| 研究領域 | 配列ナノ空間を利用した新物質科学:ユビキタス元素戦略 |
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| 研究課題/領域番号 |
19051017
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
金山 敏彦 独立行政法人産業技術総合研究所, 情報通信・エレクトロニクス分野, 研究統括 (70356799)
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| 研究分担者 |
多田 哲也 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, グループ長 (40188248)
宮崎 剛英 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員 (10212242)
内田 紀行 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, 研究員 (60400636)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
33,400千円 (直接経費: 33,400千円)
2011年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
2010年度: 4,100千円 (直接経費: 4,100千円)
2009年度: 6,500千円 (直接経費: 6,500千円)
2008年度: 9,800千円 (直接経費: 9,800千円)
2007年度: 10,600千円 (直接経費: 10,600千円)
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| キーワード | 遷移金属内包Siクラスター / ナノエレクトロニクス / 超薄膜 / 原子分子処理 / ナノ材料 / クラスター / シリコン / レーザアブレーション / シリコンクラスター / 光吸収スペクトル / 電気伝導度 |
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| 研究概要 |
MoやWなどの遷移金属Mを内包したSiクラスター(MSi_n)を凝集した半導体材料は、水素化アモルファスSiに類似のSiネットワークを持ちながら、局所構造が揃うことで高いキャリア移動度を有し、外部電界による電気伝導度の変調が可能であることを明らかにした。さらに、Si表面上でWSi_nを凝集しエピタキシャル成長させたWSi_n膜は、基板Siと良好なヘテロ接合を形成することを見いだした。この極薄膜を金属電極の間に形成することで、n型Siに障壁高さの低い接合を形成する技術を開発した。
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