| 研究領域 | スピン流の創出と制御 |
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| 研究課題/領域番号 |
19048030
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
秋永 広幸 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 副研究センター長 (90221712)
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| 研究分担者 |
末益 崇 国立大学法人筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40282339)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
33,000千円 (直接経費: 33,000千円)
2010年度: 7,300千円 (直接経費: 7,300千円)
2009年度: 9,200千円 (直接経費: 9,200千円)
2008年度: 9,200千円 (直接経費: 9,200千円)
2007年度: 7,300千円 (直接経費: 7,300千円)
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| キーワード | MBE / エピタキシャル / 磁性 / スピンエレクトロニクス / ナノ材料 / 半導体物性 / MBE,エピタキシャル / MBE, エピタキシャル |
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| 研究概要 |
スピントロニクスとシリコンテクノロジーとの融合を推進するため、シリコンベース強磁性体の開発、強磁性体金属/シリコンヘテロ構造におけるスピン偏極電子注入の実証を目指した。その結果、γ'-Fe4Nが高いスピン偏極度(0.59)と大きな磁気モーメント(約2.45μB/Fe)を持つことを実験的に明らかにし、Fe_3Si/CaF_2エピタキシャル接合からなる強磁性共鳴トンネルダイオードの動作実証にも成功した。
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