| 研究概要 |
光誘起電子移動と熱的逆反応で電子状態のみ定常的可逆的に変化し色変化する新しいフォトクロミズムについて検討し次のような成果を得た。
1酸化還元イオン対電荷移動錯体の合成
対称及び非対称のアルキル置換基を有する4,4'ービピリジニウムイオン及び主鎖の一部に4,4'ービピリジニウムイオンを含むポリマ-を合成した。嵩高い置換基を持ち極めて安定なテトラキス【3,5ービス(トリフルオロメチル)フェニル】ボレ-トアニオンを用いて、その塩を構成した。
2両親媒性イオン対電荷移動錯体の単分子膜特性測定と累積膜の構成
アラキジン酸との種々のモル比の混合系で単分子膜特性を調べ、石英ガラスに累積した。また石英ガラス上にポリマ-キャスト膜を構成した。
3電荷移動錯体励起によるフォトクロミズム
電荷移動吸収帯のみを脱酸素下で励起し、薄膜系で光誘起電子移動及び熱的逆反応による淡黄色【double half arrows】青色の定常的可逆的色変化を
4薄膜中の酸化還元基の分子配列状態の検討
光照射前後で単分子累積膜の偏光吸収スペクトルの入射角依存性等を測定し4,4'ービピリジニウムカチオンラジカルの配列状態を検討した。置換基によりラジカルの配列を制御できることを初めて明らかにした。
5光導波路法による高分子電荷移動錯体超薄膜の高感度測定
キャスト法により高分子電荷移動錯体超薄膜をガラス導波路上に作成し、HeーNeレ-ザ-をモニタ-にして通常の透過法の150倍の高感度で固体超薄膜系の光誘起エレクトロニクロミズムを観測した。
6高分子電荷移動錯体キャスト膜による光メモリ-の構造
高分子電荷移動錯体キャスト膜を脱気下、種々の温度でCT励起後の逆反応(青→淡黄色)を調べた。高温ではすぐにもどり熱的消去ができるが、O℃以下で減衰せず光メモリ-として応用できることがわかった。
|
