InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究

• 研究領域: 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
• 研究課題/領域番号: 18069014
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 独立行政法人理化学研究所
• 研究代表者: 平山 秀樹 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー (70270593)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 67,800千円 (直接経費: 67,800千円); 2010年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円); 2009年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円); 2008年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円); 2007年度: 20,400千円 (直接経費: 20,400千円); 2006年度: 24,600千円 (直接経費: 24,600千円)
• キーワード: 深紫外LED / AlGaN / InAlGaN4元混晶 / 内部量子効率 / 貫通転位密度 / 結晶成長 / 外部量子効率 / 注入効率 / InAlGaN / AlNテンプレート / 深外LED / AIGaN / InAIGaN / AINテンプレート / 紫外LED / 貫通転位 / 窒化物半導体 / InAlGN4元混晶 / 高輝度LED / p型半導体 / In組成変調

研究概要

波長250nm-350nm帯の深紫外発光ダイオード(LED)は、殺菌、浄水、医療分野、白色照明、生物分野などの幅広い分野での応用が期待されている。本研究では、パルス供給結晶成長法を用いた窒化アルミニウム(AlN)の低貫通転位密度の低減、InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高内部量子効率発光層の実現、多重量子障壁を用いた電子リーク抑制による注入効率の改善など行うことにより、高効率深紫外LEDを実現した。

研究成果

• [雑誌論文] Molwcular beam epitaxy growth of GaN/AlGaN quantum cascade structure using droplets elimination by thermal annealing technique (2011)
  • 著者名/発表者名: Wataru Terashima, H.Hirayama
  • 雑誌名: Phys.Status, Solidi A 巻: (In press)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Spontaneous emission from GaN/AlGaN terahertz quantum cascade laser grown on GaN substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: Wataru Terashima, H.Hirayama
  • 雑誌名: Phys.Status Solidi 巻: (In press)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, Y.Tsukada, T.Maeda, N.Kamata
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 3 ページ: 31002-31002
  • NAID: 10027013818
• [雑誌論文] AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 雑誌名: 表面技術、特集「LED照明と表面技術」 巻: 61巻9号 ページ: 637-640
  • NAID: 10026629249
• [雑誌論文] The utility of droplet elimination by thermal annealing technique for fabrication of GaN/AlGaN Terahertz quatum cascade structure by radio frequency molecular beam epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: Wataru Terashima, H.Hirayama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: 3 ページ: 125501-125501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Marked Enhancement in the efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquatum-Barrier Electron Blocking Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express.3,031002 3
  • 査読あり
• [雑誌論文] 222nm Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum Well Light-Emitting Diode with Vertical Emission Properties (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, N.Noguchi, N.Kamata
  • 雑誌名: Appl.Phys Express (in press)
  • NAID: 10027013951
  • 査読あり
• [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, N.Noguchi, S.Fujikawa, J.Norimatsu, T.Takano, K.Tsubaki, N.Kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (a) 206 ページ: 1176-1182
• [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, N.Noguchi, S.Fujikawa, J.Norimatsu, T.Takano, K.Tsubaki, N.kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(a) 206 ページ: 1176-1182
  • 査読あり
• [雑誌論文] Milliwatt power 270nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN template (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, J.Norimatsu, N.Noguchi, S.Fujikawa, T.Takano, K.Tsubaki, N.Kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of low threading dislocation density ELO-AIN template for the application to deep-UV LEDs (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, S.Fujikawa, J.Norimatsu, T.Takano, K.Tsubaki, N.kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 6
  • 査読あり
• [雑誌論文] 222nm single-peaked deep-UV LEDE with thin AlGaN quantum well layers (2009)
  • 著者名/発表者名: N.Noguchi, H.Hirayama, T.Yatabe, N.Kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Realization of 280nm band AlGaN based UV-LED on large area AlN template with high crystalline quality (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Takano, S.Fujikawa, K.Tsubaki, H.Hirayama
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely high efficiency 280nm-band emission from quaternary InAlGaN QWs realized by controlling Si-doped layers (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Fujikawa, H.Hirayama, T.Takano, K.Tsubaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 6
  • 査読あり
• [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN template (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, N.Noguchi, S.Fujikawa, J.Norimatsu K.Kamata, T.Takano, K.Tsubaki
  • 雑誌名: SPIE ページ: 7216-58
  • 査読あり
• [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AIN template (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE 7216 ページ: 7216-58
• [雑誌論文] 280nm帯高出力紫外LED (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹
  • 雑誌名: 月刊ディスプレー 2月号 ページ: 33-42
• [雑誌論文] 227 nm AlGaN light-emitting diode with 0.15 mW output power realized using thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, N.Noguchi, T.Yatabe, N.Kamata
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 1 ページ: 51101-51101
  • NAID: 10025080177
• [雑誌論文] 227 nm AlGaN light-emitting diode with 0.15 mW output power realized using thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, N. Noguchi, T. Yatabe and N. Kamata
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 1 ページ: 51101-51101
  • NAID: 10025080177
  • 査読あり
• [雑誌論文] 226-273 nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on multilayer AlN buffers on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2969-2969
  • 査読あり
• [雑誌論文] Remarkable enhancement of 254-280 nm deep ultraviolet emission from AlGaN quantum wells by using high-quality AlN buffer on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Yatabe, T. Ohashi and N. Kamata
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2283-2283
  • 査読あり
• [雑誌論文] 227nm AlGaN light-emitting diode with 0.15mW output power realized using thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 1
  • NAID: 10025080177
  • 査読あり
• [雑誌論文] 226-273nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on multilayer AlN buffers on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2969-2971
  • 査読あり
• [雑誌論文] Remarkable enhancement of 254-280nm deep ultraviolet emission from AlGaN quantum wells by using high-quality AIN buffer on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2283-2285
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quaternary InAlGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335nm fabricated by an anti-surfactant method (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2312-2314
  • 査読あり
• [雑誌論文] 27-261nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffers on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Journal of Light and Visual Environment 32 ページ: 79-82
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of 220-270nm AlGaN-based deep UV-LEDs (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Electrical Engineering of Japan 128 ページ: 748-757
  • NAID: 110006684469
  • 査読あり
• [雑誌論文] Recent progresses of 220-270nm AlGaN-based deep-UV LEDs (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 雑誌名: J. Illum. Engng. Inst. Jpn. 92 ページ: 311-315
  • 査読あり
• [雑誌論文] Realization of 340-nm-band high-output-power (7mW) InAlGaN quantum well ultraviolet light-emitting diode with p-type InAlGaN (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Jap. J. Appl. Phys. 47 ページ: 2941-2944
  • NAID: 210000064629
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement of surface roughness and reduction of threading-dislocation density in AlN/AlGaN templates on sapphire by employing trimethylaluminum pulsed supply growth (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 1968-1970
  • 査読あり
• [雑誌論文] Realization of 340nm-band high-power InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by the suppression of electron overflow (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2260-2262
  • 査読あり
• [雑誌論文] 340nm-band high-power InAlGaN quantum well ultraviolet light-emitting diode using p-type InAlGaN layers (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2280-2282
  • 査読あり
• [雑誌論文] Remarkable improvement of output power for InAlGaN based ultraviolet LED by improving the crystal quality of AlN/AlGaN templates (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) 5 ページ: 2102-2104
  • 査読あり
• [雑誌論文] Realization of 340nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 雑誌名: Journal of light and Visual Environment 32 ページ: 83-37
  • NAID: 110006663890
  • 査読あり
• [雑誌論文] 280nm帯 InAlGaN 高出力紫外 LED (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術報告 169 ページ: 83-88
  • NAID: 110007127193
• [雑誌論文] ELO-AlN テンプレート上に作製した270nm帯 AlGaN 紫外LED (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他6名
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術報告 168 ページ: 77-82
  • NAID: 110007127194
• [雑誌論文] 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術報告 167 ページ: 71-76
  • NAID: 110007127195
• [雑誌論文] 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 雑誌名: 電気学会論文誌 C 128 ページ: 748-756
  • NAID: 10021132357
  • 査読あり
• [雑誌論文] 231-261nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AlN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method on sapphire (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, T.Yatabe, N.Noguchi, T.Ohashi, N.Kamata
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 91 ページ: 71901-71901
• [雑誌論文] 231-261nm AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AlN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method on sapphire (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 91 ページ: 71901-71901
  • 査読あり
• [雑誌論文] "231-261nm AIGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes fabri cated on AIN multilayer buffers grown by ammonia pulse-flow method on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 91 ページ: 0719011-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] 「p-InALGaNと高品質AINを用いた340nm帯高出力LED」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 藤川 紗千恵、高野隆好、近藤行廣、平山秀樹
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 107 ページ: 29-34
• [雑誌論文] 「深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 雑誌名: 電気学会、光・量子デバイス研究会資料 OQD-07-60 ページ: 1-10
  • NAID: 10025660536
• [雑誌論文] "230-350nm帯AIGaN系深紫外高輝度LEDの進展と応用" (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 雑誌名: オプトロニクス(OPTROMICS) 200710月号 ページ: 110-119
• [雑誌論文] "250-350nm帯AlGaN系深紫外高輝度LEDの開発" (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、高野隆義、藤川紗千恵、大橋智昭、谷田部透、鎌田憲彦、近藤行廣、
  • 雑誌名: O plus E Vol.29 ページ: 572-581
• [雑誌論文] High-efficiency UV-LEDs using quaternary InAlGaN (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama et al.
  • 雑誌名: Electrical Engineering in Japan 157・3 ページ: 225-232
  • NAID: 210000174185
• [雑誌論文] Influence of residual oxygen impurity in quaternary InAlGaN multiple quantum well active layers on emission efficiency of ultraviolet light-emitting diodes on GaN substrates (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Kyono, H.Hirayama et al.
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 99・11 ページ: 1145091-7
• [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, N. Noguchi, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki and N. Kamata
  • 雑誌名: physica Status Solidi (a) in press
  • 査読あり
• [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望 (2011)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 電気学会パワー半導体レーザパワーLED応用技術調査専門委員会研究会
  • 発表場所: 市ヶ谷/東京千代田区
  • 年月日: 2011-02-18
• [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望 (2011)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 同志社大学界面現象研究センター研究会
  • 発表場所: 同志社大学/京都市京田辺市
  • 年月日: 2011-01-06
• [学会発表] Recent progress and future prospects of AlGaN based deep-UV LEDs (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama
  • 学会等名: German-Japanese-Spanish Workshop on Frontier Photonic and electronic Materials and Devices
  • 発表場所: Granada Spain
• [学会発表] MQBを用いた230nm帯短波長深紫外LEDの効率改善 (2011)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘, 富田優志, 前田哲利, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 2011春応用物理学会(第58回)
  • 発表場所: 神奈川工科大学/神奈川県厚木市
• [学会発表] A軸方向傾斜c面サファイア上に作製した高効率紫外LED (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹, 前田哲利
  • 学会等名: 2011春応用物理学会(第58回)
  • 発表場所: 神奈川工科大学/神奈川県厚木市
• [学会発表] ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上深紫外LED (2011)
  • 著者名/発表者名: 美濃卓哉, 高野隆好, 椿健治, 平山秀樹, 杉山正和
  • 学会等名: 2011春応用物理学会(第58回)
  • 発表場所: 神奈川工科大学/神奈川県厚木市
• [学会発表] Properties of GaAs/AlxGal-xAs terahertz quantum cascade lasers with different barrier composition (2011)
  • 著者名/発表者名: Tsung-Tse Lin, Leiying Ying, Hideki Hirayama
  • 学会等名: 2011春応用物理学会(第58回)
  • 発表場所: 神奈川工科大学/神奈川県厚木市
• [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望 (2011)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア」-材料洗剤能力の極限発現-公開シンポジウム
  • 発表場所: 修善寺/静岡県
• [学会発表] 230-350nm帯InAlGaN系紫外高効率発光デバイスの研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、光・光量子科学技術の新展開、第三回公開シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] 低貫通転位密度ALNの結晶成長法開拓と220-280nm帯深紫外LEDの進展 (2010)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘, 鎌田憲彦
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] InAlGaN4元混晶を用いた280nm帯殺菌用途深紫外LEDの進展 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] 多重量子障壁(MQB)を用いた短波長深紫外LEDの飛躍的高出力化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘, 鎌田憲彦
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] 光取り出し効率改善によるAlGaN系深紫外LEDの高効率化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋葉雅弘, 平山秀樹, 塚田悠介, 鎌田憲彦
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の新展開 第3回シンポジウム.
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 月刊OPTRONICS主催グリーンフォトニクス特別セミナー
  • 発表場所: 東京都立産業貿易センター/東京都港区
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: JEITA(電子情報技術産業協会)ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術分科会研究会
  • 発表場所: JEITA/東京都千代田区
  • 年月日: 2010-11-10
• [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: サムコ株式会社セミナー
  • 発表場所: サムコ株式会社/京都府伏見区
  • 年月日: 2010-10-05
• [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの高効率化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会ソサイエティ大会シンポジウムレーザー量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪府立大学/大阪府堺市
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 220-280nm AlGaN系紫外LEDの進展 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会シンポジウム「ワイドギャップ窒化物AlGaNの結晶評価と深紫外光デバイス応用」結晶工学分科会企画
  • 発表場所: 長崎大学/長崎県長崎市
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 近未来の光、テラヘルツ光・深紫外光の魅力-くらしを変える新しい光と応用の広がり- (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 仙台市市民講座(講座仙台学2010)「仙台とくらし」
  • 発表場所: 仙台国際センター/宮城県仙台市
  • 年月日: 2010-07-24
• [学会発表] AlGaN系材料界面制御技術と深紫外LEDの進展 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: アモルファス・ナノ材料 日本学術振興会第147委員会(第108回研究会)
  • 発表場所: 主婦会館/東京都新宿区
  • 年月日: 2010-07-09
• [学会発表] AlGaN系紫外LEDの進展と展望 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 応用物理学会・応用電子物性分科会研究例会「紫外光デバイスの進展:材料物性と応用」
  • 発表場所: 大阪大学銀杏会館/大阪府吹田市
  • 年月日: 2010-05-21
• [学会発表] InAlGaN深紫外発光ダイオードと将来展開 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: JST戦略的イノベーション創出推進シンポジウム「無機発光素子を用いた高機能照明・次世代レーザ技術の開発」
  • 発表場所: JST東京本部/東京都千代田区
  • 年月日: 2010-04-26
• [学会発表] Advances of AlGaN-based High-Efficiency deep-UV LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.hirayama
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics(ACP2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
• [学会発表] Short-wavelength high-efficiency deep-UV LEDs realized by improving injection efficiency (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors2010(IWM201)
  • 発表場所: Florida, USA
• [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama
  • 学会等名: 7^<th> China International Exhibition and Forum on Solid State Lighting(CHINASSL2010)
  • 発表場所: Shinzhen, China
• [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama
  • 学会等名: Seoul Optodevice Forum
  • 発表場所: Seoul Semicondutor/Optodevice Co, Ltd, Seoul, Korea
• [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama
  • 学会等名: LG Innotek Forum
  • 発表場所: LG Innotek Co., Ltd., Seoul Korea
• [学会発表] Progress of AlGaN-based Deep-UV LEDs using high-quality ALN on sapphire (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Kamata
  • 学会等名: 22th International Semiconductor Laser Conference(ISLC2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Marked efficiency enhancement of AlGaN-based deep-UV LEDs using Multiquantum-barrier (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
  • 学会等名: 22th International Semiconductor Laser Conference(ISLC2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] First achievement of deep-UV LEDs on Si wafer (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Fujikawa, H.Hirayama
  • 学会等名: 22th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] High-power short-wavelength AlGaN deep-UV LEDs realized by improving injection efficiency (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, Y.Tsukada, M.Akiba, N.Maeda, N.Kamata
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
• [学会発表] Optimization of Multiquantum-barrier(MQB) structure of AlGaN deep-UV LEDs for realizing high injection efficiency (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
• [学会発表] Realization of InAlGaN QW deep-UV LEDs on Si(111) Substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Fujikawa, H.Hirayama
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
• [学会発表] Efficiency enhancementin AlGaN deep-UV LEDs using high-reflectivity Al-based p-type electrode (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Akiba, H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.kamata
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
• [学会発表] First observation of spontaneous emission on injection current from GaN/AlGaN Terahertz quantum cascade laser (2010)
  • 著者名/発表者名: W.Terashima, H.Hirayama
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
• [学会発表] Efficiency enhancement in 250nm-band AlGaN deep-UV LEDs using Multiquantum-barrier (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
  • 学会等名: The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-3)
  • 発表場所: Montpellier, France
• [学会発表] 280nm-band InAlGaN deep-UV LED on Silicon(111) substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Fujikawa, H.Hirayama
  • 学会等名: The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-3)
  • 発表場所: Montpellier, France
• [学会発表] RF-MBE growth of terahertz quantum cascade laser structure on GaN Substrate using droplets elimination by thermal annealing techique (2010)
  • 著者名/発表者名: W.Terashima, S.Matsumoto, H.Hirayama
  • 学会等名: The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
  • 発表場所: Montpellier, France
• [学会発表] 247-262nm AlGaN deep-UV LEDs using multiquantum-barrier (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
  • 学会等名: The 8^<th> International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices(ISSLED2010)
  • 発表場所: E3, Beijing, China
• [学会発表] Design of multiquantum-barrier electron-blocking layer for 230-280nm-band AlGaN deep-UV LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
  • 学会等名: The 8^<th> International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices(ISSLED2010)
  • 発表場所: I5, Beijing China
• [学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film in trench-patterned AlN template (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, J.Norimatsu, H.Hirayama
  • 学会等名: The 8^<th> International Symposium on Semiconductors Light Emitting Devices(ISSLED2010)
  • 発表場所: J4, Beijing China
• [学会発表] Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LED (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹
  • 学会等名: 2010秋応用物理学会(第71回)
  • 発表場所: 長崎大学/長崎県長崎市.
• [学会発表] Ni/Al高反射p型電極を用いたAlGaN深紫外LEDの高効率化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋葉雅弘, 平山秀樹, 塚田悠介, 前田哲利, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 2010秋応用物理学会(第71回)
  • 発表場所: 長崎大学/長崎県長崎市
• [学会発表] 多重量子障壁(MQB)を用いた高出力AlGaN系深紫外LED (2010)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 秋葉雅弘、前田哲利, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 2010秋応用物理学会(第71回)
  • 発表場所: 長崎大学/長崎県長崎市
• [学会発表] GaN/AlGaN Thz-QCLからの電力注入による事前放出光の観測 (2010)
  • 著者名/発表者名: 寺嶋亘, 平山秀樹
  • 学会等名: 2010秋応用物理学会(第71回)
  • 発表場所: 長崎大学/長崎県長崎市
• [学会発表] MQBを用いた高効率250nm帯AlGaN系深紫外LED (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 塚田悠介, 前田哲利, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 三重大学/三重県津市
• [学会発表] AlGaN深紫外LEDの電子注入効率改善のためのMQB設計 (2010)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 三重大学/三重県津市
• [学会発表] Si基板上290nm帯InAlGaN深紫外LEDの実現 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 三重大学/三重県津市
• [学会発表] Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: SPIE-Photonics West, Materials, Devices and Applications for Solid State Lighting
  • 発表場所: San Francisco, USA
• [学会発表] 多重量子障壁電子ブロック層を用いた250nm帯深紫外LEDの高効率化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 塚田悠介, 前田哲利, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第57回2010春応用物理学会
  • 発表場所: 東海大学/神奈川県厚木市
• [学会発表] InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究-220nm帯LEDの放射特性とMQBを用いた紫外LED高効率化- (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-、H21年度報告会
  • 発表場所: 滋賀県
• [学会発表] 低貫通転位密度AlNバッファーの開拓と220-280nm帯AlNの実現と紫外LEDへの応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 乗松潤, 塚田悠介, 鎌田憲彦
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、第二回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2009-11-27
• [学会発表] ELO法を用いた低貫通転位密度AlNの実現と深紫外UEDへの応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 乗松潤, 藤川紗千恵, 塚田悠介, 鎌田憲彦
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、第二回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2009-11-27
• [学会発表] InAlGaN4元混晶を用いた280nm殺菌用途波長高効率LEDの実現 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、第二回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」
  • 発表場所: 日本科学未来館/東京都江東区
  • 年月日: 2009-11-27
• [学会発表] In混入AlGaN の発光及びp型特性と高効率深紫外LEDへの応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会、「紫外発光素子の進展」、特定領域研究企画「窒化物半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-
  • 発表場所: 富山大学/富山県
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 最短波長領域・高効率深紫外LEDの開発 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: (社)日本オプトメカトロニクス協会、光センシング技術部会研究会
  • 発表場所: 機械振興会館/東京都港区
  • 年月日: 2009-09-07
• [学会発表] 230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域、 H21年度報告会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-04-28
• [学会発表] 窒化物紫外LEDの進展と今後の展望 (2009)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 光技術動向調査委員会研究会
  • 発表場所: 幕張
  • 年月日: 2009-01-09
• [学会発表] Progresses of 220-280nm-band deep-UV-LEDs (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: Taiwan Display & Solid State Lighting Conference & Exhibition(TSSL2009)
  • 発表場所: Taiwan
• [学会発表] Recent progresses of AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro-Optics(CLEO)2009
  • 発表場所: Baltimore, USA
• [学会発表] Progresses of 220-280nm-band AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors(APWS2009)
  • 発表場所: China
• [学会発表] Low threading dislocation density ELO-AlN for deep-UV LEDs fabricated using large period(>20μm)AlN stripes (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 乗松潤, 藤川紗千恵, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Surface emitting property of 220-250nm-band AlGaN-based deep-UV LEDs (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 塚田悠介, 野口憲路, 乗松潤, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] 250nm-band high-efficiency. AlGaN LEDs using In-doped quantum well and p-type layers (2009)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 野口憲路, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semicond uctors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] High efficiency 280nm InAlGaN quantum well LEDs fabricated using quite low growth rate epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Low threading dislocation density 4-inch area uniform AlN on sapphire fabricated by controlling AlN unclei (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Low threading dislocation density AlN on sapphire for DUV-LEDs realized by using multi-AlN-nucleus layers growth by NH3 pulsed-flow epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Deep-UV bright emission from high-Al-content InAlGaN quantum dots-growth and optical properties (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 平山秀樹, 杉山正和
  • 学会等名: 8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] AlGaN系半導体を用いた深紫外LEDの進展 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: エクストリームフォトニクスシンポジウム
  • 発表場所: 理化学研究所/埼玉県和光市
• [学会発表] 280nm帯紫外LEDにおけるInAlGaNの極低速成長の重要性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
  • 学会等名: 第70回2009秋応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学/富山県
• [学会発表] Siドーピングによる250nm帯InドープAlGaN量子井戸LED高効率化の検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 藤川紗千恵, 平山秀樹, 乗松潤, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第70回2009秋応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学/富山県
• [学会発表] 240nmAlGaN-LEDのCW1.2mW出力動作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 乗松潤, 平山秀樹, 塚田悠介, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第70回2009秋応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学/富山県
• [学会発表] 2"×3MOCVDを用いた核形成層制御によるサファイア基板上AlNの高品質化 (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 藤川紗千恵, 平山秀樹, 椿健治
  • 学会等名: 第70回2009秋応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学/富山県
• [学会発表] 周期溝構造AIN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
  • 学会等名: 第70回2009秋応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学/富山県
• [学会発表] GaN/AlGaN系THz帯量子カスケードレーザの作製と電流注入 (2009)
  • 著者名/発表者名: 寺島亘, 應磊瑩, 平山秀樹
  • 学会等名: 第70回2009秋応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学/富山県
• [学会発表] 「アンモニアパルス供給多段成長法」の最適化による2インチ3枚対応高品質AlNテンプレートの作製と紫外LEDの作製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治
  • 学会等名: 第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大学/東京都府中市
• [学会発表] 高Al組成InAlGaN4元混晶を用いた深紫外発光量子ドットの結晶成長と発光特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 平山秀樹, 杉山正和
  • 学会等名: 第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大学/東京都府中市
• [学会発表] 220-250nm帯AlGaN量子井戸紫外LEDからの垂直放射の確認 (2009)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 野口憲路, 乗松潤, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大学/東京都府中市
• [学会発表] 高Al組成InAlGaN4元混晶の結晶成長と250nm帯深紫外高効率LEDの実現 (2009)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 野口憲路, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大学/東京都府中市
• [学会発表] 低速成長による高Al組成InAlGaN4元混晶の高品質結晶成長・評価と280nm帯深紫外高出力LEDの実現 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 平山秀樹, 高野隆好, 椿健治
  • 学会等名: 第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大学/東京都府中市
• [学会発表] 大周期ストライプを用いた深紫外LED用ELO-AlNテンプレートの貫通転位の低減 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵, 乗松潤, 平山秀樹, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第一回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の将来を展望する」
  • 発表場所: 東京農工大学/東京都府中市
• [学会発表] 紫外LED用ELO-AlNテンプレートの作製(横成長領域の拡大) (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹, 乗松潤, 野口憲路, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第56回2009春応用物理学会
  • 発表場所: 筑波大学/茨城県つくば市
• [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlNテンプレート上へのAlN厚膜成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 奥浦一輝, 片桐佑介, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
  • 学会等名: 第56回2009春応用物理学会
  • 発表場所: 筑波大学/茨城県つくば市
• [学会発表] 230nm帯AlGaN量子井戸紫外LEDの放射特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 野口憲路, 平山秀樹, 乗松潤, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第56回2009春応用物理学会
  • 発表場所: 筑波大学/茨城県つくば市
• [学会発表] 250nm帯InAlGaN量子井戸紫外LEDのサブミリワット出力動作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 塚田悠介, 平山秀樹, 藤川紗千恵, 野口憲路, 鎌田憲彦
  • 学会等名: 第56回2009春応用物理学会
  • 発表場所: 筑波大学/茨城県つくば市
• [学会発表] InAlGaN4元混晶半導体を用いた深紫外発光量子ドットの作製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好, 藤川紗千恵, 平山秀樹, 杉山正和
  • 学会等名: 第56回2009春応用物理学会
  • 発表場所: 筑波大学/茨城県つくば市
• [学会発表] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN template (2009)
  • 著者名/発表者名: (Invited) H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: Semiconductor Lasers and LEDs, Gallium Nitride Materials and Devices IV
  • 発表場所: San Jose, USA.
• [学会発表] Recent progresses of AlGaN and InAlGaN based deep-UV-LEDs (2009)
  • 著者名/発表者名: (Invited) H. Hirayama
  • 学会等名: Display & Solid State Lighting Conference & Exhibition (DSSL2009)
  • 発表場所: Seoul, Korea.
• [学会発表] 220-280nm帯深紫外LEDの最新動向 (2009)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議
  • 発表場所: 東京ビッグサイト
• [学会発表] 220-280nm帯AlGaN、InAlGaN系紫外LEDの進展 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: フイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会
  • 発表場所: 伊東
  • 年月日: 2008-12-15
• [学会発表] 220-280nm帯深紫外LEDの最新動向 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 全日本科学機器展
  • 発表場所: 東京ビッグサイト
  • 年月日: 2008-11-27
• [学会発表] 窒化物を用いた殺菌用途高出力紫外LEDの開発と今後の展望 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 電子ジャーアナル講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-11-19
• [学会発表] 窒化物紫外LEDの進展と実用化へ向けた課題 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 技術情報協会セミナー
  • 発表場所: 東京テレコムセンター
  • 年月日: 2008-09-26
• [学会発表] 230-350nm紫外LEDの進展と今後の展望 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 伯東セミナー
  • 発表場所: 新宿伯東講堂
  • 年月日: 2008-07-02
• [学会発表] 220-280nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 電気学会パワー半導体レーザ応用システム調査専門委員会
  • 発表場所: 市ヶ谷
  • 年月日: 2008-05-22
• [学会発表] 220-350nm窒化物半導体紫外発光素子の進展と今後の展望 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 日本学術振興会、光エレクトロニクス第130委員会
  • 発表場所: 森戸記念館
  • 年月日: 2008-05-12
• [学会発表] 「窒化物半導体による深紫外およびテラヘルツ発光素子開発の現状と展望」 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: ワイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会、特別講演会(第56回研究会)
  • 発表場所: 主婦会館プラザエフ
  • 年月日: 2008-01-25
• [学会発表] 222-282nm AlGaN and InAlGaN based high-efficiency deep-UV-LEDs fabricated on high-quality AlN (2008)
  • 著者名/発表者名: (Invited) H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
• [学会発表] 222-273nm AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire (2008)
  • 著者名/発表者名: (Invited) H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Symposium on Semiconductor Light emitting devices (ISSLED2008)
  • 発表場所: Phoenix, USA.
• [学会発表] 窒化物半導体紫外発光デバイスの進展とMEMSへの融合の可能性 (2008)
  • 著者名/発表者名: (招待講演) 平山秀樹
  • 学会等名: 第25回「センサー・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] Fabrication of low threading dislocation density ELO-AlN template for the application to deep-UV LEDs (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
• [学会発表] Milliwatt power 270nm-band AlGaN deep-UV LED fabricated on ELO-AlN template (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
• [学会発表] Extremely high efficiency 280 nm-band emission from quaternary InAlGaN quantum wells realized by controlling Si-doped layers (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
• [学会発表] 222nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layers (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
• [学会発表] Realization of 270nm-band AlGaN based UV-LEDs on large area AlN template with high crystalline quality (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
• [学会発表] 270nm-band AlGaN deep-UV-LEDs fabricated on ELO-AlN buffer (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: 27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] Over 1mW output power 247-254nm AlGaN deep-UV-LEDs realized by reducing threading dislocation density of AlN buffer (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: 27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] High-efficiency 280nm-band InAlGaN quantum well deep-UV LEDs with Si-doped barrier layers (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: 27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] 222nm single-peaked operation of deep-UV AlGaN MQW LED (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: 27^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-27)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] High-quality AlN buffer fabricated by NH_3 pulse-flow multilayer growth method used for 220-270 nm-band UV-LEDs (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] Growth of high-Al-content AlGaN QWs used for 220-250nm-band high-brightness UV-LEDs (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] Extremely high efficiency PL emission from 280nm-band InAlGaN QWs realized by Si-doped layer control (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] 280nm-band quaternary InAlGaN quantum well deep-UV LEDs with p-InAlGaN layers (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, et al,
  • 学会等名: International Symposium on Semiconductor Light emitting devices (ISSLED2008)
  • 発表場所: Phoenix, USA.
• [学会発表] 280nm帯InAlGaN高出力LED (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 学会等名: 電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 名古屋工業大学
• [学会発表] 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 学会等名: 電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 名古屋工業大学
• [学会発表] ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯紫外LED (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他5名
  • 学会等名: 電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 名古屋工業大学
• [学会発表] 220-280nm帯AlGaN、InAlGaN系紫外LEDの進展 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹
  • 学会等名: 文部科学省特定領域研究公開シンポジウム
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] 264nm紫外AlGaN量子井戸LEDのCW11W出力動作 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] 紫外LED用低貫通転位密度ELO-AlNテンプレートの作製 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他5名
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] SiモジュレーションドープInAlGaN発光層を用いた280nm帯紫外LEDの10mW出力動作 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN-LEDのCWミリワット出力動作 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他6名
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] AlN電子ブロック層を用いた230nm帯AlGaN-LEDのCW動作 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山 秀樹, 他3名
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
• [学会発表] "222-273 nm AIGaN deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AIN buffer on sapphire" (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata
  • 学会等名: International Symposium on Semiconductor Light emitting devices(ISSLED2008)
  • 発表場所: Phoenix, USA
• [学会発表] "280 nm-band quaternary InAIGaN quantum well deep-UV LEDs with p-lnAIGaN layers" (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T, Takano, K. Tsubaki and H. Hirayama
  • 学会等名: International Symposium on Semiconductor Light emitting devices(ISSLED2008)
  • 発表場所: Phoenix, USA
• [学会発表] 「InAIGaN4元混晶を用いた280nm帯深紫外LED」 (2008)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、平山秀樹、高野隆好、椿健治
  • 学会等名: 2008春応用物理学会(第65回)
  • 発表場所: 日本大学
• [学会発表] 「量産対応型MOCVDによる270nm帯高出力深紫外LEDの検討」 (2008)
  • 著者名/発表者名: 高野隆好、藤川紗千恵、椿健治、平山秀樹
  • 学会等名: 2008春応用物理学会(第65回)
  • 発表場所: 日本大学
• [学会発表] 「アンモニアパルス供給多層成長法を用いた深紫外LED用AINバッファーの進展」 (2008)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、谷田部透、野口憲路、乗松潤、鎌田憲彦
  • 学会等名: 2008春応用物理学会(第65回)
  • 発表場所: 日本大学
• [学会発表] 「248nmAIGaN深紫外LEDの室温CWミリワット出力動作」 (2008)
  • 著者名/発表者名: 谷田部透、平山秀樹、野口憲路、乗松潤、鎌田憲彦
  • 学会等名: 2008春応用物理学会(第65回)
  • 発表場所: 日本大学
• [学会発表] 「222nmAIGaN深紫外LEDのシングルピーク発光動作」 (2008)
  • 著者名/発表者名: 野口憲路、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
  • 学会等名: 2008春応用物理学会(第65回)
  • 発表場所: 日本大学
• [学会発表] 「深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 電気学会、光・量子デバイス研究会
  • 発表場所: 九州大学
  • 年月日: 2007-12-14
• [学会発表] 「p-InAIGaNと高品質AINを用いた340nm帯紫外高出力LED」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、高野隆好、椿健治、平山秀樹
  • 学会等名: 応用物理学会・結晶工学分科会研究会
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館
  • 年月日: 2007-12-14
• [学会発表] 「230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」領域、平成19年度新規採択課題キックオフミーデイング
  • 発表場所: 日本科学未来館
  • 年月日: 2007-10-27
• [学会発表] "230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望" (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹、谷田部 透, 野口憲路, 藤川紗千恵, 高野隆好, 鎌田憲彦, 近藤行廣
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演回、「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現一
  • 発表場所: 北海道工業大学
  • 年月日: 2007-09-05
• [学会発表] "Development of Deep-UV and Terahertz Semiconductor Emitting Devices and their Applications" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama
  • 学会等名: The 13Th International Micromachine/Nanotech Symposium, -MEMS Frontier: Innovative Devices by Micro and Nano-Bio Fusion Create New Lifestyles-,
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2007-07-26
• [学会発表] "227-261 nm AIGaN-based ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AIN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata
  • 学会等名: International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07)
  • 発表場所: Tokyo
• [学会発表] "High-quality AIN buffer fabricated on sapphire by NH3 pulsed-flow multi-layer growth method for application to deep-UV LEDs" (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Noguchi, T. Yatabe, T. Ohashi, N. Kamata and H. hirayama
  • 学会等名: International Conference on White LEDs and Solid State lighting (White LEDs-07)
  • 発表場所: Tokyo
• [学会発表] "Remarkable enhancement of 254-288 nm deep UV emission from AIGaN quantum wells by using high-quality AlN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata, and H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07)
  • 発表場所: Tokyo
• [学会発表] "Realization of 340 nm band high-power UV-LED using p-type InAlGaN" (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07)
  • 発表場所: Tokyo
• [学会発表] "231-261 nm AlGaN quantum well deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi and N. Kamata
  • 学会等名: International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
  • 発表場所: Kyoto
• [学会発表] "340 nm band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED using p-type InAlGaN layers" (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
  • 発表場所: Kyoto
• [学会発表] "Realization of 340 nm-band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED with p-type InAlGaN" (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)
  • 発表場所: Tsukuba
• [学会発表] "Control of polarity and reduction of threading dislocation density (TDD) of AlN/AlGaN buffer on sapphire by using TMAl pulsed supply method" (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Noguchi, T. Ohashi N. Kamata and H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "340 nm-band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED using p-type InAlGaN layers" (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "High-quality AlN buffer fabricated on sapphire by NH3 pulse-flow multi-layer growth method for application to deep UV LEDs" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "Remarkable enhancement of 254-280 nm deep UV emission from AlGaN quantum wells by using high-quality AlN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Yatabe, H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "Quaternary InAlGaN quantum-dot UV-LED emitting at 335 nmfabricated by an anti-surfactant method" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, S. Fujikawa
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "245-250 nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "Realization of 340 nm-band high-power InAlGaN-based UV-LED by the suppression of electron overflow" (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo ahd H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "Remarkable improvement of output power for InAlGaN based ultraviolet LED by improving the crystal quality of AlN/AlGaN templates" (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Takano, S. Fujikawa, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
• [学会発表] "Realization of 340 nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN" (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Fujikawa, T. Takano, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
  • 発表場所: Laforet Biwako Shiga
• [学会発表] "Remarkable improvement of output power for InAIGaN based UV LED by improving crystal quality of AIN/AIGaN template" (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Takano, S. Fujikawa, Y. Kondo and H. Hirayama
  • 学会等名: 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] "High-quality AIN buffer fabricated on sapphire by ammonia pulse-flow multi-layer growth method for application to deep UV LEDs" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
  • 学会等名: 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] "Control of polarity and reduction of threading dislocation density (TDD) of AIN/AIGaN template by using TMAl pulse supply growth" (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Noguchi, T. Ohashi N. Kamata and H. Hirayama
  • 学会等名: 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] "Remarkable enhancement of 254-280 nm deep UV emission from AIGaN quantum wells by using high-quality AIN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Yatabe, H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
  • 学会等名: 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] "245-250nm AIGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on high-quality AIN buffer on sapphire" (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
  • 学会等名: 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] 「p-InAIGaNと高品質AINを用いた340nm帯高出力LED」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、高野隆好、近藤行廣、平山秀樹
  • 学会等名: 電子情報通信学会、レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)「窒化物半導体光・電子デバイス・材料、及び関連技術」
  • 発表場所: 福井大学
• [学会発表] 「深紫外発光InAIGaN4元混晶量子ドットの形成と電流注入発光」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 藤川紗千恵、平山秀樹
  • 学会等名: 2007秋応用物理学会(第68回)
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [学会発表] 「261nmAIGaN量子井戸深紫外LEDのCWミリワット動作」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 谷田部透、野口憲路、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 2007秋応用物理学会(第68回)
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [学会発表] 「231nmAIGaN量子井戸深紫外LEDのシングルピーク発光動作」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 野口憲路、谷田部透、鎌田憲彦、平山秀樹
  • 学会等名: 2007秋応用物理学会(第68回)
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [学会発表] 「InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外LEDの高出力化」 (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 学会等名: 文部省科研費、特定領域研究、「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」、平成18年度研究成果報告会
  • 発表場所: 熱海後楽園ホテル(静岡)
• [図書] 「近接場光のセンシング・イメージ技術への応用」第21章「殺菌・医療用途を目指した深紫外LED光源の開発」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 5
  • 出版者: CMC出版
• [図書] ファインセラミックスレポート Vol.28, No.4「AlGaN系深紫外LEDの進展」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 5
  • 出版者: 日本ファインセラミックス協会
• [図書] 光技術コンタクト 48巻8号 特集「紫外光学系の動向」「AlGaN系深紫外LEDの進展と展望」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 5
  • 出版者: 日本オプトメカトロニクス協会
• [図書] グリーンフォトニクス技術資料集-環境ビジネスと光技術-「230-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの進展と応用」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 9
  • 出版者: オプトロニクス社
• [図書] LED-UV硬化技術と硬化材料の現状と展望「220-350nm帯AlGaN系紫外LEDの進展と今後の展望 (2010)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 出版者: CMC出版(In press)
• [図書] 理研環境報告書「深紫外光が導きだす新たなエコ・マーケット」-高品質の結晶を作る数多くのブレークスルーを実現- (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 1
  • 出版者: 独立行政法理化学研究所
• [図書] Display「220-280nm帯AlGaN系深紫外LEDの進展」 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 10
  • 出版者: (株)技術情報
• [図書] 光技術コンタクト vol.47, 通巻551, 10月号「最短波長領域・高効率深紫外LEDの開発」 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹
  • 総ページ数: 1
  • 出版者: (社)日本オプトメカトロニクス協会
• [図書] Modern Wide Bandgap Semiconductores and Related Optoelectronic Devices (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Hirayama et al.
  • 出版者: Springer(印刷中)
• [図書] 平成18年度光技術動向調査 (2007)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹 他
  • 出版者: 光産業技術振興協会(印刷中)
• [図書] 科学立国日本を築く極限に挑む気鋭の研究者たち (2006)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹 他
  • 総ページ数: 325
  • 出版者: 日刊工業新聞社
• [図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス (2006)
  • 著者名/発表者名: 平山秀樹 他
  • 総ページ数: 421
  • 出版者: 森北出版(株)
• [備考] 受賞
• [備考] 第43回市村学術賞功績賞 平山秀樹 「AlGaN系精密結晶成長技術の開拓と深紫外LEDの先駆的研究」、2011年4月
• [備考] 第24回日本IBM科学賞エレクトロニクス部門 平山秀樹 「AlGaN系半導体結晶の高品質化と深紫外LEDの先導的開発」、2010年11月
• [備考] IWN国際会議ベストポスター賞 M.Akiba, H.Hirayama, Y.Tsukada N.Maeda and N.Kamata "Efficiency Enhancement in AlGaN Deep-UV LEDs using High-Reflectivity Al-based p-type Electrode"、2010年9月
• [備考] 新聞その他報道など
• [備考] 2007年9月21日、朝日新聞「紫外線発光ダイオード開発」
• [備考] 2008年7月7日、日刊工業新聞「殺菌用紫外線LED世界最高出力」
• [備考] 2010年2月26日、毎日新聞「殺菌力強いLED、紫外光実用化レベルへ」
• [備考] 新聞発表(計11件)
• [産業財産権] 窒化物半導体多重量子構造を有する発光素子及びその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 平山秀樹
  • 権利者名: 独立行政法人理化学研究所
  • 出願年月日: 2010-02-24
• [産業財産権] 光半導体発光素子及びその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
  • 権利者名: 独立行政法人理化学研究所
  • 取得年月日: 2010-06-25
• [産業財産権] 窒化物半導体多重量子障壁を有する発光素子及びその製造法 (2010)
  • 発明者名: 平山秀樹
  • 権利者名: 理研
  • 産業財産権番号: 2010-038912
  • 出願年月日: 2010-02-24
• [産業財産権] 光半導体素子及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 平山秀樹, 柴田智彦
  • 権利者名: 独立行政法人理化学研究所, DOWAエレクトロニクス(株)
  • 出願年月日: 2009-08-28
  • 外国
• [産業財産権] 窒化物半導体発光素子 (2009)
  • 発明者名: 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治, 高野隆好
  • 権利者名: 独立行政法人理化学研究所, パナソニック電工(株)
  • 産業財産権番号: 2009-104407
  • 出願年月日: 2009-04-22
• [産業財産権] 窒化物半導体層の製造方法、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子 (2009)
  • 発明者名: 平山秀樹, 藤川紗千恵, 椿健治, 高野隆好
  • 権利者名: 独立行政法人理化学研究所, パナソニック電工(株)
  • 産業財産権番号: 2009-104408
  • 出願年月日: 2009-04-22
• [産業財産権] 発光素子形成用複合基板及びその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 平山秀樹、古内史人
  • 権利者名: 理化学研究所、宇部興産株式会社
  • 出願年月日: 2008-09-04
  • 外国
• [産業財産権] 発光素子形成用複合基板及びその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 平山秀樹、古内史人
  • 権利者名: 理化学研究所、宇部興産株式会社
  • 出願年月日: 2008-09-03
  • 外国
• [産業財産権] 1.「光半導体素子及びその製造方法」 (2007)
  • 発明者名: 平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
  • 権利者名: 平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
  • 産業財産権番号: 2007-219890
  • 出願年月日: 2007-08-27
• [産業財産権] 2.「半導体発光素子及びその製造方法」 (2007)
  • 発明者名: 平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
  • 権利者名: 平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
  • 産業財産権番号: 2007-219910
  • 出願年月日: 2007-08-27