| 研究領域 | スピン流の創出と制御 |
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| 研究課題/領域番号 |
19048011
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
黒田 眞司 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40221949)
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| 研究分担者 |
金澤 研 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教 (60455920)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
34,400千円 (直接経費: 34,400千円)
2010年度: 7,000千円 (直接経費: 7,000千円)
2009年度: 9,900千円 (直接経費: 9,900千円)
2008年度: 9,900千円 (直接経費: 9,900千円)
2007年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
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| キーワード | スピントロニクス / スピン偏極電子源 / 強磁性半導体 / クラスター / ハーフメタル / 磁気光学効果 / 異常ホール効果 |
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| 研究概要 |
半導体へのスピン注入源の実現を目的とし、II-VI族ベースの磁性半導体を対象とした材料探索および強磁性特性の制御・向上を目指した研究を行った。(Zn,Cr)Teにおける磁性元素Crの凝集に着目し、結晶成長時の種々の条件によりCr凝集および磁化特性を制御することを目指した。その結果、Cr凝集領域の形成は成長温度により制御できることが示された。さらに二元化合物CrTe,四元混晶(Cd,Mn,Cr)Teを対象とした研究も行い、強磁性の振舞いを見出した。
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