| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069001
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
上殿 明良 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (20213374)
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| 研究分担者 |
秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
押山 淳 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (80143361)
内田 和之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (10393810)
白石 賢二 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (20334039)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
66,000千円 (直接経費: 66,000千円)
2010年度: 5,300千円 (直接経費: 5,300千円)
2009年度: 6,100千円 (直接経費: 6,100千円)
2008年度: 14,200千円 (直接経費: 14,200千円)
2007年度: 15,900千円 (直接経費: 15,900千円)
2006年度: 24,500千円 (直接経費: 24,500千円)
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| キーワード | III族窒化物半導体 / 点欠陥 / 発光ダイナミックス / GaN / AlN / InN / 光学測定 / 第一原理計算 / 陽電子消滅 / 非輻射再結合 / AIN / MBE / CL |
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| 研究概要 |
陽電子消滅と高精度時間分解PL測定により,(AlGaIn)Nの発光効率を支配する輻射・非輻射再結合寿命と点欠陥との相関を明らかにした.また,第一原理計算を用いて各種欠陥の原子・電子構造や表面・界面のバンド構造等について知見を得た.
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