近接場分光（SNOM）による特異構造の発光機構解明と制御

• 研究領域: 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
• 研究課題/領域番号: 16H06426
• 研究種目: 新学術領域研究(研究領域提案型)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 川上 養一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
• 研究分担者: 船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827) ; 石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
• 研究期間 (年度): 2016-06-30 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 中途終了 (2020年度)
• 配分額: 102,180千円 (直接経費: 78,600千円、間接経費: 23,580千円); 2020年度: 14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円); 2019年度: 19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円); 2018年度: 20,540千円 (直接経費: 15,800千円、間接経費: 4,740千円); 2017年度: 21,450千円 (直接経費: 16,500千円、間接経費: 4,950千円); 2016年度: 26,520千円 (直接経費: 20,400千円、間接経費: 6,120千円)
• キーワード: 近接場光学顕微鏡 / 顕微分光 / 窒化物半導体 / 特異構造 / 近接場分光 / 発光機構解明 / 発光制御 / 深紫外分光 / 窒化物特異構造 / 光物性評価 / 多波長発光素子 / 深紫外フォトニクス

研究実績の概要

本研究課題では，InリッチInGaNおよびAlリッチAlGaNの近接場分光（SNOM）マッピングを中心とした評価手法によって，これら半導体の特異構造を詳細に評価してきた．最終年度である本年度の成果は以下の通りである．
(1)基板のオフ角分布によるInGaN量子井戸の多波長化の実現と機構解明：申請者らはC面GaN基板のオフ角を基板面内で分布させることで，紫から青色領域で25nmの範囲で発光波長を面内分布させることに成功した．この成果は，ブロードバンドタイプのスーパールミネッセントダイオード実現に繋がるものである．
(2)半極性面AlN基板上でのAlGaN系半導体の歪み緩和機構解明：半極性r面AlN基板上に作製したAlGaN薄膜の歪緩和度は，極性面上の試料よりも大きく特異な歪み緩和機構が観測された．そこで，歪緩和モデルを構築し統一的な理解を得た．
(3)深紫外SNOM分光技術の深化：AlリッチAlGaN系量子井戸の顕微分光を回折限界以上の高分解能で行うには，この波長域で分光可能な近接場光学顕微鏡（SNOM）の開発が必要となる．申請者のグループは，超安定リングキャビティーチタンサファイアレーザと非線形光学技術によって波長210nmの深紫外CWレーザ装置を構築するとともに，深紫外オプティクスの構築によって，室温において約100nmの分解能でAlGaN量子井戸の深紫外分光マッピングに成功している．昨年度は，クライオスタットを導入したが，振動レベルの低減が課題となっていた．今年度は，新たな除振手法を構築し，極低温域から室温までの温度可変にて分光可能な深紫外SNOM技術を構築した．
(4)AlリッチAlGaN系特異構造の発光ダイナミクス評価：微傾斜AlN基板上のステップバンチングに形成される細線状Gaリッチ局在中心における輻射・非輻射過程を深紫外SNOM装置を用いて精査し，高効率化への指針を得た．

現在までの達成度 (段落)

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

研究成果

• [雑誌論文] Long-range electron-hole exchange interaction in aluminum nitride (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 102 号: 15 ページ: 1-5
  • DOI: 10.1103/physrevb.102.155202
  • 査読あり
• [雑誌論文] 265 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates studied by photoluminescence spectroscopy under ideal pulsed selective and non-selective excitation conditions (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Yoshikawa, K. Nagase, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 10 ページ: 102005-102005
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abb86f
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deposition of carbon-containing hole injection layers on p-type Al0.8Ga0.2N grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 117 号: 6 ページ: 062101-062101
  • DOI: 10.1063/5.0017703
  • 査読あり
• [雑誌論文] Above 25 nm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes (2020)
  • 著者名/発表者名: A. Kafar, R. Ishii, K. Gibasiewicz, Y. Matsuda, S. Stanczyk, D. Schiavon, S. Grzanka, M. Tano, A. Sakaki, T. Suski, P. Perlin, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Optics Express 巻: 28 号: 15 ページ: 22524-22539
  • DOI: 10.1364/oe.394580
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Direct detection of rare earth ion distributions in gallium nitride and its influence on growth morphology (2020)
  • 著者名/発表者名: B. Mitchell, D. Timmerman, W. Zhu, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. Poplawsky, R. Ishii, Y. Kawakami, V. Dierolf, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 127 号: 1 ページ: 013102-013102
  • DOI: 10.1063/1.5134050
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Control of p-type conductivity at AlN surfaces by carbon doping (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 1 ページ: 015512-015512
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab6589
  • NAID: 210000157912
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Achromatic Deep Ultraviolet Lens Using Novel Optical Materials (2020)
  • 著者名/発表者名: Y. Minami, M. Cadatal-Raduban, K. Kuroda, K. Shinohara, Y. Lai, K. Yamanoi, N. Sarukura, T. Shimizu, R. Ishii, Y. Kawakami, N. Kabasawa, T. Amano, K. Kiyohara, and M. Kiyohara
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: in press 号: 8 ページ: 1900480-1900480
  • DOI: 10.1002/pssb.201900480
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Micro-photoluminescence mapping of light emissions from aluminum-coated InGaN/GaN quantum wells (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto and K. Tamada
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 11 号: 5 ページ: 052016-052016
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab0911
  • NAID: 210000135662
  • 査読あり
• [雑誌論文] Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon-coupled emission from InGaN/GaN quantum wells (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SCCB31-SCCB31
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab07ae
  • NAID: 210000156116
  • 査読あり
• [雑誌論文] Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 522 ページ: 68-77
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.06.010
  • 査読あり
• [雑誌論文] Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: APL Photonics 巻: 4 号: 7 ページ: 070801-070801
  • DOI: 10.1063/1.5097865
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Broadband ultraviolet emission from 2D arrays of AlGaN microstructures grown on the patterned AlN templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 216 号: 7 ページ: 1900764-1900764
  • DOI: 10.1002/pssa.201900764
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-limiting growth of ultrathin GaN/AlN quantum wells for highly efficient deep ultraviolet emitters (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Advanced Optical Materials 巻: 7 号: 21 ページ: 1900860-1900860
  • DOI: 10.1002/adom.201900860
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
  • 雑誌名: AIP Advances 巻: 9 号: 12 ページ: 125342-125342
  • DOI: 10.1063/1.5125799
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] AlxGa1-xN -based quantum wells fabricated on macrosteps effectively suppressing nonradiative recombination (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Advanced Optical Materials 巻: 7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Isotopic effects on phonons and excitons in diamond studied by deep-ultraviolet continuous-wave photoluminescence spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, S. Shikata, T. Teraji, H. Kanda, H. Watanabe, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: 1 ページ: 010904-010904
  • DOI: 10.7567/1347-4065/aaef3e
  • NAID: 210000135251
  • 査読あり
• [雑誌論文] Red-emitting InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1-yN /ScAlMgO4(0001) templates (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Ozaki, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 12 号: 1 ページ: 011007-011007
  • DOI: 10.7567/1882-0786/aaf4b1
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of microscopic In fluctuations on the optical properties of InxGa1-xN blue light-emitting diodes assessed by low-energy X-ray fluorescence mapping using synchrotron radiation (2019)
  • 著者名/発表者名: A. Sakaki, M. Funato, M. Miyano, T. Okazaki, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 9 号: 1
  • DOI: 10.1038/s41598-019-39086-5
  • 査読あり
• [雑誌論文] 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定 (2019)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 市川修平, 川上養一
  • 雑誌名: 京都大学物性科学センター誌, 巻: 33 ページ: 10-17
  • NAID: 120006773146
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlxGa1-xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes (2018)
  • 著者名/発表者名: R. Akaike, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 11 号: 6 ページ: 061001-061001
  • DOI: 10.7567/apex.11.061001
  • NAID: 210000136213
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth mechanism of polar-plane-free faceted InGaN quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E101-C ページ: 532-536
  • NAID: 130007386831
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dominant nonradiative recombination paths and their activation processes in AlxGa1-xN-related materials (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review Applied 巻: 10
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction for nondestructive assessments of local structural properties of faceted InGaN/GaN quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: Sakaki Atsushi、Funato Mitsuru、Kawamura Tomoaki、Araki Jun、Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 11 号: 3 ページ: 031001-031001
  • DOI: 10.7567/apex.11.031001
  • NAID: 210000136115
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep ultraviolet polychromatic emission from three-dimensionally structured AlGaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Kataoka, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Appl. Phys. Exp. 巻: 10 号: 3 ページ: 031001-031001
  • DOI: 10.7567/apex.10.031001
  • NAID: 210000135777
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polychromatic emission from polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities (2017)
  • 著者名/発表者名: Matsuda Yoshinobu、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 7 ページ: 071003-071003
  • DOI: 10.7567/apex.10.071003
  • NAID: 210000135899
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of polychromatic ultraviolet light-emitting diodes based on three-dimensional AlGaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: Kataoka Ken、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 12 ページ: 121001-121001
  • DOI: 10.7567/apex.10.121001
  • NAID: 210000136026
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, M. Shibaoka, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 121 号: 8 ページ: 085304-085304
  • DOI: 10.1063/1.4977108
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effects of Al and N2 Flow Sequences on the Interface Formation of AlN on Sapphire by EVPE (2017)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Kishimoto、Mitsuru Funato、Yoichi Kawakami
  • 雑誌名: Crystals 巻: 7 号: 5 ページ: 123-123
  • DOI: 10.3390/cryst7050123
  • NAID: 120006318891
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-efficiency light emission by means of exciton-surface-plasmon coupling (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Tamada
  • 雑誌名: J. Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews 巻: 32 ページ: 58-77
  • DOI: 10.1016/j.jphotochemrev.2017.05.005
  • 査読あり
• [雑誌論文] Origin of temperature-induced luminescence peak shifts from semipolar (112￣2) InxGa1?xN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: Ozaki Takuya、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 96 号: 12
  • DOI: 10.1103/physrevb.96.125305
  • 査読あり
• [雑誌論文] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, S. Ichikawa, K. Kumamoto, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE Photonics West 2017 巻: 101040 ページ: 101040I-101040I
  • DOI: 10.1117/12.2254797
  • 査読あり
• [雑誌論文] Plasmonics toward high efficiency LEDs from the visible to the deep UV region (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, N. Okada, K. Tadatomo, and K. Tamada
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE Photonics West 2017 巻: 101240
• [雑誌論文] Evaluating the well-to-well distribution of radiative recombination rates in semipolar (11-22) InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, K. Matsufuji, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Appl. Phys. Exp. 巻: 9 号: 7 ページ: 072102-072102
  • DOI: 10.7567/apex.9.072102
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 109
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Impact of radiative and nonradiative recombination processes on the efficiency-droop phenomenon in InGaN single quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Kaneta, A. Hashiya, and M. Funato
  • 雑誌名: Phys. Rev. Applied 巻: 6 号: 4
  • DOI: 10.1103/physrevapplied.6.044018
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of crystal morphologies and interface structures of AlN grown on sapphire by elementary source vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: P.-T. Wu, K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Cryst. Growth & Design 巻: 16 号: 11 ページ: 6337-6342
  • DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00979
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE Nanoscience + Engineering 2016 巻: 9363 ページ: 99260S-99260S
  • DOI: 10.1117/12.2237606
  • 査読あり
• [雑誌論文] 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多色発光の実現 (2016)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 雑誌名: 電子情報通信学会 信学技報 巻: 116
• [雑誌論文] クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 呉珮岑, 船戸充, 川上養一
  • 雑誌名: 電子情報通信学会 信学技報 巻: 116
• [学会発表] InGaN-based quantum wells on ScAlMgO4 substrates toward long wavelength emitters (2020)
  • 著者名/発表者名: T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Exciton fine structure of aluminum nitride (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Exploring the growth procedures for polar-plane-free faceted InGaN-LED structures (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Conference on LED and its industrial application `19 (LEDIA)
  • 国際学会
• [学会発表] Broad-band UV emission from a two-dimensional array of AlGaN microstructures (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, K. Kataoka and Y. Kawakami
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Highly efficient UV emission from ultrathin GaN/AlN quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, H. Kobayashi and Y. Kawakami
  • 学会等名: 3th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of polar-plane-free faceted InGaN LED structures with polychromatic emission properties (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Comparative study of AlGaN multiple quantum wells on annealed-sputtered-AlN and MOVPE-grown-AlN on sapphire substrates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami and H. Miyake
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] GaN/AlN ultrathin quantum wells for UV emitters (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Adding p-type conductivity to AlN surfaces by deposition of ultrathin carbon-containing layers (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 国際学会
• [学会発表] Emission enhancements of InGaN/GaN MQW beyond skin depth of surface plasmon polariton (2019)
  • 著者名/発表者名: F. Murao, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami and K. Okamoto
  • 学会等名: 7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 国際学会
• [学会発表] Tailor-made LEDs with nitride-based 3D-structures (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: TVS-2019 Workshop
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Engineering of emission wavelength of InGaN quantum wells by fabrication of spatial off-cut variation (2019)
  • 著者名/発表者名: A. Kafar, R. Ishii, S. Stanczyk, K. Gibasiewicz, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] High-temperature promoted nonradiative recombination at threading dislocations in blue-emitting InGaN quantum well (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, Y. Koyama, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Carbon and aluminum co-treatment at high temperatures for surface p-type conduction of AlN (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Experimental study on semipolar (-1-12-2) LEDs toward polar-plane-free faceted InGaN LEDs on (-1-12-2) (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養一, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN-LEDのデバイスプロセス検討 (2019)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 青色・緑色発光InGaN量子井戸構造の高温環境下における顕微PLマッピング (2019)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 小山友二, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Study of luminescence properties of InGaN layers with wide-range lateral indium content profiling (2019)
  • 著者名/発表者名: A. Kafar, R. Ishii, S .Stanczyk, K. Gibasiewicz, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸における表面プラズモン増強の温度依存性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 村尾文弥, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 深紫外近接場光学顕微鏡の開発とAlリッチAlGaN系特異構造のPLマッピング評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第６６回応用物理学会春季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] カーボン添加によるAlN表面におけるp型伝導制御 (2019)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第６６回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 圧電素子を用いた光音響分光測定系の構築によるGaNの支配的な非輻射再結合過程の評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 山崎一人, 石井良太, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第６６回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 有機金属気相成長したGaN/AlN極薄量子井戸構造の光学的特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 小林敬嗣, 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第６６回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN-LED構造の結晶成長と評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第６６回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸の表面プラズモン侵入長を超えた発光増強 (2019)
  • 著者名/発表者名: 村尾文弥, 中村俊樹, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
  • 学会等名: 第６６回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells fabricated with a self-limiting process (2018)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, S. Ichikawa, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 19th Intern. Conf. on MOVPE
  • 国際学会
• [学会発表] Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 19th Intern. Conf. on MOVPE
  • 国際学会
• [学会発表] Nitride-based 3D- structures for polychromatic LEDs (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: 16th International Symposium on the Science and Technology of Lighting
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters (2018)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Nanoscience + Engineering
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Development of a deep-ultraviolet scanning nearfield optical microscope for nano-spectroscopic characterizations of AlxGa1-xN (x : 0 - 1) active layers (2018)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon coupled emission from InGaN/GaN quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN quantum wells toward highly radiative pastel and white color syntheses (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Self-limiting growth and optical properties of ultrathin GaN/AlN quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Controlling p-type conductivity at AlN surfaces (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors,
  • 国際学会
• [学会発表] Red-emitting InGaN quantum wells grown on In0.17Ga0.83N templates lattice-matched to ScMgAlO4 substrates (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Maehara, T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN量子井戸を用いた混合色合成と制御 (2018)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸,船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象 (2018)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 早川峰洋, 船戸充
  • 学会等名: 第７９回応用物理学会秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] 極性面フリー三次元InGaN量子井戸を用いたパステルカラー・白色合成 (2018)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第７９回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 表面プラズモンによるInGaN/GaN多層量子井戸への発光増強効果 (2018)
  • 著者名/発表者名: 村尾文弥, 中村俊樹, 松山哲也, 和田 健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
  • 学会等名: 第７９回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 市川修平, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会
• [学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN量子井戸からの輻射再結合寿命が短いパステルグリーン発光 (2018)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
• [学会発表] AlN表面におけるp型伝導の制御 (2018)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
• [学会発表] In0.17Ga0.83N/ScMgAlO4テンプレート上に作製した赤色発光InxGa1-xN/In0.17Ga0.83N量子井戸構造 (x > 0.17) (2018)
  • 著者名/発表者名: 前原圭汰, 尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
• [学会発表] GaN系3次元構造による多波長発光素子の開発 (2018)
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: The 28th Meeting on Glasses for Photonics, Kyoto University
  • 招待講演
• [学会発表] 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
• [学会発表] EVPE法で成長したAlN膜におけるp型伝導 (2018)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充,川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
• [学会発表] 微傾斜c-AlN基板上AlGaN量子井戸におけるマクロステップを利用した高効率発光 (2018)
  • 著者名/発表者名: 早川峰洋, 市川修平, 船戸充,川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
• [学会発表] AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光 (2018)
  • 著者名/発表者名: 片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
• [学会発表] Impact of InGaN epitaxy lattice matched to ScAlMgO4 substrates on future photonic devices (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, T. Ozaki, and M. Funato
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Interfacial structure control of AlN on sapphire fabricated from Al metal and N2 gas (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
  • 国際学会
• [学会発表] Polychromatic emission from semi/nonpolar faceted 3D-InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
  • 国際学会
• [学会発表] Impact of defects on the optical characteristics of AlGaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue, Japan
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] An environmentally friendly method to grow AlN thick layers (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 0th Intern. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, Espoo, Finland
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Clarifying carrier recombination processes in AlGaN-based materials towards efficient DUV emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami and M. Funato
  • 学会等名: International Workshop on UV Materials and Devices 2017, Fukuoka, Japan
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程(Tutorial). (2017)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会，北海道大学
  • 招待講演
• [学会発表] AlN系三次元構造による紫外多波長発光LED (2017)
  • 著者名/発表者名: 片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
• [学会発表] 三次元InGaN量子井戸におけるIn組成のファセット間分布に関する考察 (2017)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
• [学会発表] 顕微フォトルミネセンスマッピングによる表面プラズモン発光増強の評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
• [学会発表] 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果 (2017)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
• [学会発表] 短波長半導体発光デバイスの現状と動向 (2017)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第48回アナログ技術トレンドセミナ(HAB研セミナ), 京都テルサ
  • 招待講演
• [学会発表] 反応性イオンエッティング技術が拓く窒化物半導体3次元構造ベース多波長発光素子 (2017)
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: 日本真空学会 2017年9月研究例会，主題「真空技術が切り拓く光・電子・プラズマの最先端」，愛媛大学
  • 招待講演
• [学会発表] Longer nonradiative lifetimes of excitons localized in AlGaN quantum wires grown on macrosteps (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, K. Kumamoto, M. Shibaoka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 36th Electronic Materials Symposium, Nagahama Royal Hotel
• [学会発表] Growth mechanism of polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 36th Electronic Materials Symposium, Nagahama Royal Hotel
• [学会発表] マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 早川峰洋, 林佑樹, 長瀬勇樹, 市川修平, 熊本恭介, 柴岡真美, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 名古屋大学
• [学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) (2017)，LQE奨励賞記念講演
  • 招待講演
• [学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程 (2017)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 市川修平, 船戸充
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜
  • 招待講演
• [学会発表] 一軸性応力下におけるダイヤモンドの微分吸収スペクトル (2017)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 鹿田真一, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜
• [学会発表] AlN系三次元構造の形成と紫外多波長発光 (2017)
  • 著者名/発表者名: 片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜
• [学会発表] 高効率白色合成に向けた極性面フリーな三次元InGaN量子井戸の作製と評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜
• [学会発表] EVPE成長AlN/サファイア界面におけるボイド形成メカニズムの検討 (2017)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜
• [学会発表] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Spatially-resolved evaluation of surface-plasmon-coupled photoluminescence-enhancement of InGaN/GaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto, and K. Tamada
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 国際学会
• [学会発表] GaN系3次元マイクロファセット構造による多波長LEDの開発 (2017)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 松田祥伸, 船戸充
  • 学会等名: 照明学会固体光源分科会 研究会
  • 発表場所: 日本大学 理工学部 駿河台キャンパス
  • 招待講演
• [学会発表] AlN growth by an environmentally friendly method (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2017 German-Japanese-Spanish joint workshop
  • 発表場所: Mallorca, Spain
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Stress-dependent spectroscopy on single-crystalline diamond (2016)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, S. Shikata, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 35th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako
• [学会発表] Stimulated emission from optically-pumped semipolar AlGaN/AlN quantum well (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 35th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako
• [学会発表] Three dimensional semi/nonpolar InGaN quantum wells toward phosphor-free polychromatic emitters (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 35th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako
• [学会発表] Evolution of strain and dislocations during ESVPE growth of AlN (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, P.-T. Wu, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 35th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako
• [学会発表] EVPE法によるAlN/サファイア界面構造の制御 (2016)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩，P.-T. Wu, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ
• [学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸におけるポテンシャル揺らぎの抑制 (2016)
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ
• [学会発表] ScAlMgO4 (0001)基板上InGaN薄膜における格子整合近傍での組成引き込み効果 (2016)
  • 著者名/発表者名: 尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ
• [学会発表] nGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ
• [学会発表] 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多色発光の実現 (2016)
  • 著者名/発表者名: 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会
  • 発表場所: 京大桂キャンパス
• [学会発表] クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 呉珮岑, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会
  • 発表場所: 京大桂キャンパス
• [学会発表] Unveiling the carrier recombination paths in high Al content AlGaN quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on UV Materials and Devices
  • 発表場所: Beijing, China
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Nanoscience + Engineering,
  • 発表場所: San Diego
  • 国際学会
• [学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in AlGaN-based quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami and M. Funato
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Orlando, USA
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Stimulated emission at 250 nm from optically-pumped semipolar (1-102) AlGaN/AlN quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Orlando, USA
• [学会発表] Compositional pulling effect of InGaN films grown on ScAlMgO4 (0001) substrates by metal-organic vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: T.Ozaki, M.Funato, and Y.Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Orlando, USA
  • 国際学会
• [学会発表] 非極性面上に作製したAlGaN量子井戸の発光特性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 光とレーザーの科学技術フェア2016, 紫外線セミナー
  • 発表場所: 科学技術館（東京都千代田区北の丸公園２番１号）
• [学会発表] AlリッチAlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性制 (2016)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 市川修平, 船戸充
  • 学会等名: 一般社団法人 電子情報技術産業協会, 第12回 量子現象利用デバイス技術分科会
  • 発表場所: 大手センタービル
  • 招待講演
• [備考] 「特異構造の結晶科学」HPへのリンク
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/