| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069009
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
川西 英雄 工学院大学, 工学部, 教授 (70016658)
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| 研究分担者 |
長谷川 文夫 工学院大学, 工学部, 教授 (70143170)
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
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| 連携研究者 |
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
長谷川 文夫 工学院大学, 工学部, 教授 (70143170)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
64,900千円 (直接経費: 64,900千円)
2010年度: 6,400千円 (直接経費: 6,400千円)
2009年度: 7,100千円 (直接経費: 7,100千円)
2008年度: 9,200千円 (直接経費: 9,200千円)
2007年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2006年度: 33,700千円 (直接経費: 33,700千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 深紫外半導体レーザ / p型不純物 / 炭素 / AlGaN / 交互供給法 / 量子井戸 / p型半導体 / ドーピング材料 / ワイドギャップ / エピタキシャル成長 / エピタキシル成長 / 歪み制御 / バッフア層 / バッファ層 / エビタキシャル成長 |
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| 研究概要 |
AlGaN系半導体は、人類が利用できる可能性のある半導体としては最もワイドバンドギャップな半導体の一つである。しかしながら、世界的な科学・技術レベルから見ても、未開拓な半導体であった。AlGaN系半導体には、次に示す二つの点で未解決な為である。
(1)発光効率に優れた半導体結晶を如何にして得るか、
(2)電気伝導性制御に優れた不純物半導体となるために、最適な添加不純物がない。本研究では、(1)には、「交互供給法」と命名した新規な結晶成長技術を提案し、これを解決した。また、(2)には、本研究の最終年度に、Al組成の高いAlGaNに対しても有効な新規なp型不純物を発見するとともに、それを利用したp-n接合を世界で初めて実現した。
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