| 研究課題/領域番号 |
01550255
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 福岡工業大学 |
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研究代表者 |
今村 正明 福岡工業大学, 工学部, 教授 (40111794)
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| 研究分担者 |
中原 基直 福岡工業大学, 工学部, 助手 (00148909)
山口 俊尚 福岡工業大学, 工学部, 教授 (50037925)
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| 研究期間 (年度) |
1989 – 1990
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| 研究課題ステータス |
完了 (1990年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1990年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1989年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 分子線エピタキシャル / 希薄磁性半導体 / カドミウムテルル / 光磁気特性 / 磁性ガ-ネット薄膜 / 超格子 / カドミウムマンガンテルル |
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| 研究概要 |
当初の研究計画に基づき初年度は、希薄磁性半導体CdTeを基本素材としてCd_<1ーX>Mn_XTe単層膜及びCd_<1ーX>Mn_XTeーCdTe超格子膜の(0001)サファイア基盤上へのエピタキシャル成長をMBE法により行うことを主目標にして実験を進めた。この結果、エピタキシャル成長の条件をおさえつつCdMnTe単層膜及びCdTeーCdMnTe多層膜を作成し、これられついてRHEEDによるその場観察、X線回析および分光分析により、本装置を用いて良質のエピタキシャル膜が作成出来ることを確認することが出来た。ただし、現在のところ、多層膜が完全な超格子構造になっているかは、X線サテライトパタ-ンの観察が十分に出来ていないため、明確な確認はで出来ていない。本年度はこのようにして得られたエピ膜についての光及び光磁気特性の把握を主として行い、CdにたいするMn置換の効果はMnのモル分率0.1につきほぼ50nmの吸収端の短波長側への遷移として現れることを確認し、ファラデ-回転についてはx=0.1の膜で約ー0.1deg/cm/gauss、x=0.3の膜のついては約ー2.5deg/cm/gaussの最大値を波長約0.6μmにおいて得た。これらはかなり大きなファラデ-効果であるといえる値であり、今後さらに特性を上げたいと考えている。これらの結果については平成2年度電気関連学会九州支部大会(九工大、10月)、同日本応用磁気学会(愛媛大、11月)で報告し、本学エレクトロニクス研究所所報第7号にまとめた。
磁性ガ-ネット単結晶薄膜の光磁気特性については、かなり大きな相反効果が測定されることを先に明らかにしたが、この結果は昨年度電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会(京都大、平成2年1月)で報告し、本年度は光磁気効果の光制御用磁性ガ-ネット薄膜における諸磁気量測定法への応用と関連させて、電気学会マグネティクス研究会(岐阜大、12月)で成果の報告を行った。
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