結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索

• 研究領域: 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
• 研究課題/領域番号: 16H06428
• 研究種目: 新学術領域研究(研究領域提案型)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 山口大学
• 研究代表者: 山田 陽一 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授 (00251033)
• 研究分担者: 倉井 聡 山口大学, 大学院創成科学研究科, 助教 (80304492)
• 研究期間 (年度): 2016-06-30 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2020年度)
• 配分額: 50,700千円 (直接経費: 39,000千円、間接経費: 11,700千円); 2020年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円); 2019年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円); 2018年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円); 2017年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円); 2016年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
• キーワード: 励起子分子 / 励起子 / 励起子工学 / 混晶半導体 / 窒化物半導体 / 量子井戸 / 局在化 / 低次元化 / 結晶特異構造 / 混晶不均一系 / 低次元不均一系 / 局在効果 / 内部量子効率 / 半導体物性 / 光物性 / 励起子多体効果 / 局在系

研究成果の概要

深紫外域における発光励起分光測定により、AlGaN系量子井戸構造における励起子分子が巨大結合エネルギーを有することを明らかにし、励起子分子に対する局在効果と量子閉じ込め効果を分離して定量評価することに成功した。また、光ポンピングにより、自然放出光の高エネルギー側から深紫外誘導放出光を観測した。誘導放出に対するしきい励起キャリア密度の温度依存性より、室温においても光学利得の生成機構に励起子が関与していることを明らかにした。

研究成果の学術的意義や社会的意義

AlGaN量子井戸構造を対象とした深紫外誘導放出特性の評価により、室温においても光学利得の生成機構への励起子の寄与を見出すことができた。この光学利得の生成機構への励起子の寄与はAlGaN量子井戸構造では初めての実験結果であり、励起子デバイスの実現性を示す重要な知見である。今後、励起子光物性に関する基礎研究と発光デバイスに関する応用研究との融合が進み、励起子工学に関する研究開発分野の飛躍的な発展が期待できることから、その学術的意義は大きいものと考える。

研究成果

• [雑誌論文] External Quantum Efficiency of 6.5% at 300 nm Emission and 4.7% at 310 nm Emission on Bare Wafer of AlGaN-Based UVB LEDs (2020)
  • 著者名/発表者名: Khan M. Ajmal、Itokazu Yuri、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Yamada Yoichi、Hirayama Hideki
  • 雑誌名: ACS Applied Electronic Materials 巻: 2 号: 7 ページ: 1892-1907
  • DOI: 10.1021/acsaelm.0c00172
  • 査読あり
• [雑誌論文] Correlation between excitons recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells (2020)
  • 著者名/発表者名: Murotani Hideaki、Miyoshi Hiroyuki、Takeda Ryohei、Nakao Hiroki、Ajmal Khan M.、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki、Yamada Yoichi
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 128 号: 10 ページ: 105704-105704
  • DOI: 10.1063/5.0015554
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] High internal quantum efficiency and optically pumped stimulated emission in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells (2020)
  • 著者名/発表者名: Murotani Hideaki、Tanabe Ryohei、Hisanaga Keisuke、Hamada Akira、Beppu Kanta、Maeda Noritoshi、Khan M. Ajmal、Jo Masafumi、Hirayama Hideki、Yamada Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 117 号: 16 ページ: 162106-162106
  • DOI: 10.1063/5.0027697
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Beyond 53% internal quantum efficiency in a AlGaN quantum well at 326 nm UVA emission and single-peak operation of UVA LED (2020)
  • 著者名/発表者名: Khan M. Ajmal、Takeda Ryohei、Yamada Yoichi、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Hirayama Hideki
  • 雑誌名: Optics Letters 巻: 45 号: 2 ページ: 495-498
  • DOI: 10.1364/ol.376894
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination (2019)
  • 著者名/発表者名: Murotani Hideaki、Shibuya Kazunori、Yoneda Ayumu、Hashiguchi Yuki、Miyoshi Hiroyuki、Kurai Satoshi、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Yano Yoshiki、Tabuchi Toshiya、Matsumoto Koh、Yamada Yoichi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SCCB02-SCCB02
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab040b
  • NAID: 210000155631
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In compositions (2019)
  • 著者名/発表者名: Satoshi Kurai, Ayumu Wakamatsu, Yoichi Yamada
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: SC ページ: SCCB13-SCCB13
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0cfb
  • NAID: 210000155949
  • 査読あり
• [雑誌論文] 13 mW operation of a 295?310 nm AlGaN UV-B LED with a p-AlGaN transparent contact layer for real world applications (2019)
  • 著者名/発表者名: Khan M. Ajmal、Maeda Noritoshi、Jo Masafumi、Akamatsu Yuki、Tanabe Ryohei、Yamada Yoichi、Hirayama Hideki
  • 雑誌名: Journal of Materials Chemistry C 巻: 7 号: 1 ページ: 143-152
  • DOI: 10.1039/c8tc03825b
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer (2018)
  • 著者名/発表者名: Sugimoto Kohei、Okada Narihito、Kurai Satoshi、Yamada Yoichi、Tadatomo Kazuyuki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 6 ページ: 062101-062101
  • DOI: 10.7567/jjap.57.062101
  • NAID: 210000149112
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cathodoluminescence study on local high-energy emissions at dark spots in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 57 号: 6 ページ: 60311-60311
  • DOI: 10.7567/jjap.57.060311
  • NAID: 210000149104
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Temperature dependence of excitonic transitions in Al0. 60Ga0. 40N/Al0. 70Ga0. 30N multiple quantum wells from 4 to 750 K (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, Y. Hayakawa, K. Ikeda, H. Miyake, K. Hiramtsu, Y. Yamada
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 123 号: 20 ページ: 205705-205705
  • DOI: 10.1063/1.5023996
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nanoscopic spectroscopy of potential barriers formed around V-pits in InGaN/GaN multiple quantum wells on moderate temperature GaN pit expansion layers (2018)
  • 著者名/発表者名: Kurai Satoshi、Okawa Kohei、Makio Ryoga、Nobata Genki、Gao Junji、Sugimoto Kohei、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Yamada Yoichi
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 124 号: 8
  • DOI: 10.1063/1.5043578
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of saturation of nonradiative recombination centers on internal quantum efficiency in InGaN light-emitting diodes (2018)
  • 著者名/発表者名: Murotani Hideaki、Yamada Yoichi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: 1 ページ: 011003-011003
  • DOI: 10.7567/1347-4065/aaec8e
  • NAID: 210000135243
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layer (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: - 号: 5 ページ: 1700374-1700374
  • DOI: 10.1002/pssb.201700374
  • 査読あり
• [雑誌論文] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: Nakamura, K; Fukuno, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Yamada, Y
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS EXPRESS 巻: 10 号: 5 ページ: 51003-51003
  • DOI: 10.7567/apex.10.051003
  • NAID: 210000135831
  • 査読あり
• [雑誌論文] Spatially Resolved Spectroscopy of Blue and Green InGaN Quantum Wells by Scanning Near-Field Optical Microscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: Satoshi Kurai, Renma Mihara, Genki Nobata, Kohei Okawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto, and Yoichi Yamada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: - 号: 5
  • DOI: 10.1002/pssb.201700322
  • 査読あり
• [雑誌論文] Potential Barrier Formed Around Dislocations in InGaN Quantum Well Structures by Spot Cathodoluminescence Measurements (2017)
  • 著者名/発表者名: Satoshi Kurai, Shota Higaki, Nobuto Imura, Kohei Okawa, Ryoga Makio, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, and Yoichi Yamada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: - 号: 5
  • DOI: 10.1002/pssb.201700358
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Nakamura, T. Fukuno, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 2 ページ: 21002-21002
  • DOI: 10.7567/apex.10.021002
  • NAID: 210000135746
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [学会発表] Optically pumped excitonic lasing in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells (2021)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, H. Hirayama, and Y. Yamada
  • 学会等名: Virtual Workshop on Material Science and Advanced Electronics Created by Singularity
  • 国際学会
• [学会発表] Excitonic stimulated emission from AlGaN-based multiple quantum wells (2021)
  • 著者名/発表者名: R. Tanabe, K. Hisanaga, A. Hamada, K. Beppu, H. Murotani, N. Maeda, M. Ajmal Khan, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 国際学会
• [学会発表] Exciton recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells (2021)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, H. Nakao, M. Ajmal Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 国際学会
• [学会発表] Off-cut angle dependence of internal quantum efficiency in AlGaN multiple quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates (2021)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, A. Fujii, R. Oshimura, Y. Akamatsu, F. Nakatani, K. Uesugi, H. Miyake, and Y. Yamada
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 国際学会
• [学会発表] Face-to-faceアニール処理されたスパッタ成膜AlNテンプレート上AlGaN系多重量子井戸構造の内部量子効率 (2021)
  • 著者名/発表者名: 藤井厚志 押村遼太 草場崇史 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系UV-C多重量子井戸構造における誘導放出のしきい励起パワー密度の温度依存性 (2021)
  • 著者名/発表者名: 濱田晟 福田拓矢 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 M. Ajmal Khan 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 完全緩和した{11-22}InGaN下地層上の多重量子井戸の発光特性 (2021)
  • 著者名/発表者名: 俵迫湧也 河村澪 西直矢 原田裕也 ヌルファラナジハマザラン 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 極小ピットを介したAlNテンプレートの高品質化 (2021)
  • 著者名/発表者名: 奥野椋 日高遼太 斎藤貴大 岡田成仁 前田哲利 定昌史 平山秀樹 倉井聡 山田陽一 只友一行
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールした微傾斜サファイア基板上スパッタ成膜AlNテンプレートに成長されたAlGaN多重量子井戸内部量子効率評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 押村遼太 藤井厚志 中谷文哉 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] UV-A帯AlGaN量子井戸構造における内部量子効率と輻射・非輻射再結合ダイナミクス (2020)
  • 著者名/発表者名: 中生拓希 三好博之 武田椋平 室谷英彰 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 緑色InGaN量子井戸構造における発光効率曲線解析と輻射・非輻射再結合ダイナミクスの相関 (2020)
  • 著者名/発表者名: 中津留圭吾 橋口勇樹 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 小関修一 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 中温成長GaN層をピット形成層に用いたInGaN単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁高さのピット形成層厚依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 湯浅翔太 高俊吉 槇尾凌我 林直矢 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 2020年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] AlGaN系UV-A多重量子井戸構造における内部量子効率と励起子の輻射再結合ダイナミクスの励起強度依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第81回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系UV-C多重量子井戸構造における室温誘導放出と縦共振器モードの観測 (2020)
  • 著者名/発表者名: 田邉凌平 濱田晟 別府寛太 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第81回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 中温成長GaNピット形成層上のInGaN単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 高俊吉 槇尾凌我 林直矢 湯浅翔太 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 第81回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子の発光・非発光ダイナミクスと深紫外誘導放出 (2020)
  • 著者名/発表者名: 室谷英彰 山田陽一
  • 学会等名: 応用物理学会応用電子物性分科会研究例会 紫外材料・デバイス開発の最前線～物性の理解とデバイス開発～
  • 招待講演
• [学会発表] AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の内部量子効率と励起子系誘導放出特性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 室谷英彰 田邉凌平 久永桂典 濱田晟 別府寛太 前田哲利 M. Ajmal Khan 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
• [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子の輻射・非輻射再結合レートの励起強度依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 室谷英彰 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率Droop現象の解析 (2020)
  • 著者名/発表者名: 室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] アニール処理されたスパッタAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸における内部量子効率のc面サファイアm軸オフ角依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 押村遼太 赤松勇紀 藤井厚志 倉井聡 室谷英彰 上杉謙次郎 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] InGaN下地層がInGaN/GaN量子井戸の発光強度に与える影響 (2020)
  • 著者名/発表者名: 河村澪 岩崎直矢 猪俣祐貴 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 緩和した厚膜InGaN上の長波長MQWの作製と評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 岩崎直矢 猪俣祐貴 河村澪 岡田成仁 倉井聡 山田陽一 只友一行
  • 学会等名: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Role of exciton recombination processes on internal quantum efficiency in AlGaN-based UV-B multiple quantum wells (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Optically pumped stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells with high internal quantum efficiency of 16 % at 750 K (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Hisanaga, R. Tanabe, A. Hamada, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Achievement of internal quantum efficiency up to 53 % at 326 nm-UVA emission from AlGaN QWs with engineering of highly relaxed buffer layer (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Ajmal Khan, R. Takeda, H. Miyoshi, Y. Yamada, S. Fujikawa, N. Maeda, M. Jo, and H. Hirayama
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices
  • 国際学会
• [学会発表] Radiative and nonradiative recombination rates of excitons and their effects on internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-B MQWs (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, and Y. Yamada
  • 学会等名: The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Height of potential barrier formed around V-pits in InGaN/GaN quantum wells on moderate-temperature GaN layer (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, K. Okawa, R. Makio, J. Gao, G. Nobata, N. Hayashi, K. Sugimoto, N. Okada, K. Tadatomo, and Y. Yamada
  • 学会等名: The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] UV-B帯AlGaN系量子井戸構造におけるレート方程式を用いた発光効率曲線解析と発光ダイナミクスの相関 (2019)
  • 著者名/発表者名: 武田椋平 三好博之 中生拓希 室谷英彰 倉井聡 M. A. Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] UV-C帯AlGaN量子井戸構造における光励起誘導放出特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 濱田晟 田邉凌平 別府寛太 室谷英彰 倉井聡 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における内部量子効率の構造パラメータ依存性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 藤井厚志 赤松勇紀 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における局所的高エネルギー発光の構造パラメータ依存性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 中谷文哉 LI JIN 平山舜 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] InGaN系多重量子井戸構造におけるVピット近傍ポテンシャル障壁高さの中温GaN層厚依存性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 林直矢 槇尾凌我 高俊吉 湯浅翔太 倉井聡 岡田成人 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 2019年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 室谷英彰 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析(2) (2019)
  • 著者名/発表者名: 室谷英彰 三好博之 武田椋平 中生拓希 倉井聡 M. Ajmal Khan 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN量子井戸構造における深紫外誘導放出の温度依存性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 田邉凌平 久永桂典 濱田晟 別府寛太 倉井聡 室谷英彰 前田哲利 定昌史 平山秀樹 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN多重量子井戸構造における内部量子効率の井戸幅および障壁層Al組成比依存性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 赤松勇紀 藤井厚志 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 緑色InGaN系量子井戸構造における内部量子効率曲線のフィッティング解析 (2019)
  • 著者名/発表者名: 橋口勇樹 永見祐二 中津留圭吾 倉井聡 岡田成仁 只友一行 室谷英彰 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 量子井戸構造の成長条件が異なる緑色InGaN量子井戸構造における近接場光学顕微分光測定 (2019)
  • 著者名/発表者名: 槇尾凌我 高俊吉 林直矢 湯浅翔太 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN多重量子井戸構造における転位近傍の局所的高エネルギー発光の顕微分光評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: LI JIN 中谷文哉 平山舜 倉井聡 三宅秀人 山田陽一
  • 学会等名: 第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2) (2019)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 大川康平 槇尾凌我 高俊吉 林直矢 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子発光線幅に対する混晶組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響 (2019)
  • 著者名/発表者名: 野坂峻大 室谷英彰 山田陽一
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 近接場光学顕微分光法によるInGaN量子井戸構造におけるVピット近傍の特異構造PLマッピング (2019)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] Analysis of efficiency curves of near-UV, blue, and green emitting InGaN multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Shibuya, A. Yoneda, Y. Hashiguchi, H. Miyoshi, S. Kurai, N. Okada, K. Tadatomo, Y. Yano, T. Tabuchi, K. Matsumoto, and Y. Yamada
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Spatially resolved cathodoluminescence on dot-like high-energy emissions near threading dislocations in AlGaN multiple quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In composition (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, A. Wakamatsu, and Y. Yamada
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] AlGaN量子井戸構造の高温領域における発光特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 赤松勇紀 池田和貴 藤原涼太 久永桂典 田邉凌平 室谷英彰 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 転位密度が異なるAlGaN量子井戸構造における内部量子効率のSi添加量依存性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 田邉凌平 池田和貴 久永桂典 藤原涼太 赤松勇紀 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 三嶋晃 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 効率曲線のフィッティング解析によるInGaN量子井戸構造の内部量子効率評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 橋口勇樹 渋谷和憲 米田歩 三好博之 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] p型化アニール処理がInGaN量子井戸構造の内部量子効率に与える影響 (2018)
  • 著者名/発表者名: 三好博之 米田歩 渋谷和憲 橋口勇樹 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 近接場光学顕微分光法による中温GaN上InGaN量子井戸構造におけるピット近傍のポテンシャル障壁 (2018)
  • 著者名/発表者名: 槇尾凌我 大川康平 高俊吉 野畑元喜 倉井聡 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 近接場光学顕微分光法による緑色発光InGaN量子井戸構造における高エネルギー発光成分のエネルギー分割評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 高俊吉 野畑元喜 大川康平 槇尾凌我 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] カソードルミネッセンスマッピング法によるAlGaN量子井戸構造の局所発光評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: LI JIN 井村暢杜 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 学会等名: 2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
• [学会発表] 緑色InGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析 (2018)
  • 著者名/発表者名: 渋谷和憲 室谷英彰 米田歩 橋口勇樹 三好博之 倉井聡 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 大川康平 槇尾凌我 高俊吉 野畑元喜 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] InGaN系青色LED構造における効率曲線の励起子レート方程式モデルによる解析 (2018)
  • 著者名/発表者名: 渋谷和憲 米田歩 橋口勇樹 三好博之 倉井聡 室谷英彰 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] カソードルミネッセンス法によるAlGaN多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光 (2018)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 井村暢杜 Li Jin 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] InGaN系LED構造における非輻射再結合中心充填過程の転位密度依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 室谷英彰 山田陽一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-17
• [学会発表] 局所カソードルミネッセンスによるInGaN量子井戸構造のポテンシャル障壁評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 檜垣翔大 岡田成仁 只友一行 山田陽一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-17
• [学会発表] 窒化物不均一系における励起子多体効果とその光機能性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 山田陽一 倉井聡 室谷英彰
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-14
  • 招待講演
• [学会発表] AlGaN混晶半導体の励起子光物性と光機能性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 山田陽一
  • 学会等名: 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第102回研究会・光電相互変換第125委員会第235回研究会
  • 発表場所: 上智大学（東京都千代田区）
  • 年月日: 2017-03-02
  • 招待講演
• [学会発表] Localization-enhanced biexciton binding in Ga-rich InGaN and AlGaN epitaxial layers (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Umezawa, E. Kobayashi, H. Murotani, S. Kurai, and Y. Yamada
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Temperature dependence of Stokes shift of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layers (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Effects of saturation of nonradiative recombination centers on internal quantum efficiency in InGaN-based light-emitting diodes (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani and Y. Yamada
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Potential barrier formed around dislocations in InGaN quantum well structures by spot cathodoluminescence measurements (2017)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, S. Higaki, N. Okada, K. Tadatomo, and Y. Yamada
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Spatial resolved spectroscopy of blue and green InGaN quantum wells by scanning near-field optical microscopy (2017)
  • 著者名/発表者名: S. Kurai, R. Mihara, G. Nobata, K. Okawa, N. Okada, K. Tadatomo, Y. Yano, T. Tabuchi, K. Matsumoto, and Y. Yamada
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Deep UV spectroscopy of dense excitons in AlGaN-based quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Yamada
  • 学会等名: International Workshop on UV Materials and Devices 2017
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Temperature dependence of excitonic transitions in deep ultraviolet emitting AlGaN multiple quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Murotani, Y. Hayakawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 学会等名: International Workshop on UV Materials and Devices 2017
  • 国際学会
• [学会発表] InGaN混晶薄膜からの励起子分子発光 (2017)
  • 著者名/発表者名: 梅澤恭平 小林英治 倉井聡 室谷英彰 山田陽一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 近接場光学顕微分光測定による緑色発光InGaN量子井戸構造の高エネルギー発光成分の評価(2) (2017)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 三原練磨 野畑元喜 大川康平 槇尾凌我 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子系発光特性の温度依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 早川裕也 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Izumi, S. Fukuchi, N. Imura, H. Murotani, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
  • 発表場所: Orlando (USA)
  • 年月日: 2016-10-06
  • 国際学会
• [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性(2)― (2016)
  • 著者名/発表者名: 和泉平 福地駿平 井村暢杜 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  • 年月日: 2016-09-14
• [学会発表] Al0.61Ga0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 池田和貴 室谷英彰 鶴丸拓斗 藤原涼太 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  • 年月日: 2016-09-14
• [学会発表] 近接場光学顕微分光測定による青色・緑色発光InGaN量子井戸構造の評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 倉井聡 三原練磨 野畑元喜 大川康平 岡田成仁 只友一行 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  • 年月日: 2016-09-14