| 研究領域 | スピン流の創出と制御 |
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| 研究課題/領域番号 |
19048018
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
大矢 忍 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20401143)
吉田 博 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (30133929)
佐藤 和則 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60379097)
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| 連携研究者 |
吉田 博 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (30133929)
佐藤 和則 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 准教授 (60379097)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
50,000千円 (直接経費: 50,000千円)
2010年度: 11,200千円 (直接経費: 11,200千円)
2009年度: 14,000千円 (直接経費: 14,000千円)
2008年度: 13,800千円 (直接経費: 13,800千円)
2007年度: 11,000千円 (直接経費: 11,000千円)
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| キーワード | スピン流デバイス / 強磁性半導体 / GaMnAs / GeMn / スピン緩和時間 / 共鳴トンネル分光 / スピン依存伝導 / Spin-MOSFET / MnAs / スピン / スピン流 / 磁性半導体 / 不揮発性メモリ / スピントランジスタ / 分子線エピタキシー / ヘテロ構造 / スピン偏極電流 / 磁気抵抗効果 / スピン注入 |
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| 研究概要 |
従来の半導体デバイスや集積回路では持ち得なかった「不揮発性」と「再構成可能性」の機能をもつ材料とデバイス、特にスピン偏極電流制御デバイスを実現する。半導体材料あるいはデバイス構造中に磁性元素や強磁性材料を構成要素として取り込み、キャリアの電荷輸送に加えてスピン自由度、特に「スピン偏極電流」を活用する新しい機能材料やデバイスをつくる。具体的には、1)III-V族半導体をベースとした接合型スピントランジスタ、2)IV族半導体をベースとしたMOSFET型のスピンデバイス、3)磁性金属微粒子と半導体からなる複合構造をベースとした単電子スピントランジスタの材料プロセス基盤技術を確立し、素子を試作実現する。
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