| 研究課題/領域番号 |
01303009
|
|---|
| 研究種目 |
総合研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
化学工学
|
|---|
| 研究機関 | 群馬大学 |
|---|
研究代表者 |
加藤 邦夫 群馬大学, 工学部, 教授 (00008442)
|
|---|
| 研究分担者 |
中山 司 中央大学, 理工学部, 助教授 (20144446)
宝沢 光紀 東北大学, 非水溶液化学研究所, 教授 (70005338)
橋本 健治 京都大学, 工学部, 教授 (20025919)
小宮山 宏 東京大学, 工学部, 教授 (80011188)
今石 宣之 九州大学, 機能物質科学研究所, 教授 (60034394)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1989 – 1990
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1990年度)
|
| 配分額 *注記 |
7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
1990年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1989年度: 5,500千円 (直接経費: 5,500千円)
|
|---|
| キーワード | CVD / 多結晶シリコン / エピタキシャル成長 / ウエハ- / 薄膜形成 / 超微粒子 / 自然対流 / シリコン化合物 / 熱CVD / 薄膜成長 / エピタキシャル合成 / モノシラン |
|---|
| 研究概要 |
CVD装置のシミュレ-ションを行うには、CVD反応に関する反応速度の知見と、熱CVD装置として工業的に用いられている反応装置内の装置特性、移動現象に対する知見が必要である。
小宮山らは、CVDによる薄膜形成に対するMacro/Micro Cavity法(MMC法)を提案した。この手法をCVD法によるシランからのSiの析出、炭化水素からのSicの析出に適用して成膜種が主としてどのような化合物であるかを調べた。橋本らは、モノシランの分解による多結晶シリコン生成に関する速度解析を行っている。外壁水冷棒状基板型二重反応器を用いて基板表面への多結晶シリコン層の成長度の解析を種々のモデルを用いて行った結果、シラン濃度の半径方向分布を考慮したモデルが必要であることを示した。加藤らは、現在工業的に用いられているディスク型CVD装置、及び垂直多葉型CVD装置における物質移動や流体モデモを調べた。ディスク型CVD装置のウエハ-表面での局所物質移動がどのような因子によって影響するかを調べた。また、多葉型CVD装置を用いて、ウエハ-への析出速度分布を解析するためのモデルを提出した。今石らは、多葉型CVD装置を用いて、ポリシリコン膜を析出する場合のシミュレ-ションを、小宮、霜垣らの反応速度のデ-タ-を用いて行った。また、ホットウオ-ル式管型熱CVD装置および水平型熱CVD装置での成膜速度分布、熱や物質の移動現象を数値解析した。宝沢らは、縦型高波加熱CVD炉内での温度分布に関する数値シミュレ-ションを行っている。炉内温度分布に及ぼす高周波コイルとサセプタ-の位置、コイルの周波数などの影響を電磁場と温度場で数置解析することによって調べた。中山らは、熱移動や化学反応を伴う気管型反応器内での非定常流れを有限要素法を用いて解析し、装置内での速度分布や反応物質の濃度分布を定量的に求めた。
|
