ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現

• 研究領域: 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
• 研究課題/領域番号: 18069011
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 天野 浩 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60202694)
• 研究分担者: 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291) ; 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 139,100千円 (直接経費: 139,100千円); 2010年度: 17,400千円 (直接経費: 17,400千円); 2009年度: 17,400千円 (直接経費: 17,400千円); 2008年度: 17,400千円 (直接経費: 17,400千円); 2007年度: 30,400千円 (直接経費: 30,400千円); 2006年度: 56,500千円 (直接経費: 56,500千円)
• キーワード: AlN / AlGaN / MOVPE / UV・DUV / LED・LD / 紫外LED / 紫外LD / 内部量子効率 / 低転位 / 紫外半導体レーザ / GaN / 紫外発光ダイオード / デバイスシミュレータ / 発光効率 / 低転位化 / 紫外線レーザ / 窒化アルミニウム / p型 / 結晶欠陥 / 量子効率 / AIN / 昇華法 / AIN基板 / 高温MOVPE / 横方向成長 / 原子ステップ / 転位 / シミュレーション / レーザダイオード

研究概要

市販の装置と比較して、より高温での成長が可能な有機金属化合物気相成長装置を設計・購入して実験を遂行した。高温成長を基本として、溝加工したテンプレートを用いることにより、従来と比較して結晶品質が格段に優れ、また残留不純物濃度の少ないAlN及びAlGaNの成長が可能になった。紫外から深紫外のほぼ全領域において、貫通転位密度の異なる多重量子井戸構造を作製し、その内部量子効率が発光波長に因らず貫通転位密度のみで決まることを初めて示した。UVAレーザダイオード(LD)を作製して、内部量子効率及び注入効率を評価する手法を確立し、また波長255nmから350nmにいたるまで、LEDの外部量子効率5%以上を達成した。更に低貫通転位密度紫外・深紫外LED・LD実現のために昇華法によるバルクAlN成長に取り組み、成長速度0.6mm/hという高速成長に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Yamakawa, K.Murata, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano, M.Azuma
  • 雑誌名: Applied Physics Express 4
  • NAID: 10028209940
  • 査読あり
• [雑誌論文] Internal quantum efficiency and internal loss of ultraviolet laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Takeda, K.Nagata, T.Ichikawa, K.Nonaka, Y.Ogiso, Y.Oshimura, M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I.Akasaki, H.Amano, H.Yoshida, M.Kuwabara, Y.Yamashita, H.Kan
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 8 ページ: 464-466
  • 査読あり
• [雑誌論文] Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method (2011)
  • 著者名/発表者名: Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Masanobu Azuma
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 4
  • NAID: 10028209940
  • 査読あり
• [雑誌論文] Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells (2011)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Ban, Jun-ichi Yamamoto, Kenichiro Takeda, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 4
  • NAID: 10028210215
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates (2010)
  • 著者名/発表者名: Z.Wu, K.Nonaka, Y.Kawai, T.Asai, F.A.Ponce, C.Chen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 3
  • NAID: 10027441702
  • 査読あり
• [雑誌論文] Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Iida, K.Tamura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 312 ページ: 3131-3135
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Nagata, T.Ichikawa, K.Takeda, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 207 ページ: 1393-1396
  • 査読あり
• [雑誌論文] Defects in highly Mg-doped AlN (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Nonaka, T.Asai, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 207 ページ: 1299-1301
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Asai, K.Nonaka, K.Ban, K.Nagata, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 7 ページ: 2101-2103
  • 査読あり
• [雑誌論文] Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Takeda, F.Mori, Y.Ogiso, T.Ichikawa, K.Nonaka, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 7 ページ: 1916-1918
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved Efficiency of 255-280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 3
  • NAID: 10027014973
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic layer epitaxy of AlGaN (2010)
  • 著者名/発表者名: Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 7 ページ: 2368-2370
  • 査読あり
• [雑誌論文] Activation energy of Mg in a-plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.17) (2009)
  • 著者名/発表者名: Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 246 ページ: 1188-1190
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical properties and deep traps spectra in undoped and Si-doped m-plane GaN films (2009)
  • 著者名/発表者名: Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Govorkov, A.V., Markov, A.V., Yugova, T.G., Petrova, E.A., Amano, H., Kawashima, T., Scherbatchev, K.D., Bublik, V.T.
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 105
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical properties and deep traps spectra in undoped M-plane GaN films prepared by standard MOCVD and by selective lateral overgrowth (2009)
  • 著者名/発表者名: Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Govorkov, A.V., Markov, A.V., Yakimov, E.B., Vergeles, P.S., Amano, H., Kawashima, T.
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 2923-2925
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evidence for Two Mg Related Acceptors in GaN (2009)
  • 著者名/発表者名: Monemar, B., Paskov, P.P., Pozina, G., Hemmingsson, C., Bergman, J.P., Kawashima, T., Amano, H., Akasaki, I., Paskova, T., Figge, S., et al.
  • 雑誌名: Physical Review Letters 102
  • 査読あり
• [雑誌論文] Experimental and theoretical investigations of optical properties of GaN/AlGaN MQW nanostructures.Impact of built-in polarization fields (2009)
  • 著者名/発表者名: Esmaeili, M., Gholami, M., Haratizadeh, H., Monemar, B., Holtz, P.O., Kamiyama, S., Amano, H., Akasaki, I.
  • 雑誌名: Opto-Electronics Review 17 ページ: 293-299
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of thick GaInN on grooved(1011)GaN/(1012)4H-SiC (2009)
  • 著者名/発表者名: Matsubara, Tetsuya, Senda, Ryota, Iids, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 2926-2928
  • 査読あり
• [雑誌論文] Misfit strain relaxation by stacking fault generation in InGaN quantum wells grown on m-plane GaN (2009)
  • 著者名/発表者名: Fischer, Alec M., Wu, Zhihao, Sun, Kewei, Wei, Qiyuan, Huang, Yu, Senda, Ryota, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Amano, Hiroshi, Ponce, Fernando A.
  • 雑誌名: Applied Physics Express 2
  • NAID: 10025085540
  • 査読あり
• [雑誌論文] Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer (2009)
  • 著者名/発表者名: Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, Yamashita, Yoji, et al.
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 2860-2863
  • 査読あり
• [雑誌論文] One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: Iids, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 2887-2890
  • 査読あり
• [雑誌論文] Relaxation and recovery processes of Al_xGa_<1-x>N grown on AlN underlying layer (2009)
  • 著者名/発表者名: Asai, Toshiaki, Nagata, Kensuke, Mori, Toshiaki, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 2850-2852
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strong emission from GaInN/GaN multiple quantum wells on high-crys talline-quality thick m-plane GaInN underlying layer on grooved GaN (2009)
  • 著者名/発表者名: Senda, Ryota, Matsubara, Tetsuya, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
  • 雑誌名: Applied Physics Express 2
  • 査読あり
• [雑誌論文] Activation energy of Mg in Al_<0.25>Ga_<0.75>N and Al_<0.5>Ga_<0.5>N (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Nagamatsu, K.Takeda, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Phys.Status Solidi C 6 ページ: 437-439
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 雑誌名: Mater.Sci.Forum 590 ページ: 175-210
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of p-type conduction in a-plane Ga_<1-x>In_xN(0<x<0.10)grown on r-plane sapphire substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy (2008)
  • 著者名/発表者名: Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 310 ページ: 4996-4998
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 590 ページ: 175-210
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of c-plane sapphire misorientation on the growth of AlN by high-temperature MOVPE (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
  • 雑誌名: Phys. Stat. Sol. (c) 5 ページ: 3048-3050
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optimization of underlying layer and the device structure for group-III-nitride-based UV emitters on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, F. Mori, H. Tsuzuki, Y. Yamashita, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh
  • 雑誌名: Phys, Stat. Sol. (c) 5 ページ: 2142-2144
  • 査読あり
• [雑誌論文] Microstructure of threading dislocations caused by grain boundaries in AlN on sapphire substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
  • 雑誌名: Phys, Stat. Sol. (c) 5 ページ: 1582-1584
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of high-quality thick AlGaN by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Kato, S. Sato, H. Sugimura, T. Sumii, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh
  • 雑誌名: Phys, Stat. Sol. (c) 5 ページ: 1559-1561
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, N. Okada, H. Sugimura, H. Tsuzuki, F. Mori, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 310 ページ: 2326-2329
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 310 ページ: 2308-2313
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 46 ページ: 1458-1462
  • NAID: 10018900504
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
  • 雑誌名: Phys. Stat. Sol. (a) 204 ページ: 1848-1852
  • 査読あり
• [雑誌論文] Annihiation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bando
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 400 ページ: 136-140
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balak rishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 400 ページ: 141-144
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AIN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 1458-1462
  • NAID: 10018900504
  • 査読あり
• [雑誌論文] Microstructure of a-plane AlN grown on r-plane sapphire and on patterned AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Okada, M. Imura, T. Nagai, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
  • 雑誌名: physica status solidi(c) 4 ページ: 2528-2531
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mg-doped high-quality Al_xGa_<1-x>N(x=0-1)grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, N. Kato, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
  • 雑誌名: physica status solidi(c) 4 ページ: 2502-2505
  • 査読あり
• [雑誌論文] Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi(c) 4 ページ: 2272-2276
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
  • 雑誌名: physica status solidi(a) 204 ページ: 1848-1852
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum wells (2007)
  • 著者名/発表者名: Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum wells
  • 雑誌名: physica status solidi(b) 244 ページ: 1727-1734
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical properties of GaN/AlGaN QW nanostructures with different well and barrier widths (2007)
  • 著者名/発表者名: M Esmaeili, M Sabooni, H Haratizadeh, P P Paskov, B Monemar, P O Holz, S Kamiyama and M Iwaya
  • 雑誌名: J. Phys.: Condens. Matter 19 ページ: 356218-356218
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Okada, N.Kato, S.Sato, T.Sumii, T.Nagai, N.Fujimoto, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Maruyama, T.Takagi, T.Noro, A.Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298 ページ: 349-353
• [雑誌論文] Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Nagai, T.Kawashima, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298 ページ: 288-292
• [雑誌論文] Epitaxial lateral growth of m-plane GaN and Al_<0.18>Ga_<0.82>N on m-plane 4H-SiC and 6H-SiC substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Kawashima, T.Nagai, D.Iida, A.Miura, Y.Okadome, Y.Tsuchiya, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298 ページ: 261-264
• [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of Al_xGa_<1-x>N (x>0.2) on sapphire and its application to UV-B-light-emitting devices (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Iida, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, A.Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298 ページ: 265-267
• [雑誌論文] High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Kato, S.Sato, T.Sumii, N.Fujimoto, N.Okada, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, H.Maruyama, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298 ページ: 215-218
• [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Imura, K.Nakano, G.Narita, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298 ページ: 257-260
• [雑誌論文] Photoluminescence study of MOCVD-grown GaN/AlGaN MQW nanostructures : influence of Al composition and Si doping (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Esmaeili, H.Haratizadeh, B.Monemar, P.P.Paskov, P.O.Holtz, P.Bergman, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Nanotechnology 18 ページ: 25401-25401
• [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Imura, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 300 ページ: 136-140
• [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: N.Okada, N.Kato, S.Sato, T.Sumii, N.Fujimoto, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro, A.Bandoh
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 300 ページ: 141-144
• [雑誌論文] High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer (2006)
  • 著者名/発表者名: Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Ichikawa, Tomoki, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, et al.
  • 雑誌名: Physics Status Solidi A 206 ページ: 1199-1204
  • 査読あり
• [雑誌論文] A hydrogen-related shallow donor in GaN? (2006)
  • 著者名/発表者名: B.Monemar, P.P.Paskov, J.P.Bergman, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Physica B : Condensed Matter 376-377 ページ: 460-463
• [雑誌論文] Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: B.Monemar, P.P.Paskov, F.Tuomisto, K.Saarinen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, S.Kimura
  • 雑誌名: Physica B : Condensed Matter 376-377 ページ: 440-443
• [雑誌論文] Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Imura, A.Honshio, Y.Miyake, K.Nakano, N.Tsuchiya, M.Tsuda, Y.Okadome, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Physica B : Condensed Matter 376-377 ページ: 491-495
• [雑誌論文] Anisotropically biaxial strain in a-plane AlGaN on GaN grown on r-plane sapphire (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Tsuda, H.Furukawa, A.Honshio, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 45 ページ: 2509-2513
  • NAID: 40007227459
• [雑誌論文] Thermodynamic aspects of growth of AlGaN by high-temperature metal organic vapor phase epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: N.Okada, N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, M.Imura, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 45 ページ: 2502-2504
  • NAID: 40007227457
• [雑誌論文] Optical signatures of dopants in GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: B.Monemar, P.P.Paskov, J.P.Bergman, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.Figge, T.Paskova, D.Hommel, A.Usui, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Materials Science in Semiconductor Processing 9 ページ: 168-174
• [雑誌論文] Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al,In,Ga)N alloy semiconductors (2006)
  • 著者名/発表者名: S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, B.A.Haskell, A.Chakraborty, T.Koyama, P.T.Fini, S.Keller, S.P.DenBaars, J.S.Speck, U.K.Mishra, S.Nakamura, S.Yamaguchi, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, J.Han, T.Sota
  • 雑誌名: Nature Materials 5 ページ: 810-816
• [雑誌論文] Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells (2006)
  • 著者名/発表者名: B.Arnaudov, P.P.Paskov, H.Haratizadeh, P.O.Holtz, B.Monemar, S.Kamiyama, M.Iwaya, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 3 ページ: 523-1526
• [雑誌論文] Growth of high-quality AlN at high growth rate by high-temperature MOVPE (2006)
  • 著者名/発表者名: N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 3 ページ: 1617-1619
• [雑誌論文] Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Balakrishnan, N.Fujimoto, T.Kitano, A.Bandoh, M.Imura, K.Nakano, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Takagi, T.Noro, K.Shimono, T.Riemann, J.Christen
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 3 ページ: 1392-1395
• [雑誌論文] X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Tsuda, H.Furukawa, A.Honshio, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (b) 243 ページ: 1524-1528
• [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Nakano, M.Imura, G.Narita, T.Kitano, Y.Hirose, N.Fujimoto, N.Okada, T.Kawashima, K.Iida, K.Balakrishnan, M.Tsuda, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (a) 203 ページ: 1632-1635
• [雑誌論文] Effects of Si doping position on the emission energy and recombination dynamics of GaN/AlGaN multiple quantum wells (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Haratizadeh, B.Monemar, H.Amano
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (a) 203 ページ: 149-153
• [雑誌論文] Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (a) 203 ページ: 1626-1631
• [雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Imura, K.Nakano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 45 ページ: 8639-8643
• [雑誌論文] Microstructure of epitaxial lateral overgrown AlN on trench-patterned AlN template by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Imura, K.Nakano, T.Kitano, N.Fujimoto, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 89 ページ: 21901-21901
• [雑誌論文] Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode (2006)
  • 著者名/発表者名: I.Akasaki, H.Amano
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 45 ページ: 9001-9010
  • NAID: 40015182096
• [学会発表] 紫外発光素子用反射電極の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹原孝祐、竹田健一郎、永田賢吾、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: (予稿集)
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] AlGaN UV-LEDの光取り出し効率の改善 (2011)
  • 著者名/発表者名: 稲津哲彦、深堀真也、シリルペルノ、金明姫、藤田武彦、長澤陽祐、平野光、一本松正道、岩谷素顕、天野浩、竹内哲也、上山智、赤崎勇
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: (予稿集)
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] レーザリフトオフ法による薄膜紫外LED (2011)
  • 著者名/発表者名: 青島宏樹、竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、伊藤駿、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: (予稿集)
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] 350nm帯紫外LED及びLD構造の注入効率向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、青島宏樹、野中健太朗、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: (予稿集)
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] AlGaN量子井戸構造の光学的特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本準一、伴和仁、竹田健一郎、井手公康、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: (予稿集)
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 伊藤駿、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、竹原孝祐、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: (予稿集)
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] 高組成AlGaN量子井戸構造の光学的特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伴和仁、竹田健一郎、山本準一、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Atomic Layer Epitaxy of AlN and AlGaN and Raised Pressure MOVPE for the Growth of High In-content GaInN (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, M.Yamaguchi, Y.Honda, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) 招待講演
  • 発表場所: Beijing, China.
• [学会発表] Strain relaxation of AlGaN grown on AlN templates by misfit dislocation generation (2010)
  • 著者名/発表者名: Z.H.Wu, K.Nonaka, Y.Kawai, T.Asai, F.A.Ponce, C.Q.Chen, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 学会等名: The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
  • 発表場所: Beijing, China
• [学会発表] Optical waveguide layers in UV laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer (2010)
  • 著者名/発表者名: Kenichiro Takeda, Tomoki Ichikawa, Kengo Nagata, Daisuke Sawato, Yuji Ogiso, Yoshinori Oshimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan
  • 学会等名: The 37th International Conference of Compound Semiconductors
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
• [学会発表] Microstructure of Thick AlGaN Epilayers Using Mg-doped AlN Underlying Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Nonaka, T.Asai, K.Ban, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, Z.H.Wu
  • 学会等名: The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Montpellier, France
• [学会発表] Reduction in threshold current density of UV laser diode (2010)
  • 著者名/発表者名: Kengo Nagata, Kentaro Nonaka, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan
  • 学会等名: The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Montpellier, France
• [学会発表] Atomic Layer Epitaxy of AlN and AlGaN and Raised Pressure MOVPE for the Growth of High In-content GaInN (2010)
  • 著者名/発表者名: Hiroshi Amano, Masahito Yamaguchi, Yoshio Honda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
  • 発表場所: Beijing, China(招待講演)
• [学会発表] Transmission-electron-microscope characterization of AlGaN/GaN heterostructure on miscut GaN substrate grown by Na flux method (2010)
  • 著者名/発表者名: Tatsuyuki Sakakibara, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imada, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori
  • 学会等名: The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
  • 発表場所: Beijing, China
• [学会発表] Transparent Electrode for UV Light-Emitting-Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Takehara, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hisashi Sakurai, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida USA
• [学会発表] Injection Efficiency in AlGaN-based UV Laser Diode (2010)
  • 著者名/発表者名: Kengo Nagata, Kenichiro Takeda, Yoshinori Oshimura, Kosuke Takehara, Hiroki Aoshima, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida USA
• [学会発表] Development of High Efficiency 255-350 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida USA
• [学会発表] MgドープAlN下地層を用いた高品質厚膜AlGaNの微細構造観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 野中健太朗、浅井俊晶、伴和仁、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇、Zhihao Wu
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 三重大学
• [学会発表] UVレーザダイオードの閾値電流密度の低減 (2010)
  • 著者名/発表者名: 永田賢吾、野中健太朗、市川友紀、竹田健一郎、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅博文
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 三重大学
• [学会発表] 酸化ジルコニウムを用いたサファイア基板上LEDの作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田村健太, 飯田大輔, 山口修司, 近藤俊行, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
• [学会発表] 紫外発光素子用透明電極の検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 深堀真也, シリルペルノ, 金明姫, 藤田武彦, 稲津哲彦, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 岩谷素顕, 上山智, 赤崎勇, 天野浩
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
• [学会発表] ELO AlGaN下地層上に作製した紫外レーザダイオードの特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 竹田健一郎, 永田賢吾, 竹原孝祐, 青島宏樹, 伊藤駿, 押村吉徳, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 吉田治正, 桑原正和, 山下陽滋, 菅博文
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
• [学会発表] 昇華法による単結晶AlNの高速成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山川雅康, 村田一喜, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇, 天野浩, 東正信
  • 学会等名: 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
  • 発表場所: 東北大学
• [学会発表] MgドープAlN下地層を用いた低転位AlGaNの転位挙動 (2010)
  • 著者名/発表者名: 野中健太朗, 浅井俊晶, 伴和仁, 山本準一, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩, Z.H.Wu
  • 学会等名: 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
  • 発表場所: 東北大学
• [学会発表] 窒化物半導体応用の波長範囲の拡大, -赤外から紫外まで- (2009)
  • 著者名/発表者名: 天野浩
  • 学会等名: 赤崎先生京都賞受賞記念ワークショップ
  • 発表場所: 京都国際会館
  • 年月日: 2009-11-12
• [学会発表] Past, present and future prospects of group III nitride based light emitting devices (2009)
  • 著者名/発表者名: 天野浩
  • 学会等名: 2nd International Conference on Microelectronics and Plasma Technology(ICMAP 2009)
  • 発表場所: BEXCO Convention Center, Busan, Korea
  • 年月日: 2009-09-25
• [学会発表] 9-a-X-2高品質GaN基板への期待 (2009)
  • 著者名/発表者名: 天野浩
  • 学会等名: 日本学術振興会第161委員会企画「GaN基板ウエハ実現の鍵を握る結晶育成・加工技術～その現状と課題、及び将来展望～」
  • 発表場所: 黒田講堂ホール、富山
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] Revolutions in Solid State Lighting Technology (2009)
  • 著者名/発表者名: 天野浩
  • 学会等名: International Workshop on EEWS
  • 発表場所: Daejeon Convention Center, Korea
  • 年月日: 2009-09-02
• [学会発表] Growth and Conductivity Control of High-Quality GaInN for the Realization of High Efficiency Photovoltaic Devices (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, Y.Kuwahara, Y.Fujiyama, Y.Morita, D.Iida, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 学会等名: POEM2009
  • 発表場所: Wuhan, China
  • 年月日: 2009-08-09
• [学会発表] 世界を変えるGaN発光デバイス～低炭素社会実現の救世主となるために～ (2009)
  • 著者名/発表者名: 天野浩, 7月24日(金)
  • 学会等名: 【大阪大学光科学センター】光科学フォーラムサミット
  • 発表場所: 千里阪急ホテルクリスタルホール
  • 年月日: 2009-07-24
• [学会発表] Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, S.A.Inada, K.Nagamatsu, K.Takeda, T.Asai, K.Nagata, K.Nonaka, T.Mori, H.Tsuzuki, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 学会等名: SIMC-XV 招待講演
  • 発表場所: Vilnius, Lithuania.
  • 年月日: 2009-06-16
• [学会発表] Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, S.A.Inada, K.Nagamatsu, K.Takeda, T.Asai, K.Nagata, K.Nonaka, T.Mori, H.Tsuzuki, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 学会等名: SIMC-XV
  • 発表場所: Vilnius, Lithuania
  • 年月日: 2009-06-16
• [学会発表] 持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割 (2009)
  • 著者名/発表者名: 天野浩
  • 学会等名: 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
  • 年月日: 2009-05-15
• [学会発表] p-AlGaNの活性化アニール特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 永田賢吾, 竹田健一郎, 市川友紀, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
  • 年月日: 2009-05-15
• [学会発表] AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II) (2009)
  • 著者名/発表者名: 永松謙太郎, 浅井俊晶, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 春季 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] Challenge for short wavelength semiconductor UV laser diodes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, H.Tsuzuki, T.Mori, K.Takeda, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 学会等名: Proceedings of SPIE Volume 7216
  • 発表場所: San Jose Convention Center, USA
  • 年月日: 2009-01-28
• [学会発表] 活性化アニールによるp型Al_<0.17>Ga_<0.83>Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 永田賢吾, 竹田健一郎, 永松謙太郎, 都築宏俊, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 応用物理学会第56回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
• [学会発表] 酸素雰囲気中でのp型AlGaNの活性化による高出力AlGaN/GaN紫外LED (2009)
  • 著者名/発表者名: 永田賢吾, 竹田健一郎, 市川友紀, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 応用物理学会第70回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient (2009)
  • 著者名/発表者名: Kengo Nagata, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
  • 学会等名: ICNS 8
  • 発表場所: 済州島、韓国
• [学会発表] Mg-doped AIN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 野中健太朗, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] Defects in Highly Mg-Doped AlN (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Nonaka, T.Asai, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 学会等名: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: 済州島、韓国
• [学会発表] 非極性a面p-GaNのMg濃度の最適化 (2009)
  • 著者名/発表者名: 田村健太、飯田大輔、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
  • 学会等名: 第70回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Asai, K.Nonaka, K.Ban, K.Nagata, K.Nagamatsu, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: 済州島、韓国
• [学会発表] Mg-doped AIN下地層を用いたAlGaN成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 浅井俊晶, 野中健太郎, 伴和仁, 永田賢昌, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, SAT-2, pp.85, (2009-5)
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
• [学会発表] Mg-doped AIN下地層によるAlGaNの低転位化の機構 (2009)
  • 著者名/発表者名: 浅井俊晶, 野中健太朗, 伴和仁, 永田賢昌, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] 斜めファセット面を用いたAlGaNの全面低転位化 (2009)
  • 著者名/発表者名: 竹田健一郎, 森史明, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会予稿集, SAT-18, (2009-5)
  • 学会等名: 第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大小金井キャンパス1号館1階ホール
• [学会発表] Internal Quantum Efficiency of GaN/AlGaN Multi Quantum Wells on Different Dislocation Density Underlying Layer (2009)
  • 著者名/発表者名: Kenichiro Takeda, Fumiaki Mori, Yuji Ogiso, Tomoki Ichikawa, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
  • 学会等名: ICNS 8
  • 発表場所: 済州島、韓国
• [学会発表] High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Twaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, H. Kan
  • 学会等名: Abstracts of the International Workshop on Nitride semiconductors
  • 発表場所: Montreux, Swiss
  • 年月日: 2008-10-08
• [学会発表] Activation energy of Mg in AlGaN (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. and Akasaki
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
  • 発表場所: Montreux, Swiss
  • 年月日: 2008-10-08
• [学会発表] Microstructure in Al_xGai_<1-x>N grown on AlN (2008)
  • 著者名/発表者名: Toshiaki Mori, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors
  • 発表場所: Montreux, Swiss
  • 年月日: 2008-10-08
• [学会発表] ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/Sapphire基板上のUV-LD特性評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 都築宏俊, 森史明, 市川友紀, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 吉田治正, 桑原正和, 山下陽滋, 菅博文
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集
  • 発表場所: 中部大
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] 周期溝下地結晶を用いたAl_<0.5>Ga_<0.5>Nの低転位化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹田健一郎, 森史明, 小木曽裕二, 森俊晶, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] 高正孔濃度p型AlGaN (2008)
  • 著者名/発表者名: 永松謙太郎, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」公開シンポジウム
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-08-02
• [学会発表] AlN上AlGaNの結晶回復過程と溝加工テンプレートによる低転位化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹田健一郎, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇
  • 学会等名: 文部科学省科学研究費補助金特定領域研究公開シンポジウム「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-08-02
• [学会発表] High efficiency UV LEDs and LDs (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano
  • 学会等名: 5^<th> China International Forum on Solid State Lighting
  • 発表場所: Shenzhen, China
  • 年月日: 2008-07-26
• [学会発表] Novel UV devices on high quality AlGaN using grooved template (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, H. Kan
  • 学会等名: Abstracts of the Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: 伊豆
  • 年月日: 2008-07-07
• [学会発表] Relaxation process of Al_xGa_<1-x>N grown on high-crystalline-quality A1N (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Asai, K. Nagata, T. Mori, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
  • 学会等名: Technical Digest ISGN-2
  • 発表場所: 伊豆
  • 年月日: 2008-07-07
• [学会発表] Short wavelength semiconductor laser diodes (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano, H. Tsuzuki, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 学会等名: Japan- Brazil Memorial Symposium on Science and Technology for the Celebration of 100 Years of Japanese Immigration in Brazil
  • 発表場所: Universidade de Sao Paulo, Brazil
  • 年月日: 2008-06-25
• [学会発表] Growth of Group III Nitrides For UV and Green Light Emitting Devices (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano
  • 学会等名: The 4^<th> Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, Japan
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-05-22
• [学会発表] Growth of Group III Nitrides For UV and Green Light Emitting Devices (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano
  • 学会等名: The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 発表場所: Sendai, Japan
• [学会発表] 高温MOVPEを用いたAlN周期溝上AlGaN中の転位密度のAlNモル分率依存性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 浅井俊晶、住井隆文、加藤尚文、佐藤周夜、森 俊晶、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
  • 学会等名: 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学(船橋校舎)
• [学会発表] AlGaN中のMgの活性化エネルギー (2008)
  • 著者名/発表者名: 永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
  • 学会等名: 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学(船橋校舎)
• [学会発表] ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/サファイア基板上の高効率UV LED (2008)
  • 著者名/発表者名: 都築宏俊、森 史明、市川友紀、竹田健一郎、渡邊浩崇、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章
  • 学会等名: 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学(船橋校舎)
• [学会発表] High temperature metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlN and AlGaN for fabrication of high performance UV/DUV emitters (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Balakrishnan, Kazuyoshi Iida, H. Watanabe, H. Amano, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 学会等名: 17th International Vacuum Congress(IVC-17),
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
• [学会発表] Epitaxial lateral overgrowth of low dislocation density AlN by high temperature MOVPE and fabrication of UV optoelectronics devices (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, N. Okada, F. Mori, K. Iida, M. Imura, K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
  • 学会等名: The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Salt Lake City, Utah, USA
• [学会発表] High temperature MOVPE growth-a novel approach to grow high quality AlN layers (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Krishnan, M. Imura, S. Satoh, H. Sugimura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
  • 学会等名: The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Salt Lake City, Utah, USA
• [学会発表] Microstructure of AlN grown on SiC by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy and epitaxial lateral overgrowth (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, N. Okada, B. Krishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
  • 学会等名: The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Salt Lake City, Utah, USA
• [学会発表] 紫外発光素子への期待とIII族窒化物半導体を用いた紫外発光素子の高性能化 (2007)
  • 著者名/発表者名: 天野 浩, 岩谷素顕, 上山 智, 赤崎 勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [学会発表] Microstructure of Threading Dislocations Caused by Grain Boundaries in AlN on Sapphire Substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semi conductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] Extremely Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by High Temperature MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: B. Krishnan, H. Sugimura, A. Band oh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semi conductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] Critical Issue in Growing High Quality Thick AlGaN by High-Temperature MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Kato, T. Sumii, S. Sato, H. Sugimura, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. B andoh
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] Internal Quantum Efficiency of Al_xGa_<1-x>N (0<x<1) on AlN Template (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani, Y. Yamada
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] Stimulated Emission from Nonpolar and Polar AlN (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Okada, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani, Y. Yamada
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] UV Emitters Grown on High Crystalline Quality AlGaN on Sapphire (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Iida, F. Mori, H. Watanabe, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama. T. Takagi. A. Bandoh
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] Effect of sapphire mis-orientation on the growth of AlN by high temperature MOVPE (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
  • 学会等名: The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
• [学会発表] Nitride-Based UV Lasers (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Amano, N. Kato, N. Okada, T. K awashima, K. Iida, K. Nagamatsu, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
  • 学会等名: The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS 2007)
  • 発表場所: Florida, USA
• [図書] Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga, In)N films on lattice-mismatched substrates Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.KGaA(Editor : T.Paskova) (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Amano, T.Kawashima, D.Iida, M.Imura, M.Iwaya, S.Kamiyama, I.Akasaki
  • 出版者: Nitrides with Nonpolar Surfaces
• [図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces, "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga,In)N films on lattice-mismatched substrates" (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
  • 総ページ数: 464
  • 出版者: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA (Editor(s): T.Paskova)
• [図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces, Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar A1(Ga, In)N films on lattice-mismatched substrates Editor(s) : T. Paskova, 108-118 (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
  • 総ページ数: 464
  • 出版者: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
• [図書] Advances in Light Emitting Materials, Edited by Bo Monemar, Martin Kittler and Hermann Grimmeisss, AlN and AlGaN by MOVPE for UV Light Emitting Devices pp.175-210 (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
  • 総ページ数: 278
  • 出版者: Trans Technical Publications
• [図書] LED革新のための最新技術と展望, 第2章第2節第1項, GaNの成長・低転位化・実用状況・基板欠陥とGaN膜欠陥の相関, pp.34-52 (2008)
  • 著者名/発表者名: 天野浩
  • 総ページ数: 709
  • 出版者: 情報機構
• [備考] ホームページ等
  • URL: http://kenpro.mynu.jp:8001/Profiles/0065/0006561/profile.html
• [産業財産権] 自立基板の製造方法、AlN自立基板及びIII族窒化物半導体デバイス (2011)
  • 発明者名: 天野浩、岩谷素顕
  • 権利者名: 名城大学
  • 産業財産権番号: 2011-060889
  • 出願年月日: 2011-03-18
• [産業財産権] 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びその製造方法 (2007)
  • 発明者名: 天野浩、金近幸博、東正信
  • 権利者名: (株)トクヤマ
  • 産業財産権番号: 2007-303311
  • 出願年月日: 2007-11-22
• [産業財産権] 板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法 (2007)
  • 発明者名: 天野浩、金近幸博、東正信
  • 権利者名: (株)トクヤマ
  • 産業財産権番号: 2007-303312
  • 出願年月日: 2007-11-22
• [産業財産権] 窒化化合物半導体基板及び半導体デバイス (2006)
  • 発明者名: 天野浩、吉田冶正、高木康文、桑原正和
  • 権利者名: 浜松ホトニクス(株)
  • 産業財産権番号: 2006-032950
  • 出願年月日: 2006-02-09