14族ナノシートのデバイス応用

• 研究領域: 14族ナノシート科学の創成
• 研究課題/領域番号: 24H00852
• 研究種目: 学術変革領域研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 学術変革領域研究区分(Ⅱ)
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 川那子 高暢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30726633)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 29,770千円 (直接経費: 22,900千円、間接経費: 6,870千円); 2024年度: 14,170千円 (直接経費: 10,900千円、間接経費: 3,270千円)
• キーワード: 電界効果トランジスタ / 2次元材料

研究開始時の研究の概要

本研究の学術的問いは、『14族ナノシートを机上の空論で終わらせないこと』である。すなわち、グラフェンを凌駕するキャリア移動度などの14族ナノシートに対する理論的予測を実験的に検証する事である。そして14族ナノシートの優れた物性をいかにしてデバイスの機能として最大限に引き出すのかという問題に取り組む。これまでに代表者が先行研究によって確立してきた絶縁膜上への2次元材料微細デバイス作製技術を基に14族ナノシートに適したデバイスプロセスを構築し、キャリア輸送特性や界面現象といったデバイス物理に関する基礎的な知見を得る。得られた知見から14族ナノシートを用いたCMOS回路の動作実証へと応用展開する。