液滴エピタキシー法による半導体量子ドットレーザーの作製及びその光物性と電子状態

• 研究課題/領域番号: 00J09187
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 国内
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 間野 高明
• 研究期間 (年度): 2000 – 2001
• 研究課題ステータス: 完了 (2001年度)
• 配分額: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円); 2001年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円); 2000年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)