| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069008
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
近藤 正彦 大阪大学, 工学研究科, 教授 (90403170)
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| 研究分担者 |
藤原 康文 大阪大学, 工学研究科, 教授 (10181421)
森 伸也 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (70239614)
百瀬 英毅 大阪大学, 低温センター, 助教 (80260636)
石川 史太郎 (石川 史太朗) 大阪大学, 工学研究科, 助教 (60456994)
森藤 正人 大阪大学, 工学研究科, 助教 (00230144)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
70,300千円 (直接経費: 70,300千円)
2010年度: 5,100千円 (直接経費: 5,100千円)
2009年度: 6,400千円 (直接経費: 6,400千円)
2008年度: 8,600千円 (直接経費: 8,600千円)
2007年度: 26,200千円 (直接経費: 26,200千円)
2006年度: 24,000千円 (直接経費: 24,000千円)
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| キーワード | GaInNAs / 半導体レーザ / 分子線エピタキシー / フォトルミネッセンス高品質化 / Al混入 / フォトルミネッセンス / 高品質化 / Al / フォトニック結晶 / 誘導放出 / AlAs / 散乱 / 活性窒素 / GaInNAS / AlAS / 結晶性 / フオトルミネッセンス / 新半導体材料 / 窒素 / 分子線ビームエピタキシー / ビューポート |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、半導体レーザへ向けた再現性に優れるGaInNAs結晶技術を確立することである。そのため、分子線エピタキシー装置に組み付け可能なフォトルミネッセンス評価装置を独自に開発して、GaInNAs結晶の高品質化に取り組んだ。高品質結晶の成長には未だ問題が多い。その中の一つとして、Alセルを装備したMBEでは意図しないAlの混入が発生し、その結果、結晶品質やそれに伴うレーザ特性の劣化が発生することが報告されている。本研究では、結晶劣化の原因を究明し、合わせて結晶性の劣化を回避する方法を見出した。
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