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MOCVD/ゾルーゲル新規プロセス開発によるFeRAM用のPZT薄膜の合成とその特性
研究課題
サマリー
2001年度
2000年度
基礎情報
研究課題/領域番号
00F00082
研究種目
特別研究員奨励費
配分区分
補助金
応募区分
外国
研究分野
無機材料・物性
研究機関
東京工業大学
研究代表者
水谷 惟恭
研究分担者
BAO D.
研究期間 (年度)
2000 – 2001
研究課題ステータス
完了 (2001年度)
配分額
*注記
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
2001年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2000年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)