| 研究領域 | 配列ナノ空間を利用した新物質科学:ユビキタス元素戦略 |
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| 研究課題/領域番号 |
19051011
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
山中 昭司 広島大学, 工学研究院, 特任教授 (90081314)
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| 研究分担者 |
高畠 敏郎 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (40171540)
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| 連携研究者 |
高畠 敏郎 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (40171540)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
89,800千円 (直接経費: 89,800千円)
2011年度: 3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2010年度: 9,000千円 (直接経費: 9,000千円)
2009年度: 15,200千円 (直接経費: 15,200千円)
2008年度: 26,600千円 (直接経費: 26,600千円)
2007年度: 35,300千円 (直接経費: 35,300千円)
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| キーワード | クラスレート / 超伝導 / 熱電変換 / ユビキタス元素 / 超高圧合成 / 格子振動 / 熱伝導 / 単結晶育成 / 14族元素 / ラマン散乱 |
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| 研究概要 |
高温高圧条件を用いて, 新規シリコンクラスレート系化合物の物質探索を行った。Na-Si 系におけるタイプII 型クラスレートの単結晶育成と構造解析に成功した。La-Si２元系およびCa-Al-Si, Mg-Al-Si３元系においても, 新規高圧相化合物を発見し, 構造と超伝導特性を調べた。シリコンクラスレート化合物に類似する炭素クラスレートの実現を目指して, フラーレンC_<60> の３次元重合体を高圧合成した。半導体的クラスレート化合物を合成し, 熱電変換機能を高めるとともに, その機能発現機構を解明した。とくにI 型構造のBa_8Ga_<16>Sn_<30> およびVIII型構造のBa_8Ga_<16>Sn_<30> について詳細に調べた。
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