| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069010
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
岸野 克巳 上智大学, 理工学部, 教授 (90134824)
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| 研究分担者 |
菊池 昭彦 上智大学, 理工学部, 准教授 (90266073)
野村 一郎 上智大学, 理工学部, 准教授 (00266074)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
131,000千円 (直接経費: 131,000千円)
2010年度: 20,900千円 (直接経費: 20,900千円)
2009年度: 20,900千円 (直接経費: 20,900千円)
2008年度: 23,900千円 (直接経費: 23,900千円)
2007年度: 26,800千円 (直接経費: 26,800千円)
2006年度: 38,500千円 (直接経費: 38,500千円)
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| キーワード | AlGaInN / 窒化物半導体 / ナノコラム / 結晶成長 / InN / 分子線エピタキシー / 光源技術 / 選択成長 / AIGaInA / 量子準位間遷移 / A1GaInN |
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| 研究概要 |
赤色から近赤外域の高性能GaN系デバイスの実現は、窒化物分野で達成すべきひとつの重要な課題である。本研究は赤~赤外域発光デバイスの基盤技術の開拓を目指して、GaNナノコラムを基礎に精力的に研究を行い、InGaN規則配列ナノコラムLEDの作製、緑色域光励起レーザ発振の観測、GaNナノコラム上部への高In組成InGaN結晶の成長、波長1.43・m赤外発光InGaN系pn接合LEDの実現、高品質InNマイクロ結晶の選択成長などの研究成果を得た。
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