| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069006
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
平松 和政 三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50165205)
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| 研究分担者 |
三宅 秀人 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70209881)
元垣内 敦司 三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00303751)
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| 研究協力者 |
宮川 鈴衣奈 三重大学, 大学院・工学研究科, 大学院生
馬 ベイ 三重大学, 大学院・工学研究科, 大学院生
劉 玉懐 三重大学, 非常勤研究員
黎 大兵 三重大学, 外国人研究者
呉 潔君 三重大学, 外国人研究者
胡 衛国 三重大学, 非常勤研究員
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
71,900千円 (直接経費: 71,900千円)
2010年度: 8,100千円 (直接経費: 8,100千円)
2009年度: 13,600千円 (直接経費: 13,600千円)
2008年度: 8,000千円 (直接経費: 8,000千円)
2007年度: 28,800千円 (直接経費: 28,800千円)
2006年度: 13,400千円 (直接経費: 13,400千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / エピタキシャル成長 / 貫通転位密度 / クラック / 反り / 無極性 / 深紫外光源 / 電子線励起 / MOVPE / 量子井戸 / 電子線照射 / 紫外線発光 / AlGaN / 転位密度 / a面 / HVPE / 減圧MOVPE / a面GaN / a面AlGaN / 成長圧力 / 選択成長 / 反射光モニタリング |
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| 研究概要 |
本研究では、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上へのAlN及び高Al組成AlGaNの低欠陥密度結晶を作製する技術を確立し、高品質高Al組成AlGaN、無極性AlGaN、クラックフリーAlN基板を得ることができた。また、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上への高Al組成AlGaNを用いた電子線励起によるUV-Cの深紫外光源を作製し、強い紫外線発光を得るためのデバイス構造に関する知見を得ることができた。
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