| 配分額 *注記 |
30,600千円 (直接経費: 30,600千円)
2010年度: 6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
2009年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2008年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2007年度: 6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
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| 研究概要 |
作製条件を制御した磁性半導体,ホイスラー合金,およびそれらの材料からなる界面の局所構造,電子・磁気状態を,軟X線磁気円二色性(XMCD)の測定により元素選択的に明らかにし,強磁性の発現機構に関する新しい知見を得た.主なものは,
○典型的な希薄磁性半導体Ga_<1-x>Mn_xAsに於いて,置換位置Mnと格子間位置Mnの間の反強磁性的な結合を示唆する結果を得て,特性向上には格子間Mnの排除が必要であることが示された.
○室温強磁性半導体であるTi_<1-x>Co_xO_2に於いて,電気伝導率とCo磁気モーメントの大きさの間に明確な正の相関が見いだされ,強磁性がキャリアーに介在されていることを明らかにした.
○高温強磁性半導体Zn_<1-x>Cr_xTeを元素置換した試料を測定し,原子価数Cr^<2+>が強磁性に必要であることがわかり,スピノーダル分解が強磁性の原因であることが支持された.
○ホイスラー合金とMgOからなる磁気トンネル結合の磁気抵抗比が過剰Co組成で低下する原因について,Coアンチサイト欠陥によるとする理論計算を指示するXMCDの結果が得られた.
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