| 研究領域 | カーボンナノチューブナノエレクトロニクス |
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| 研究課題/領域番号 |
19054001
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
畠山 力三 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00108474)
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| 研究分担者 |
金子 俊郎 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30312599)
田路 和幸 東北大学, 大学院・環境科学研究科, 教授 (10175474)
加藤 俊顕 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20502082)
大原 渡 山口大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (80312601)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
88,600千円 (直接経費: 88,600千円)
2011年度: 11,300千円 (直接経費: 11,300千円)
2010年度: 15,100千円 (直接経費: 15,100千円)
2009年度: 16,400千円 (直接経費: 16,400千円)
2008年度: 21,800千円 (直接経費: 21,800千円)
2007年度: 24,000千円 (直接経費: 24,000千円)
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| キーワード | プラズマプロセス / 構造制御配向成長 / 内包ナノチューブ / 電気磁気光機能 / プラズマナノ / プロセス制御 / 孤立垂直配向成長 |
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| 研究概要 |
単層(SWNT)と二層カーボンナノチューブ(DWNT)の電気磁気光学的新機能化を目指して、拡散プラズマ化学気相堆積(CVD)法とプラズマイオン注入法を開発・適用・駆使した。その結果、SWNTのカイラリテイ分布狭小化等の構造制御成長、各種の電荷とスピン活用原子・分子内包SWNTとDWNTの創製、及び半導体伝導型自在制御に成功し、高性能負性微分抵抗素子、究極のpn接合ダイオード、半導体磁性融合素子、光電子融合(スイッチ、光電変換)素子、n型薄膜トランジスタ等の環境安定ナノデバイス原理を実証した。
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