| 研究領域 | ３Ｄ活性サイト科学 |
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| 研究課題/領域番号 |
26105014
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
筒井 一生 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (60188589)
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| 研究分担者 |
武田 さくら 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (30314537)
若林 整 東京工業大学, 工学院, 教授 (80700153)
角嶋 邦之 東京工業大学, 工学院, 准教授 (50401568)
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| 研究協力者 |
佐藤 信太郎
森 大輔
星井 拓也
岩井 洋
川村 朋晃
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| 研究期間 (年度) |
2014-07-10 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
83,720千円 (直接経費: 64,400千円、間接経費: 19,320千円)
2018年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2017年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2016年度: 16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2015年度: 16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2014年度: 26,780千円 (直接経費: 20,600千円、間接経費: 6,180千円)
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| キーワード | 半導体 / 不純物ドーピング / 界面制御 / 光電子ホログラフィー / 不純物 / シリコン(Si) / ヒ素(As) / 二硫化モリブデン(MoS2) / 原子配列構造 / 電気的活性化 / 原子ホログラフィー / 電子状態 / 層状物質 / 光電子回折 / シリコン（Si） / ヒ素（As） / 二硫化モリブデン（MoS2） / 電気・電子材料 / 半導体物性 / シリコン / 砒素 / 二硫化モリブデン / 硫化モリブデン / 半導体の不純物 / 活性サイト / 半導体デバイス / ボロン |
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| 研究成果の概要 |
半導体デバイスの高性能化には不純物ドーピング、表面・界面の電子状態の制御が普遍的課題である。これらの制御には、電気的特性を支配する部分の原子レベルの構造を把握することが必要である。本研究では、光電子ホログラフィー法を用いて、Si中の砒素(As)の電気的に活性な状態と不活性化するクラスター構造などの三次元原子配列構造や、SiC半導体では絶縁膜界面への添加原子の構造を明らかにすることに成功した。また、硫化モリブデン（MoS2）層状物質半導体の特異な電子状態を明らかにし、デバイス化にも発展させた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
光電子ホログラフィー法の感度とエネルギー分解能の向上により、半導体デバイス技術に重要なドープされた不純物の構造解析に成功した。これは、分析技術として実証的に新しい領域を開拓したとともに、その結果として社会的に非常に重要な産業技術である半導体デバイスの製造技術の進化に貢献し得ることを示した。この点で、学術的意義と社会的意義はいずれも大きい。今や社会の基盤技術であるSi集積回路、省エネルギー社会を生み出す広バンドギャップ半導体による光デバイスやパワーデバイス、ヒューマンインターフェースの新境地が期待される層状半導体のそれぞれで材料技術の展開に新しい可能性を示唆する成果である。
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