| 研究課題/領域番号 |
01550556
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属材料
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
森井 賢二 大阪府立大学, 工学部, 助教授 (10101198)
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| 研究分担者 |
松井 利之 大阪府立大学, 工学部, 助手 (20219372)
津田 大 大阪府立大学, 工学部, 助手 (80217322)
間渕 博 (間淵 博 / 関渕 博) 大阪府立大学, 工学部, 講師 (70109883)
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| 研究期間 (年度) |
1989 – 1991
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| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
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| 配分額 *注記 |
2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
1991年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
1990年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1989年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | 非晶質薄膜 / GaーMn系薄膜 / Pt / Mn / Sb系多層膜 / SbーSーGe系薄膜 / 結晶化課程 / 相形成 / 光吸収端 / 非晶質半導体 / カルコゲナイド / SーSb系薄 / 相変化型記録薄膜 / イオンビ-ムスパッタ / 非晶質の結晶化 / SーSbーGe系 / 光学特性 / 相変化型光記録材料 / 多層膜 / 固体反応 / Te-Ge系 |
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| 研究概要 |
本研究では、薄膜における固体反応による相形成の基礎的知見、人工格子薄膜における化合物形成、カルコゲン系非晶質における結晶化過程などに関して実験的検討を加えた。主な成果を以下に要約する。
(1)MnーGa系非晶質薄膜における相形成
Ga量が80at%以上のGaーMn2元系薄膜の結晶化過程において形成される化合物相の幾何学的特性に関して、透過電顕観察およびフラクタル理論からの検討を行なった。結晶相の幾何学的形状は組成により、D=1.7なるフラクタルクラスタ-から、非フラクタルな二次元エ-デンクラスタ-への遷移を示した。
(2)Pt/Mn/Sb積層薄膜における固相反応と化合物形成
新しい機能材料創製法の一つとして、原子寸法オ-ダ-の薄膜を積層した人工格子膜における固体反応による化合物形成を、Pt/Mn/Sb多層膜について検討した。多重積層周期の採用と適当な熱処理の選定などにより、形成相の種類、結晶学的配向性の制御が可能であることが明かとなった。
(3)カルコゲン系非晶質薄膜の結晶化過程と電気、光学特性
新しい光記録材料の可能性を検討するために、硫黄S系カルコゲン非晶質薄膜をとりあげ、SbーSおよびSbーSーGe系に関して、組成が非晶質構造、結晶化過程、伝導特性および光学的性質におよぼす効果などを調べた。組成は非晶質における結合状態、バンド構造の変化をもたらし、薄膜の伝導特性、光特性に大きな影響を与えることが知られた。S系カルコゲン非晶質薄膜は他のカルコゲナイドと同様応用上極めて興味ある材料特性を示すことが明かとなった。
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