| 配分額 *注記 |
34,400千円 (直接経費: 34,400千円)
2010年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
2009年度: 9,600千円 (直接経費: 9,600千円)
2008年度: 9,600千円 (直接経費: 9,600千円)
2007年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
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| 研究概要 |
電子の電荷に加えて,電子のスピンを併せて活用するスピントロニクスにおいてスピン源が必須である.本研究では,ホイスラー合金が潜在的に有する,スピン源として理想的なハーフメタル特性を,デバイス構造の中で実現するための重要な知見を明らかにした.具体的には,ホイスラー合金薄膜組成の適切な制御により,ハーフメタル特性に対して特に有害となる欠陥の抑制が可能となり,ハーフメタル特性が顕著に増大することを明らかにした.さらに,これに合わせてホイスラー合金とMgOバリアからなるエピタキシャルヘテロ界面構造の向上により,優れたデバイス特性が得られることを明らかにした.
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