Takehiro、Ueda Shigenori、Watanabe Kenji、Ohnishi Tsuyoshi、Honda Tohru
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 115 号: 17 ページ: 172102-172102

    • DOI

      10.1063/1.5110224

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      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template2019

    • 著者名/発表者名
      Matsuura Haruka、Onuma Takeyoshi、Sumiya Masatomo、Yamaguchi Tomohiro、Ren Bing、Liao Meiyong、Honda Tohru、Sang Liwen
    • 雑誌名

      Applied Sciences

      巻: 9 号: 9 ページ: 1746-1746

    • DOI

      10.3390/app9091746

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Terahertz Cyclotron Resonance in AlGaN/GaN Heterostructures2019

    • 著者名/発表者名
      Kindole Dickson、Imanaka Yasutaka、Takehana Kanji、Sang Liwen、Sumiya Masatomo
    • 雑誌名

      Journal of the Korean Physical Society

      巻: 74 号: 2 ページ: 159-163

    • DOI

      10.3938/jkps.74.159

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010)2019

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Kato Yuji、Oshima Takayoshi、Palacios Tomas
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SB ページ: SBBD12-SBBD12

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab002b

    • NAID

      210000135426

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Fabrication of an AlN ridge structure using inductively coupled Cl2/BCl3 plasma and a TMAH solution2019

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 2 ページ: 026502-026502

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaf78b

    • NAID

      210000135293

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ion energy control and its applicability to plasma enhanced atomic layer deposition for synthesizing titanium dioxide films2018

    • 著者名/発表者名
      Iwashita Shinya、Denpoh Kazuki、Kagaya Munehito、Kikuchi Takamichi、Noro Naotaka、Hasegawa Toshio、Moriya Tsuyoshi、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 660 ページ: 865-870

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2018.03.001

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Positron Annihilation Studies on Chemically Synthesized FeCo Alloy2018

    • 著者名/発表者名
      Rajesh P.、Sellaiyan S.、Uedono A.、Arun T.、Joseyphus R. Justin
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 8 号: 1

    • DOI

      10.1038/s41598-018-27949-2

    • NAID

      120007134015

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN2018

    • 著者名/発表者名
      Chichibu S. F.、Uedono A.、Kojima K.、Ikeda H.、Fujito K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 16 ページ: 161413-161413

    • DOI

      10.1063/1.5012994

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Polarity-Dependence of the Defect Formation in C-axis Oriented ZnO by the Irradiation of an 8 MeV Proton Beam2018

    • 著者名/発表者名
      K. Koike, M. Yano, S. Gonda, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Kojima, S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 16 ページ: 161562-161562

    • DOI

      10.1063/1.5010704

    • NAID

      120007133775

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in Al2O3/GaN structure probed by monoenergetic positron beams2018

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Nabatame Toshihide、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Sumiya Masatomo、Ishibashi Shoji
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 15 ページ: 155302-155302

    • DOI

      10.1063/1.5026831

    • NAID

      120007133778

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of ion energies on the film properties of titanium dioxides synthesized via plasma enhanced atomic layer deposition2018

    • 著者名/発表者名
      Iwashita Shinya、Moriya Tsuyoshi、Kikuchi Takamichi、Kagaya Munehito、Noro Naotaka、Hasegawa Toshio、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films

      巻: 36 号: 2 ページ: 021515-021515

    • DOI

      10.1116/1.5001552

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura、S. Suihkonen、J. Lemettinen、A. Uedono、Y. Zhang、D. Piedra、T. Palacios
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FR11-04FR11

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fr11

    • NAID

      210000149017

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000-1) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H2018

    • 著者名/発表者名
      Shima K.、Iguchi H.、Narita T.、Kataoka K.、Kojima K.、Uedono A.、Chichibu S. F.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 113 号: 19 ページ: 191901-191901

    • DOI

      10.1063/1.5050967

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate2018

    • 著者名/発表者名
      Chichibu S. F.、Shima K.、Kojima K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.、Uedono A.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 112 号: 21 ページ: 211901-211901

    • DOI

      10.1063/1.5030645

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Annealing behavior of open spaces in AlON films studied by monoenergetic positron beams2018

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Yamada Takahiro、Hosoi Takuji、Egger Werner、Koschine Toenjes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Watanabe Heiji
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 112 号: 18 ページ: 182103-182103

    • DOI

      10.1063/1.5027257

    • NAID

      120007133766

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and InxGa1-xN films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, S. Ueda, K. Fukuda, Y. Asai, Y. Cho, L. Sang, A. Uedono, T. Sekiguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 雑誌名

      APEX

      巻: 11 号: 2 ページ: 021002-021002

    • DOI

      10.7567/apex.11.021002

    • NAID

      210000136099

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書 2017 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] 陽電子消滅による空孔型欠陥の評価2018

    • 著者名/発表者名
      1.上殿明良
    • 雑誌名

      New Diamond

      巻: 34 ページ: 49-52

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural evaluation of ions-implanted GaN films by photothermal deflection spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      Sumiya Masatomo、Fukuda Kiyotaka、Iwai Hideo、Yamaguchi Tomohiro、Onuma Takeyoshi、Honda Tohru
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 8 号: 11 ページ: 115225-115225

    • DOI

      10.1063/1.5052493

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality2018

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen、H. Okumura、I. Kim、C. Kauppinen、T. Palacios、S. Suihkonen
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 487 ページ: 12-16

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.02.013

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書 2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen、H. Okumura、I. Kim、M. Rudzinski、J. Grzonka、T. Palacios、S. Suihkonen
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 487 ページ: 50-56

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.02.020

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書 2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Transport of small and neutral solutes through reverse osmosis membranes: Role of skin layer conformation of the polyamide film2018

    • 著者名/発表者名
      Fujioka Takahiro、O'Rourke Brian E.、Michishio Koji、Kobayashi Yoshinori、Oshima Nagayasu、Kodamatani Hitoshi、Shintani Takuji、Nghiem Long D.
    • 雑誌名

      Journal of Membrane Science

      巻: 554 ページ: 301-308

    • DOI

      10.1016/j.memsci.2018.02.069

    • NAID

      120006988024

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] N-polar AlN buffer growth by metal organic vapor phase epitaxy for transistor applications2018

    • 著者名/発表者名
      Lemettinen Jori、Okumura Hironori、Palacios Tomas、Suihkonen Sami
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 号: 10 ページ: 101002-101002

    • DOI

      10.7567/apex.11.101002

    • NAID

      210000136358

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Determination of the transition point from electron accumulation to depletion at the surface of In x Ga1- x N films2018

    • 著者名/発表者名
      X. Sun, X. Wang, S. Liu, P. Wang, D. Wang, X. Zheng, L. Sang, M. Sumiya, S. Ueda, M. Li, J. Zhang, W. Ge and B. Shen
    • 雑誌名

      APEX

      巻: 11 号: 2 ページ: 021001-021001

    • DOI

      10.7567/apex.11.021001

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, Y. Zhang, D. Piedra, and T. Palacios
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57

    • NAID

      210000149017

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2017

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Takashima Shinya、Edo Masaharu、Ueno Katsunori、Matsuyama Hideaki、Egger Werner、Koschine Tonjes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. B

      巻: 2017 号: 4 ページ: 1700521-1700521

    • DOI

      10.1002/pssb.201700521

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Electron capture by vacancy-type defects in carbon-doped GaN studied using monoenergetic positron beams2017

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Tanaka Taketoshi、Ito Norikazu、Nakahara Ken、Egger Werner、Hugenschmidt Christoph、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 639 ページ: 78-83

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2017.08.021

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation2017

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Imanishi Masayuki、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo、Mori Yusuke
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 475 ページ: 261-265

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.06.027

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Two-component density functional study of positron-vacancy interaction in metals and semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi
    • 雑誌名

      Acta Physica Polonica A

      巻: 132 号: 5 ページ: 1602-1605

    • DOI

      10.12693/aphyspola.132.1602

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] 陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出2021

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,正直花奈子,上杉謙次郎,秩父重英,石橋章司,Dickmann Marcel,Egger Werner,Hugenschmidt Christoph,三宅秀人
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性2021

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,小島一信,Moody B.,三田清二,Collazo R.,Sitar Z.,熊谷義直,上殿明良
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価2021

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,小島一信,上殿明良,秩父重英
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Investigation on vacancy type defects in Fe doped SrSnO3 perovskite nanostructures by Positron annihilation spectroscopy2021

    • 著者名/発表者名
      M. Muralidharan, S. Sellaiyan, A. Uedono, K. Sivaji, M. Avinash and A. Kumari
    • 学会等名
      Int. Work. Positron Study Defects
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Cathodoluminescence studies of AlN epilayers grown by MOVPE on sputtered AlN templates annealed at high temperature2021

    • 著者名/発表者名
      T. Kasuya, K. Shima, K. Shojiki, K. Uesugi, K. Kojima, A. Uedono, H. Miyake, S. F. Chichibu
    • 学会等名
      8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Vacancies in AlN deposited by radio-frequency sputtering and MOVPE studied by positron annihilation spectroscopy2021

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, K. Shojiki, K. Uesugi, S. F. Chichibu, S. Ishibashi, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and H. Miyake
    • 学会等名
      8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth of AlxGa1-xN/InyGa1-yN hetero structure on AlN/sapphire templates2021

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, Y. Takahara, A. Alghamdi, G. Andersson, A. Uedono, and Y. Imanaka
    • 学会等名
      8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ehaviors of vacancy-type defects in Mg-implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2021

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S. Ishibashi, S. F. Chichibu, and T. Kachi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Interaction between hydrogen and vacancy-type defects in Mg-implanted2021

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Int. Work. Positron Study Defects
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 原子空孔分布分析のための陽電子マイクロプローブ2021

    • 著者名/発表者名
      大島永康
    • 学会等名
      020年度計量標準総合研究センター成果発表会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] AlNテンプレート上AlGaN/InxGa1-xNヘテロ構造の成長2020

    • 著者名/発表者名
      角谷正友,高原悠希,今中康貴,Alghamdi Amira,Gunther Andersson,竹端寛治,上殿明良
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO2膜の空隙の検出2020

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,上野航,細井卓治,Egger Werner,Hugenschmidt Christoph,Dickmann Marcel,渡部平司
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020

    • 著者名/発表者名
      粕谷拓生,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] A study of vacancy-type defects in wide-gap semiconductors by means of positron annihilation spectroscopy2020

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      MLZ User Meeting and German Neutron Scattering Conf.
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究2020

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,松山秀昭,M. Dickmann,W. Egger, C. Hugenschmidt,嶋紘平,小島一信,秩父重英,石橋章司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究2020

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,櫻井秀樹,成田哲生,Sierakowski Kacper,Bockowski Michal,須田淳,石橋章司,嶋紘平,秩父重英,加地徹
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] ベータ型(AlGa)2O3/Ga2O3 共鳴トンネルダイオードの作製2020

    • 著者名/発表者名
      奥村宏典
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 原子空孔分布分析のための陽電子マイクロプローブ2020

    • 著者名/発表者名
      大島永康
    • 学会等名
      荷電粒子ビームの工業への応用第132委員会・第242回研究会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 高分子複合材料の微細構造分布を可視化する高輝度陽電子顕微鏡の開発2020

    • 著者名/発表者名
      満汐孝治、大島 永康、オローク・ブライアン
    • 学会等名
      2020年度計量標準総合研究センター成果発表会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価2020

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,小島一信,Moody Baxter,三田清二,Collazo Ramon,Sitar Zlatko,熊谷義直,上殿明良
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平,中須大蔵,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020

    • 著者名/発表者名
      中須大蔵,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 陽電子消滅によるSiO2/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出2020

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,上野航,細井卓治,W. Egger,T. Koschine,C. Hugenschmidt,M. Dickmann M.,渡部平司
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InGaN/GaNヘテロ構造成長におけるAlNテンプレートの変化2020

    • 著者名/発表者名
      角谷正友,高原悠希,矢代秀平,本田 徹,Dickerson Kindole1,竹端寛治,今中康貴,上殿明良
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス2020

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,三田清二,Collazo Ramon,Sitar Zlatko,上殿明良
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Vacancy-type defects in ion-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams2019

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      MLZ User Meeting 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] In Line and Ex Situ Metrology and Characterization to Enable Area Selective Deposition2019

    • 著者名/発表者名
      C. Vallee, M. Bonvalot, B. Pelissier, J.-H. Tortai, S. David, S. belahcen, V. Pesce, M. Jaffal, A. Bsiesy, R. Gassilloud, N. Posseme, T. Grehl, P. Bruner, and A. Uedono
    • 学会等名
      American Vacuum Society Int. Sym.
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-Implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019

    • 著者名/発表者名
      K Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] The Infuence of AlN Nucleation Layer on Radio Frequency (RF) Transmission Loss of GaN-on-Si Structure2019

    • 著者名/発表者名
      M. Zhao, V. Spampinato, A. Franquet, D. Hein, L. Chang and A. Uedono
    • 学会等名
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN2019

    • 著者名/発表者名
      S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, and A. Uedono
    • 学会等名
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      SPIE Photonics West, OPTO
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West, OPTO
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Open spaces in Al2O3 film deposited on widegap semiconductors probed by monoenergetic positron beams2019

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, M. Sumiya, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      American Vacuum Society Int. Sym. Ohio
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Annealing behaviors of open spaces in thin Al2O3 films deposited on semiconductors studied using monoenergetic positron beams2019

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      15th Int. Workshop Slow Positron Beam Techniques and Applications
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Impact of Vacancy Complexes on the Nonradiative Recombination Processes in III-N Devices2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Vacancy-type defects in GaN-based power device structure defect characterization inion implanted GaN and Al2O3/GaN2019

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2019
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 光熱偏向分光法によるギャップ中準位の評価2019

    • 著者名/発表者名
      角谷正友
    • 学会等名
      第24回結晶工学セミナー 工学院大学新宿キャンパス
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Electron transport at the interface of AlGaN/InGaN fabricated on AlN template2019

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, D. Kindole, S. Yashiro, K. Takehana, T. Honda, and Y. Imanaka
    • 学会等名
      日本MRS創立30周年記念シンポジウム
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs2019

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, Y. Kato, T. Oshima, and T. Palacios,
    • 学会等名
      2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Direct Growth of AlGaN/InGaN/GaN Structure on AlN Template for Measurement of Effective Mass in InGaN Layer2019

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, D. Kindole, S. Yashiro, T. Honda, and Y. Imanaka
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] サイクロトロン共鳴に向けたAlNテンプレート上 AlGaN/InGaNヘテロ構造の成長2019

    • 著者名/発表者名
      角谷正友、福田清貴、矢代秀平、本田徹、D. Kindole、竹端寛治、今中康貴
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InGaN 二次元電子系の有効質量の評価2019

    • 著者名/発表者名
      今中康貴、Dickerson Kindole、竹端寛治、角谷正友
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] AlNテンプレート上に成長したGaN薄膜の光熱偏向分光法による評価2019

    • 著者名/発表者名
      矢代秀平、本田徹、角谷正友
    • 学会等名
      第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価2019

    • 著者名/発表者名
      角谷正友
    • 学会等名
      レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] Positron microbeam experiments in AIST2019

    • 著者名/発表者名
      Nagayasu Oshima
    • 学会等名
      4th Japan-China Joint Workshop on Positron Science
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 産総研 低速陽電子ビーム利用施設の現状 -寿命測定装置開発とビームライン整備2019

    • 著者名/発表者名
      満汐 孝治 、小林 慶規 、オローク・ブライアン、鈴木 良一、 大島 永康
    • 学会等名
      第56回アイソトープ・放射線研究発表会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 陽電子ビームを用いた消滅ガンマ線ドップラー広がりシステム2019

    • 著者名/発表者名
      大島 永康、オローク・ブライアン、満汐 孝治 、折原拓磨、佐藤公法
    • 学会等名
      2019年度計量標準総合センター成果発表会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 産総研・低速陽電子ビーム施設2019

    • 著者名/発表者名
      満汐 孝治 、オローク・ブライアン、大島 永康
    • 学会等名
      2019年度量子ビームサイエンスフェスタ
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価2019

    • 著者名/発表者名
      高島信也,上野勝典,田中亮,松山秀昭,江戸雅晴,嶋紘平,小島一信,秩父重英,上殿明良
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス2019

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,小島一信,上殿明良
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心2019

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,小島一信,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,石橋章司,上殿明良
    • 学会等名
      第216回研究集会 シリコンテクノロジー分科会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 光熱偏向分光法によるGaN自立基板上ホモエピタキシャル層の評価2019

    • 著者名/発表者名
      福田 清貴, 矢代秀平, 藤倉序章, 今野泰一郎, 鈴木貴征, 藤本哲爾, 吉田丈洋, 尾沼 猛儀, 山口智広,本田 徹, 角谷 正友
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 放射光光電子分光によるIII-V族窒化物半導体の価電子帯構造と表面酸化プロセスの評価2019

    • 著者名/発表者名
      角谷正友, 上田茂典, 吉越章隆, 隅田真人
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 欠陥・空隙評価のための産総研低速陽電子ビーム施設2019

    • 著者名/発表者名
      満汐孝治,小林慶規,オローク・ブライアン,鈴木良一,大島永康
    • 学会等名
      2018年度量子ビームサイエンスフェスタ
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積2018

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信,小池一歩,矢野満明,權田俊一,石橋章司,上殿明良
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Al2O3/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田清貴,浅井祐哉,関慶祐,Sang Liwen,吉越章隆,上殿明良,石垣隆正,尾沼猛儀,山口智広,本田徹,角谷正友
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 分子線酸素ビーム照射下その場観察XPS によるGaN 表面酸化の面方位依存性2018

    • 著者名/発表者名
      浅井祐哉,関慶祐,吉越章隆,隅田真人,石垣隆正,上殿明良,角谷正友
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田清貴,高島信也,尾沼猛儀,山口智広,本田徹,上殿明良,角谷正友
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018

    • 著者名/発表者名
      角谷正友,福田清貴,上田茂典,浅井祐哉,Cho Yujin,関口隆史,上殿明良,尾沼猛儀,Sang Liwen,山口智広,本田徹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures2018

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Evaluation of Al2O3/n-, p-GaN samples by photothermal deflection spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      K. Fukuda, Y. Asai, L. Sang, A. Yoshigoe, A. Uedono, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Sumiya
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Study of the dependence of GaN surface oxidation on the crystalline plane by in-situ XPS during O2 molecular beam irradiation2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Asai, A. Yoshigoe, M. Sumita, A. Uedono, and M. Sumiya
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Analysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement2018

    • 著者名/発表者名
      K. Yuge, T. Nabatame, Y. Irokawa, A. Ohi, N. Ikeda, A. Uedono, L. Sang, Y. Koide, and T. Ohishi
    • 学会等名
      2018 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal election spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, K. Fukuda, S. Takashima, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda, and A. Uedono
    • 学会等名
      19TH Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Carrier Trapping Properties of Defects in Mg-implanted GaN Probed by Monoenergetic Positron Beams2018

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, and S. Chichibu, S. Ishibashi
    • 学会等名
      45th Int. Sym. Compound Semiconductors, 30th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, Compound Semiconductor Week 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Vacancy-Type Defects and Their Carrier Trapping Properties in GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams2018

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, T. Tanaka, N. Ito, K. Nakahara, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and M. Sumiya
    • 学会等名
      Electro Chemical Soc. and Americas Int. Meeting Electrochem. Solis state Science
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Carrier Trapping and Detrapping Processes in Wide Bandgap Semiconductors Studied by Positron Annihilation2018

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Int. Conf. Positron Annihilation
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 学術界における量子ビーム利用-陽電子消滅法を例に-2018

    • 著者名/発表者名
      上殿明良
    • 学会等名
      第1回量子ビームクラブ研究会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価2018

    • 著者名/発表者名
      上殿明良
    • 学会等名
      第149回結晶工学分科会研究会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] PDS measurement for III-V nitride samples; InxGa1-xN, ion-implanted GaN and MOS structure2018

    • 著者名/発表者名
      K. Fukuda, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda and M.Sumiya
    • 学会等名
      第37回電子材料シンポジウム
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Evaluation of Structural Disorder and In-Gap States of III-V nitrides by Photothermal Deflection Spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, K. Fukuda, Y. Nakano, S. Ueda, L. Sang, H. Iwai, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 学会等名
      7th International Symposium of Nitride Semiconductor
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 産総研 電子加速器ベース低速陽電子利用施設2018

    • 著者名/発表者名
      大島永康,満汐孝治,オローク・ブライアン,小林慶規,鈴木良一
    • 学会等名
      第15回日本加速器学会年会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Demonstration of Nitrogen-face AlN-based polarization field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, J. Lemettinen, S. Suihkonen, T. Palacios
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Demonstration of beta-(AlGa)2O3 (010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, Y. Kato, T. Oshima, T. Palacios
    • 学会等名
      2018 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, J. Lemettinen, S. Suihkonen, T. Palacios
    • 学会等名
      45th Int. Sym. Compound Semiconductors, 30th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, Compound Semiconductor Week 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Slow positron beam and related research at AIST -Recent developments and future plans2018

    • 著者名/発表者名
      B. E. O’Rourke, K.Ito, Y. Kobayashi, K. Michishio, T. Ohdaira, N. Oshima, R. Suzuki, M. Yamawaki
    • 学会等名
      18th Int. Conf. Positron Annihilation
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Progress and Challenges of Crystal Growths and Devices for Wide Band-gap Semiconductors over 5 eV2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura
    • 学会等名
      Seminar, Ohio State University
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 陽電子を用いる超微細欠陥の評価技術2018

    • 著者名/発表者名
      オローク・ブライアン,満汐孝治,大平俊行, 小林慶規,鈴木良一,大島永康
    • 学会等名
      JASIS2018コンファレンス分析計測標準研究部門第4回シンポジウム
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] ナノ空隙評価のための高強度低速陽電子ビーム利用施設2018

    • 著者名/発表者名
      満汐孝治,オローク・ブライアン,小林慶規,鈴木良一,大島永康
    • 学会等名
      JASIS2018コンファレンス分析計測標準研究部門第4回シンポジウム
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018

    • 著者名/発表者名
      角谷正友, 福田清貴,上田茂典, 浅井祐哉, Cho Yujin, 関口隆史, 上殿明良, 尾沼猛儀, Sang Liwen, 本田徹
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2018

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Mg イオン注入GaN MOSFET のチャネル特性向上2018

    • 著者名/発表者名
      高島信也,田中亮,上野勝典,松山秀昭,江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Carrier trapping by vacancy-type defects in group-III nitrides studied by means of positron annihilation2018

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Sumiya, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Third DAE-BRNS Trombay Positron Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅による窒化物半導体中0次元特異構造(点欠陥)のキャリア捕獲の評価2018

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,石橋章司,角谷正友
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田清貴,尾沼猛儀, 山口智広、本田徹, 岩井秀夫、Sang Liwen,角谷正友
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2017

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信,嶋紘平,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,石橋章司,上殿明良
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical calculation of positron annihilation parameters for defects in UV materials (AlN, ZnO, Ga2O3)2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi and A. Uedono
    • 学会等名
      Int. Workshop on UV Materials and Devices
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical Calculation of Positron Annihilation Parameters in Group-III nitrides2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi and A. Uedono
    • 学会等名
      29th Int. Conf. Defects in Semiconductors, Matsue
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Strasbourg Convention Center
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
    • 学会等名
      11th Int. Sym. Semiconductor on Light Emitting Devices
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Study of point defects in nitrides and oxides by means of positron annihilation2017

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Two-component density functional study of positron-vacancy interaction in metals and semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi
    • 学会等名
      12th International Workshop on Positron and Positronium Chemistry
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価2017

    • 著者名/発表者名
      福田 清貴、尾沼 猛儀、Sang Liwen、山口 智広、本田 徹、角谷 正友
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, T. Palacios
    • 学会等名
      2017 Material Research Society Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, and T. Palacios
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, and T. Palacios
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] MOVPE growth of nitrogen-polar AlN on C-face 4H-SiC with miscut2017

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen, H. Okumura, T. Palacios, and S. Suihkonen
    • 学会等名
      12th Int. Conf. on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 窒化物半導体合金中の陽イオン空孔における局所構造と陽電子消滅パラメータの間の相関の計算科学的研究2016

    • 著者名/発表者名
      石橋章司、上殿明良、木野日織、三宅隆、寺倉清之
    • 学会等名
      平成28年度京都大学原子炉実験所専門研究会
    • 発表場所
      京都大学原子炉実験所(大阪府泉南郡)
    • 年月日
      2016-12-08
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] InGaN系太陽電池の欠陥制御と高効率化2016

    • 著者名/発表者名
      角谷正友、Liwen Sang
    • 学会等名
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2016-12-01
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [図書] 空孔評価のための陽電子マイクロビーム技術2019

    • 著者名/発表者名
      大島永康
    • 総ページ数
      3
    • 出版者
      (一社)日本計量振興協会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書

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公開日: 2016-07-04   更新日: 2022-01-27  

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