| 研究領域 | 機能元素のナノ材料科学 |
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| 研究課題/領域番号 |
19053002
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 名古屋大学 (2011)
東京大学 (2007-2010) |
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研究代表者 |
山本 剛久 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20220478)
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| 研究分担者 |
枝川 圭一 東京大学, 工学系研究科, 准教授 (20223654)
杉山 正和 東京大学, 工学系研究科, 准教授 (90323534)
瀧川 順庸 大阪府立大学, 工学研究科, 准教授 (70382231)
大西 剛 独立行政法人物質・材料研究機構, 研究員 (80345230)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
98,700千円 (直接経費: 98,700千円)
2011年度: 10,300千円 (直接経費: 10,300千円)
2010年度: 19,700千円 (直接経費: 19,700千円)
2009年度: 13,900千円 (直接経費: 13,900千円)
2008年度: 28,300千円 (直接経費: 28,300千円)
2007年度: 26,500千円 (直接経費: 26,500千円)
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| キーワード | 薄膜 / 微細構造 / 点欠陥 / PLD / チタン酸ストロンチウム / マンガン酸ストロンチウム / STEM / 原子構造 / 粒界 / 機能元素 / 転位 / 陽イオン不定比 / 構造ユニット / HRTEM / ナノ機能元素 / 機能性薄膜 / 透過型電子顕微鏡 / 走査透過型電子顕微鏡 / 界面 / 薄膜材料 / MOCVD / SrTiO3 / 電子状態 / 化合物半導体 / EDS / EELS |
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| 研究概要 |
主に薄膜系材料の微細組織制御技術について研究を行い、次の結果を得た。SrTio_3ホモエピタキシャル薄膜ではレーザー照射エネルギー密度による微量のSr/Ti比の制御法を確立させた。Sr過剰では薄膜中にSrO層が形成し、Ti過剰ではSr空孔が形成するとともに、この欠陥構造は薄膜成長温度に依存して種々変化することを明らかにした。他に、化合物半導体の薄膜中転位密度の軽減方法、SrMnO_3では、薄膜中の欠陥構造とMnの価数変化、酸素イオンの周期構造について系統的に調べた。
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