計画研究
学術変革領域研究(B)
界面マルチフェロイックを利用したトンネル接合素子において、室温であらわれたColossal Interfacial Response(CIR)現象について、高度な解析技術と理論的理解の両方を用いて明らかにし、そのCIR効果を最大化させるための学理を構築する。さらに、CIR現象の有効な利用方法として、超高感度トランスデューサー素子が期待されるため、本課題の最終目標は、超微弱な外場(磁場、熱、応力など)を高効率に電気信号にて検出するデバイスを創製することである。