| 研究課題/領域番号 |
01650515
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助手 (40126876)
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| 研究分担者 |
森田 健治 名古屋大学, 工学部, 教授 (10023144)
美浜 和弘 名古屋大学, 工学部, 教授 (50023007)
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| 研究期間 (年度) |
1989
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| 研究課題ステータス |
完了 (1989年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1989年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 極微小電子線 / ナノメ-タ-電子回折 / 金属-半導体界面 / 半導体超格子 / 電子線誘起電流測定 |
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| 研究概要 |
(1)平成元年度は極微小電子線プロ-ブを用いた半導体-金属、半導体-半導体界面の研究のために試料作製法の開発と試料ホルダ-の作製を行なった。
(2)界面の解析の研究用に使用した試料は、GaAs/AlGaAs、Inp/InGaP超格子、金属、半導体/Mgo 多層膜界面、Ga/Si積層膜界面である。
(3)作製された試料の電子線誘起電流(EBIC)測定、エレクトロマイグレ-ション測定を行なうため、試料支持部(3mmφ)に通電用電極をもった試料ホルダ-を当教室の工作室で自作した。このホルダ-と超高感度エレクトロメ-タ-及び定電圧直流電源を連結し、実験を行なう。
(4)ナノメ-タ-回折の実験としては、Inp/InGaP歪超格子の界面の歪の検出を行なった。この超格子は1%程度の格子不整合をもっため、界面近傍び格子が歪んでいることが予想されていた。当研究者は半導体メ-カ-の研究グル-プと共同でナノメ-タ-回折と暗視野像法を併用して界面近傍の歪をナノメ-タ-スケ-ルで検出することに成功した。
(5)上記ナノメ-タ-電子回折及びEBIC測定の準備実験と並行して、界面の断面方向からの高分解電子顕微鏡を撮影し、界面における不一到転位の密度、界面の特殊構造などを研究した。
(6)各種半導体界面のイオン散乱実験を行ない、界面構造を決定した。
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