| 研究課題/領域番号 |
01420042
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| 研究種目 |
一般研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
溶接工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
仲田 周次 大阪大学, 工学部, 教授 (90029075)
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| 研究分担者 |
安田 清和 大阪大学, 工学部, 助手 (00210253)
藤本 公三 大阪大学, 工学部, 助手 (70135664)
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| 研究期間 (年度) |
1989 – 1991
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| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
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| 配分額 *注記 |
18,500千円 (直接経費: 18,500千円)
1991年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1990年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1989年度: 15,900千円 (直接経費: 15,900千円)
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| キーワード | 界面接合プロセス / 薄膜形成 / ダイヤモンド薄膜 / 電子照射形CVD法 / STM / STS / マイクロ接合 / 薄膜付着性評価法 / 界面プロセス / 走査形トンネル顕微鏡 / STS分析 / めっきプロセス / トンネル電流特性 / CVD法 / 薄膜密着性評価方法 / スクラッチ・テスト / 界面評価 |
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| 研究概要 |
本研究は、微細・複合機能構造体の製作プロセスに重要な多層薄膜の形成プロセス、薄膜付着性の定量的評価方法、接合構造体作成への薄・厚膜の応用などを目的としたもので、主な結果は次の通りである。
1.ガラス基板上などの金属のクラスタ-イオンビ-ム蒸着薄膜の付着性にま銅などは特異な加速電圧依存性をもつこと、さらに金蒸着膜は多結晶構造をしており、膜・基板界面で固相反応がかなり進行している。
2.ガラス基板上に作成された金属蒸着薄膜の付着性評価方法としてのスクラッチ試験におけるスクラッチパタ-ンの観察・分類・および有限要素法解析により、スクラッチテストにおける薄膜の定量評価法のあり方を明らかにした。
3.CH_4+H_2を原料とする電子照射形CVD法によるシリコン基板上でのダイヤモンドなど薄膜成長について検討し、ダイヤモンドの生成領域と基板温度など蒸着パラメ-タとの関連性、さらにこれら蒸着パラメ-タとダイヤモンド膜質との関係、STM観察により基板のダイヤモンド微粒子の超音波前処理によるダイヤモンドの核発生密度の増加は微粒子よりさらに微細な傷によること、生成されたダイヤモンド薄膜はグラファイト成分をもっており、そのトンネル電流特性を測定することによりダイヤモンド薄膜上での局部的特性を同定でき、STS分析により基板表面およびダイヤモンド表面での状態の遷移・変化状態が大きく異なり、かつ時間的に金属状態からダイヤモンド状態へ中間状態を経て段階的に変化する。
4.メッキプロセスによる膜形成を微細電子材料の接合への応用に関し、銅合金リ-ド上のIn/Snメッキ性状および接合プロセスにおける界面での元素の挙動、接合部品質の向上および接合温度の低減化、材料システム化への薄・厚膜のマイクロ接合への応用について明らかにした。
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