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金属シリサイド/p-Si_<1-x>Gex界面の作製とその制御

研究課題

研究課題/領域番号 01650507
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関筑波大学

研究代表者

長谷川 文夫  筑波大学, 物質工学系, 教授 (70143170)

研究分担者 重川 秀実  筑波大学, 物質工学系, 講師 (20134489)
研究期間 (年度) 1989
研究課題ステータス 完了 (1989年度)
配分額 *注記
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1989年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
キーワードSi_<1-x>Gex / 分子線エピタキシ- / シリサイド / ジャ-マナイド / 赤外イメ-ジセンサ-
研究概要

1.研究の目的……1つはショットキ-障壁型赤外センサ-の長波長化,もう1つはn-Si/p^+-SiGe/n-Si HBTへの応用を目的として,Silicide(Germanide)/p^+-SiGe接合に対するGeの影響について検討した。
2.本年度の研究実績……CZ Si基板上にMBE法によりSi_<1-x>Gexを成長,成長層・基板界面のキャリア濃度分布,歪Si_<1-x>Gex層の熱緩和,PtとSiGe層との反応について検討したが,ここではPt/SiGe界面の反応について述べる。Si基板上にSi_<0.8>Ge_<0.2>を基板温度550℃で1000A成長させ,室温に下ろしてPtを1000A連続して蒸着した。その後Ar中で300℃,3h;400℃,1h,16h;500℃,1hの熱処理を行い,AES,X線の測定を行なって,Silicide,Germanideの形成過程を検討した。
300℃,3hの熱処理によってはPt_2(Si_<0.8>Ge_<0.2>)_1の層が形成される。400℃,1hの熱処理では均一なPt_1(Si_<0.8>Ge_<0.2>)_1の層が形成された。400℃,16hの熱処理をすると,わずかながら界面のGeの量が増加しており,Geが内部に移動し始めていることが分かった。500℃,1hの熱処理を行うと,表面層のGeはほとんど内部に押しやられ,表面層はほぼPt_1Si_1層になっていることがAESの結果からわかった。内部に押しやられたGeはSi_<0.1>Ge_<0.9>という層を形成していた。
これらの結果から次のように考えられる。PtとSiの結合は,PtとGeの結合より強いために,高温または長時間熱処理すると,PtSiの結合が支配的になり,SiGe層のGeは内部に追いやられ,PtSiとSiGe層またはSi基板との界面にGe richのSiGe層を形成する。このことは,SiGeと金属を直接反応させる事は好ましくないことを意味している。

報告書

(1件)
  • 1989 実績報告書
  • 研究成果

    (3件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (3件)

  • [文献書誌] H.KANAYA et al: "Reduction of the Barrier Height of Silecide/p-Si_<1-x>Gex Contact for Application in an Infrared Image Sensor" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L544-L546 (1989)

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] H.KANAYA et al: "Dependence of the Carrier Concentration Profile at the Si MBE Layer/p-Si Substrate Interface on the Si Substrate Preparetion Method" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L195-L197 (1990)

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] H.KANAYA et al: "Preferential PtSi Formation in Thermal Reaction between Pt and Si_<0.8>Ge_<0.2> MBE Layers" Submitted to Japanese Journal of Applied Physics.

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書

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公開日: 1989-04-01   更新日: 2016-04-21  

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