| 配分額 *注記 |
14,700千円 (直接経費: 14,700千円)
2010年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2009年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
2008年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
2007年度: 3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
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| 研究概要 |
電子は電荷とスピンと呼ばれる角運動量を持っている。前者は半導体エレクトロニクスの基礎であり,後者は磁性の起源であり,磁石としての応用分野がある。通常の金属や半導体中ではスピン角運動量は平均としてゼロであるが,強磁性物質中ではスピン角運動量はゼロではなく,その中を流れる電流はスピンの流れ(スピン流)も持っている。本研究では,スピン流のもたらす新しい現象-スピンホール効果-が金属において非常に大きくなることを理論的に予言した。さらに,半導体・グラフェンと強磁性金属との接合において,電流注入により半導体(グラフェン)中にスピン流が存在すること,その結果,電流による磁場の効果が非常に大きくなることを見いだした。このことは,半導体・グラフェン/強磁性金属接合を新しいデバイスとして応用できる可能性を示すものである。
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