| 研究領域 | カーボンナノチューブナノエレクトロニクス |
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| 研究課題/領域番号 |
19054006
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
水谷 孝 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70273290)
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| 研究分担者 |
岸本 茂 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10186215)
大野 雄高 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (10324451)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
118,800千円 (直接経費: 118,800千円)
2011年度: 6,600千円 (直接経費: 6,600千円)
2010年度: 6,100千円 (直接経費: 6,100千円)
2009年度: 47,100千円 (直接経費: 47,100千円)
2008年度: 30,800千円 (直接経費: 30,800千円)
2007年度: 28,200千円 (直接経費: 28,200千円)
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| キーワード | CNT / 光デバイス / FET / TFT / 電界注入 / pn接合 / 走査型プローブ顕微鏡 / 環境効果 / 光電子複合素子 / 開放電圧 / 光照射電流 / グラフェンコンタクト / Auコンタクト / CNT-CNT間の接合抵抗 / CNTFET / 走査型局所ゲート顕微鏡 / 欠陥 / 発光効率 / 電子/正孔同時注入 / 優先成長 / カーボンナノチューブ / 光電子複合デバイス / 表面保護膜 / 輸送現象 / 電位分布 / SGM / 光吸収断面積 / PL発光分布 / カリラリティ分布 / トランジスタ / 表面パシベーション / 原子層堆積 / Hf02 / 損傷 / ヒステリシス / 発効エネルギー / 誘電遮蔽 |
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| 研究概要 |
電界ドープ型pn接合素子を作製し、本素子を用いた電子/正孔の同時注入・再結合による発光および光検出を確認した。本素子のFETのドレイン電流変調動作を確認し、光電子複合デバイスの可能性を明らかにした。またCNT薄膜トランジスタについては、108素子よりなるリング発振器の作製と動作実証(0.51μs/gate)に成功した。集積規模、および動作速度はナノカーボンでは世界のベストデータである。また走査型プローブ顕微鏡を駆使してCNT-FETやCNT-TFTの電気特性評価を行い、CNT中欠陥の影響、島状チャネルの存在等を明らかにした。
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