| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069002
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
吉川 明彦 千葉大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20016603)
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| 研究分担者 |
石谷 善博 千葉大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60291481)
崔 成伯 千葉大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00361410)
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| 連携研究者 |
草部 一秀 千葉大学, 大学院・工学研究科, 特任准教授 (40339106)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
129,300千円 (直接経費: 129,300千円)
2010年度: 16,600千円 (直接経費: 16,600千円)
2009年度: 16,600千円 (直接経費: 16,600千円)
2008年度: 33,500千円 (直接経費: 33,500千円)
2007年度: 35,500千円 (直接経費: 35,500千円)
2006年度: 27,100千円 (直接経費: 27,100千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 窒化インジウム / 極広域分光 / キャリアダイナミクス / 表面・界面物性 / ナノ構造デバイス / MBEエピタキシャル / 超格子 / 擬似混晶 / 極広域分光計測 / ナノ構造光デバイス / MBE、エピタキシャル / 短周期超格子 / 光物性・分光計測 / 超格子・量子構造 / 光電子物性の赤外分光評価 / 空間・時間分解ルミネッセンス測定 / エピタキシ制御 / p型窒化インジウム / 窒化インジウム(InN) / 超格子・量子井戸 / バンドパラメータ / 分光エリプソメトリ / 貫通転位 |
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| 研究概要 |
窒化物半導体は,原理的に波長約0.2μmの紫外から約2μmの赤外までの光デバイスに応用可能である.未だに困難な赤や赤外域の長波長側へのデバイス利用波長域拡大のため,我々は極広域分光によりナノ構造評価,キャリアダイナミクス評価を行い,(1)p型伝導化の成功と正孔物性の解明、(2)p型・n型での非輻射再結合過程の活性化エネルギーやメカニズムの違いの解明,(3)"SMART"超構造と名付けた(InN)_m/(GaN)_n短周期超格子による欠陥低減とそれによるpn接合特性改善提案,および本短周期超格子系の実現性確認等の成果を得た.
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