次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法

• 研究領域: プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成
• 研究課題/領域番号: 21110011
• 研究種目: 新学術領域研究(研究領域提案型)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 小松 正二郎 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, グループリーダー (60183810)
• 研究分担者: 小林 一昭 物質・材料研究機構, 理論計算ユニット, 主幹研究員 (00354150) ; 知京 豊裕 物質・材料研究機構, ナノエレクトロニクス材料ユニット, ユニット長 (10354333)
• 研究期間 (年度): 2009-07-23 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 47,320千円 (直接経費: 36,400千円、間接経費: 10,920千円); 2013年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円); 2012年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円); 2011年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2010年度: 23,660千円 (直接経費: 18,200千円、間接経費: 5,460千円); 2009年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
• キーワード: 窒化ホウ素 / 薄膜 / プラズマ / レーザー / 結晶化学 / 自己組織化 / 多形 / レーザ / 透明半導体 / BN / 反応拡散系 / 階層性

研究概要

本研究では“ナノ界面とプラズマの相互作用”の効果が作製された材料において発現する状況を実験的に作り出し、その結果を理論的に解析することによって本プロジェクトの主題を物質科学の側面から追求した。ここではX線解析による結晶構造決定が重要な役割を果たし(1)新たな多形構造の合成・発見に導いた。これらの多形構造を一般無機化学的に解析する新たな手法として、(2)Komatsu Diagramを提案し、①hexagonality、②close-packing index、③準安定エネルギー、④イオン結合性指数Iの四者間にある規則性を明らかにできた。

研究成果

• [雑誌論文] Formation of microcones accompanied with ripple patterns in laser-activated plasma CVD of sp3-bonded BN films (2014)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Masaharu Shiratani
  • 雑誌名: J. Mater. Res 巻: 29 ページ: 485-491
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-organized formation of hierarchically-ordered structures in laser-activated plasma CVD of sp3-bonded BN films (2014)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Masaharu Shiratani
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 53
  • NAID: 210000143214
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation of microcones accompanied with ripple patterns in laser-activated plasma CVD of sp3-bonded BN films (2014)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Masaharu Shiratani
  • 雑誌名: J. Mater. Res. 巻: 29 ページ: 485491-485491
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-organized formation of hierarchically-ordered structures in laser-activated plasma CVD of sp3-bonded BN films (2014)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Masaharu Shiratani
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 53
  • NAID: 210000143214
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of AlBN and related polytypes (2013)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi and S.Komatsu
  • 雑誌名: Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 巻: 38 ページ: 485-492
  • NAID: 130004676473
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of AlBN and related polytypes (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Kobayashi and S. Komatsu
  • 雑誌名: Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 巻: 38 ページ: 485492-485492
  • NAID: 130004676473
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 8H-, 10H-, 12H-, and 18H-SiC Polytypes (2012)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki KOBAYASHI and Shojiro KOMATSU
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Japan 巻: 81 号: 2 ページ: 024714-024714
  • DOI: 10.1143/jpsj.81.024714
  • NAID: 40019151631
  • 査読あり
• [雑誌論文] ELECTRON FIELD EMISSION FROM sp3-BONDED BN MICROCONES AS A NONLINEAR COOPERATIVE PHENOMENON (2012)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu and Masaharu Shiratani
  • 雑誌名: Far East Journal of Dynamical Systems 巻: 18 ページ: 33-52
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of Various BN, SiC, and AlN polytypes (2012)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi and S.Komatsu
  • 雑誌名: Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 巻: 37 ページ: 583-588
  • NAID: 130005004166
  • 査読あり
• [雑誌論文] 多様なBN, SiC, AlNポリタイプの第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭
  • 雑誌名: RANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN 巻: 37 ページ: 583-588
  • 査読あり
• [雑誌論文] 8H-, 10H-, 12H-, 18H-SiCポリタイプの第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭
  • 雑誌名: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 巻: 181 ページ: 024714-13
  • 査読あり
• [雑誌論文] New Phases of sp3-bonded Boron Nitride Prepared by Photo-Assisted Plasma Processing Methods : The Fundamentals and Applications to Electronic Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Takahiro Nagata, and Toyohiro Chikyo
  • 雑誌名: AIP Conf. Proc. 巻: 1393 ページ: 31-33
  • DOI: 10.1063/1.3653601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-)BN (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Komatsu, K.Kobayashi, Y.Sato, D.Hirano, T.Nakamura, T.Nagata,T.Chikyo, T.Watanabe, T.Takizawa, K.Nakamura, T.Hashimoto
  • 雑誌名: J. Phys. Chem 巻: C114 ページ: 13176-13186
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 30H-BN Polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki Kobayashi and Shojiro Komatsu
  • 雑誌名: Materials Transactions 巻: 51 ページ: 1497-1503
  • NAID: 10026599660
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-principles study of 6H-AlN under various pressure conditions (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki Kobayashi and Shojiro Komatsu
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: 215
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN (2010)
  • 著者名/発表者名: Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
  • 雑誌名: J.Phys.Chem.C 巻: 114 ページ: 13176-13186
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 30H-BN Polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
  • 雑誌名: Materials Transactions 巻: 51(9) ページ: 1497-1503
  • NAID: 10026599660
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-principles study of 6H-AlN under various pressure conditions (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: 215
  • 査読あり
• [雑誌論文] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Komatsu, Y.Sato, D.Hirano, T.Nakamura, K.Koga, A.Yamamoto, T.Nagata, T.Chikyo, T.Watanabe, T.Takizawa, K.Nakamura, T.Hashimoto, M.Shiratani
  • 雑誌名: J. Phys. D : Appl. Phys. 巻: 42
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-Principles Study of 10H-BN and 10H-AlN (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi and S.Komatsu
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Japan 巻: 78
  • NAID: 10025959598
  • 査読あり
• [雑誌論文] P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: Komatsu, S., Sato, Y., Hirano, D., Nakamura, T., Koga, K., Yamamoto, A., Nagata, T, Chikyo, T., Watanabe, T., Takizawa, T., Nakamura, K., Hashimoto, T., Shiratani, M.
  • 雑誌名: J.Phys.D : Appl.Phys. 42 ページ: 225107-225112
  • 査読あり
• [学会発表] sp3-結合性ＢＮ多形薄膜のレーザ支援プラズマＣＶＤによる成長 (2013)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: プラズマ研究会
  • 発表場所: 茨城大学
  • 年月日: 2013-03-16
• [学会発表] 粗大化した結晶単位胞をもつsp3-結合性BN多形の レーザプラズマ複合化CVDによる形成 (2013)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 第30回 プラズマプロセシング研究会 (SPP-30)
  • 発表場所: 浜松
  • 年月日: 2013-01-23
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素の プラズマ・レーザによる低コスト合成法 (2013)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2013-01-13
• [学会発表] レーザプラズマCVDによる異常に大きな格子定数ｃをもつsp3結合性BN多形の光誘起生成 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: IUMRS-ICCM2012
  • 発表場所: 横浜
  • 年月日: 2012-09-28
• [学会発表] 多様なBN, SiC, AlNポリタイプの第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭
  • 学会等名: IUMRS-ICCM2012
  • 発表場所: 横浜市
  • 年月日: 2012-09-28
• [学会発表] 第一原理計算による直接遷移型バンドギャップを持ったAlNポリタイプの探索 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭
  • 学会等名: 日本物理学会秋季大会
  • 発表場所: 横浜市
  • 年月日: 2012-09-21
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素の プラズマ・レーザによる低コスト合成法 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2012-09-04
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素の プラズマ・レーザによる低コスト合成法 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 沖縄県宜野湾市
  • 年月日: 2012-05-20
• [学会発表] 多様なBN SiC AlNポリタイプの第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(西宮市)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] AlBNとその関連ポリタイプの第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 第21回日本MRS学術シンポジウム
  • 発表場所: 横浜
  • 年月日: 2012-02-19
• [学会発表] Gigantic polytypes of sp3-bonded boron nitride prepared by plasma-laser hybridized CVD (2012)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭
  • 学会等名: iPlasma Nano-III
  • 発表場所: Pulay Desau, Malaysia
  • 招待講演
• [学会発表] Gigantic polytypes of sp3-bonded boron nitride prepared by plasma-laser hybridized CVD (2012)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭
  • 学会等名: iPlasma Nano-III
  • 発表場所: Pulay Desau, Malaysia(招待講演)
• [学会発表] First-Principles Study of Various SiC polytypes (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Kobayashi, S.Komatsu
  • 学会等名: The 14th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2011-11-01
• [学会発表] 多様なBN SiC AlNポリタイプの第一原理計算 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: NIMS-AIST(NRI)計測・計算シミュレーション合同ワークショップ
  • 発表場所: 産業技術総合研究所(つくば市)
  • 年月日: 2011-10-25
• [学会発表] Fabrication of photovoltaic devices based on sp3-bonded BN by laser-plasma hybrid CVD method and some related matters (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: Topical workshop on Green plasma-nano technology
  • 発表場所: Suwon, Korea
  • 年月日: 2011-10-18
  • 招待講演
• [学会発表] Fabrication of photovoltaic devices based on sp3-bonded BN by laser-plasma hybrid CVD method and some related matters (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: Topical workshop on Green plasma-nano technology
  • 発表場所: Suwon, korea(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-18
• [学会発表] Laser-plasma hybrid processing of new BN crystalline films ; basic ideas behind their growth and applications (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: レーザー学会代418回研究会「レーザー応用」
  • 発表場所: 阿蘇ファームランド (Phys. 42, 225107(2009))
  • 年月日: 2011-09-12
  • 招待講演
• [学会発表] Laser-plasma hybrid processing of new BN crystalline films ; basic ideas behind their growth and applications (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: レーザー学会第418回研究会「レーザー応用」
  • 発表場所: 阿蘇ファームランド(阿蘇郡)(招待講演)
  • 年月日: 2011-09-12
• [学会発表] New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
  • 発表場所: Slovenia, Krvavcem
  • 招待講演
• [学会発表] New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICACNM-2011
  • 発表場所: Chandigarh, Panjab University
  • 招待講演
• [学会発表] New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎,小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICNC 2011
  • 発表場所: India, Kottayam, Mahatma Gandhi University
  • 招待講演
• [学会発表] New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
  • 発表場所: Slovenia, Krvavcem, Hotel Raj(招待講演)
• [学会発表] New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICACNM-2011
  • 発表場所: Chandigarh, Panjab University(招待講演)
• [学会発表] New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICNC 2011
  • 発表場所: India, Kottayam, Mahatma Gandhi University(招待講演)
• [学会発表] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
  • 発表場所: Slovenia, Krvavcem, Hotel Raj(招待講演)
• [学会発表] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BNの新結晶相:基礎と電デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICACNM-2011
  • 発表場所: India, Chandigarh, Panjab University(招待講演)
• [学会発表] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods (2011)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICNC 2011
  • 発表場所: India, Kottayam, Mahatma Gandhi University(招待講演)
• [学会発表] 30H-AlNポリタイプの第一原理計/First-principles study of 30H-AlN polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭、小松正二郎
  • 学会等名: 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: つくば国際会議場(エポカルつくば),茨城県つくば市
  • 年月日: 2010-10-21
• [学会発表] Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
  • 発表場所: 九州大学 伊都キャンパス
  • 年月日: 2010-06-12
  • 招待講演
• [学会発表] Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
  • 発表場所: 九州大学伊都キャンパス(福岡市)(招待講演)
  • 年月日: 2010-06-12
• [学会発表] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用 Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
  • 発表場所: 九州大学 伊都キャンパス(招待講演)
  • 年月日: 2010-06-12
• [学会発表] 30H-BNポリタイプ構造の第一原理計算/First-principles study of 30H-BN polytypes (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 日本金属学会2010年春期大会
  • 発表場所: 筑波大学, 茨城県つくば市
  • 年月日: 2010-03-28
• [学会発表] BN/Si ヘテロ接合太陽電池 / BN/Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 第3回電気電子工学セミナー
  • 発表場所: 九州大学システム情報科学研究院
  • 年月日: 2010-03-23
  • 招待講演
• [学会発表] BN/Siヘテロ接合太陽電池/BN/Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 第3回電気電子工学セミナー
  • 発表場所: 九州大学, 福岡市
  • 年月日: 2010-03-23
• [学会発表] 高密度BN 薄膜のプラズマ・レーザプロセスによる成長原理と半導体化/growth mechanism and doping of dense-phase BN prelaved by plasma-laser synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 仙台プラズマフォーラム・プラズマナノバイオニクスの基礎研究
  • 発表場所: 東北大学
  • 年月日: 2010-03-13
  • 招待講演
• [学会発表] 高密度BN薄膜プラズマ・レーザプロセスによる成長原理と半導体化/growth mechanism and doping of dense-phase BN prepared by plasma-laser synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 仙台"プラズマフォーラム"プラズマナノバイオニクスの基礎研究
  • 発表場所: 東北大学大学院工学研究科, 仙台市
  • 年月日: 2010-03-13
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: 第27回プラズマプロセシング研究会
  • 発表場所: 横浜市開港記念会館, 横浜市
  • 年月日: 2010-02-03
• [学会発表] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: TENCON2010
  • 発表場所: 福岡国際会議場
• [学会発表] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
  • 学会等名: ICRP7
  • 発表場所: Paris, Maison de la Chimie
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 京都大学
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 小林一昭
  • 学会等名: 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学文教キャンパス
• [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials (2010)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
  • 学会等名: 新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
  • 発表場所: 熱海 南明ホテル
• [学会発表] 12H-AlNの第一原理計算と並列化(OpenMP)/First-principles study of 12H-AlN and parallelization(OpenMP) (2009)
  • 著者名/発表者名: 小林一昭, 小松正二郎
  • 学会等名: 物性研究所短期研究会計算物理学
  • 発表場所: 東京大学物性研究所, 千葉県柏市
  • 年月日: 2009-12-10
• [学会発表] レーザー支援プラズマCVD法による導電性sp3結合性BN薄膜の作製と特性評価/Characteristics of conductive sp3-bonded BN film by the laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 日本電子材料技術協会第46回秋期講演大会
  • 発表場所: 日本セラミック協会ビル, 東京都新宿区
  • 年月日: 2009-11-20
• [学会発表] レーザ・プラズマ同期CVDにより作製したP型sp3-結合性BN/n型Siヘテロダイオード太陽電池/P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: 小松正二郎
  • 学会等名: AEPSE 2009
  • 発表場所: BEXCO Convention Center, 釜山, 韓国
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] 導電性sp3結合性BN薄膜のレーザ支援プラズマCVD法による低温合成/Low-temperature synthesis of conductive sp3-bonded nH-BN films(n=5, 6,...)by laser-assisted plasma CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: 中村拓也, 小松正二郎, 他
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学, 富山市
  • 年月日: 2009-09-11
• [産業財産権] 電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するSP3結合性窒化ホウ素薄膜とそほ製造方法及びその用途 (2012)
  • 発明者名: 小松正二郎, 他
  • 権利者名: 物材機構
  • 産業財産権種類: 特許
  • 取得年月日: 2012-02-28
  • 外国