| 研究領域 | マルチ層配列：分子層内外の電子-格子自由度制御に基づく超薄膜機能の新展開 |
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| 研究課題/領域番号 |
25H01405
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| 研究種目 |
学術変革領域研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
学術変革領域研究区分(Ⅱ)
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
東野 寿樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30761324)
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| 研究分担者 |
井上 悟 山形大学, 有機エレクトロニクスイノベーションセンター, 研究専任准教授 (00799562)
藤田 健志 東京大学, 物性研究所, 特任研究員 (60603066)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
52,000千円 (直接経費: 40,000千円、間接経費: 12,000千円)
2025年度: 14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
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| キーワード | 電荷移動錯体 / 超薄膜 / 外場応答 / 分子配向 / 超分子相互作用 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
電荷移動錯体は分子の性質・組み合わせ・配列に加え，格子・電荷・スピンの自由度がからむことで複数の電子相が競合・共存し多彩な物理現象を示す．本研究では，電荷移動錯体結晶をナノメートルスケール厚の超薄膜にダウンスケーリングすることで外場作用を効率化し，電子相の精密制御にもとづく物性創発を目指す．層内外の分子配列の制御によりマルチ層配列を有する超薄膜を創出し，外場制御による格子・電荷・スピン相関を解明することで，これまでバルク単結晶を対象に体系的に構築されてきた電子物性に関する学理の深化を目指すとともに，特殊構造秩序にもとづく新原理デバイス創出に向けた原理検証に取り組む．
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