| 研究概要 |
1)ZnS:Tb薄膜の発光:緑色発光薄膜ELの高性能化を目的として、高周波スパッタ法によるZnS:Tb発光層の作製法についての系統的な研究の一つとして、膜成長時のガス圧を変えて発光層を形成し、結晶性と発光特性のガス圧依存性を調べた、その結果、発光が強い時のガス圧は、結晶性がよい時のガス圧よりも、1〜2Pa高いことが分かった。最適ガス圧との差の原因は、発光中心の形成姿態に因るものと考え、現象解明の一手法として、タ-ゲット材に酸素を同時添加して、酸素が電気光学特性に与える効果を研究した。弗素共付活性剤以外に、適当量の酸素原子を同時添加することによってEL強度が増大した。これら一連の研究成果から、TbF_3分子中心、TbOF複合中心を比較した場合、中心の結晶学的構造が大きく関与し、FbOF中心が最も励起効率が高く、Zns:TbOF薄膜EL素子の高発光輝度の原因となっている事が推察された。
SeS:Ce薄膜の発光:セリウム付活硫化ストロンチュウムの青色発光材料として注目されている。発光効率を改善するために、SrS:Cu,SrS:Ce,及びSrS:Ce,Cuの三種の発光層を用い共付活剤の検討を行った。SrS:Cuの発光輝度は小さく、SrS:CeよりもSrS:Ce,Cuがさらに2倍の発光輝度を示していることからSrS:Ce,Cu蛍光薄膜において銅共付活剤が増感中心として発光輝度増大に関与していることが明らかになった。
3)その他:LaPO_4:Tb系蛍光体発光の時間分光スペクトルを測定し、360nmの色素レ-ザ励起の場合のみ、Ce^<2+>の発光と想定される5945、616、626nmに早く減衰する強い発光を見出した。さらにDMZ,DMS系を原料に用いてECRプラズマMOCVD法によりGaAs(100)上にデットレア-の無いグレインの発達したZnSが低温で得られた。
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