| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069005
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
山本 あき勇 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90210517)
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| 研究分担者 |
橋本 明弘 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10251985)
福井 一俊 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80156752)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
65,400千円 (直接経費: 65,400千円)
2010年度: 6,600千円 (直接経費: 6,600千円)
2009年度: 7,500千円 (直接経費: 7,500千円)
2008年度: 7,700千円 (直接経費: 7,700千円)
2007年度: 20,100千円 (直接経費: 20,100千円)
2006年度: 23,500千円 (直接経費: 23,500千円)
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| キーワード | 高効率太陽光発電材料・素子 / InAlN / InGaN / ヘテロ構造 / MOVPE / InAlN/InGaNヘテロ構造 / Mgドーピング / Cp_2Mg / 光起電力 / 白金族触媒援用MOVPE / hetero-structure / NH3 cracking / Pt catalyst / 結晶成長 / 半導体物性 / Growth pressure / Parasitic reaction / Raman scattering / SNOM / Mg doping / タンデム太陽電池 / 相分離 / X線ロッキングカーブ半値幅 / フォトルミネッセンス |
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| 研究概要 |
InN系タンデム太陽電池に関する基礎技術を確立するために、InAlN、InGaNおよびInAlN/InGaNヘテロ構造のMOVPE成長について検討した。常圧MOVPE成長を採用し、成長温度とTMI/(TMI+TMA)供給比の最適化により、In組成1～0.5のInAlN単結晶膜を実現した。成長膜は室温でも強いフォトルミネッセンスを示すことがわかった。一方、InGaNについても、成長温度とTMI/(TMI+TEG)供給比の最適化により、全組成域の単結晶膜を実現した。Cp_2MgをMg源として用い、InGaNへのMgドーピングについて検討し、In組成0,25までのInGaNのp形化を実現した。これらの成果を基に、n-In_<0.3>Al_<0.7>N/p-In_<0.2>Ga_<0.8>Nヘテロ構造素子を初めて実現し、光起電力を確認した。
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